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Calcul des propriétés électroniques des composés semi-heusler de type XP tS n (X=Ti,Zr et Hf) : description précise des écarts de bandes électroniques avec le potentiel modifié de Becke – Johnson (MBJ-LDA).

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Academic year: 2021

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Texte intégral

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Nom & Prénom de l’étudiante BENAICHA Mohamed

Intitulé du titre de Magister Calcul des Propriétés électroniques des composés semi-heusler de types XPtSn (X=Ti, Zr et Hf):Description précise des écarts de bandes électroniques avec le potentiel modifié de Becke-Johnson (MBJ-LDA). Date & lieu de soutenance 2013, Université de Sidi Bel-Abbés

Mail m.benaicha22@yahoo.fr

Résumé de MEMOIRE de MAGISTER

Dans ce mémoire, on a présenté un Calcule des Propriétés électroniques des composés semi-heusler de types XPtSn avec X(Ti,Zr,Hf) ,pour cela nous avons utilisé la méthode des ondes augmentées linéairement au potentiel (FP-LAPW)basé sur la théorie fonctionnelle de la densité (DFT).nous avons aussi étudie les propriétés structurales et les propriétés électronique avec l'approximation LDA pour le potentiel d'échange et de corrélation ,ainsi on a appliqué une version modifié de potentiel propose par propose par Becke et Johnson (MBJ) à nos composés pour but de calculer la Gap. Et enfin ,nous avons calcule les constantes élastiques pour ces composés.

Mots clés : DFT; FP-LAPW; MBJ; Structure électronique; Thermoélectrique; Semi-Heusler. Abstract

In this work, we presented a Calculation of electronic properties of semi-Heusler compounds types XPtSn with X (Ti, Zr, Hf), for this we used the method of linear augmented plane wave (FP-LAPW) based on the theory of density functional (DFT). We also studied the structural and electronic properties with the LDA approximation for the potential for exchange and correlation, and we applied a modified version of potential proposed by Becke and Johnson proposed by (MBJ) to our compounds designed to calculate the Gap. And finally, we have

calculated the elastic constants for these compounds.

Keywords: DFT, FP-LAPW; MBJ ; Electronic structure ;Thermoelectric; Half-Heusler.

صخلم انمدق ، ةسارد هذه يف هبش تابكرملل ةينورتكللاا صئاصخلا باسح Heusler عاونأ XPtSn عم X ( Ti, Zr, Hf ) ايطخ ةجوم ةلمتحم ةدايز ةقيرط مادختساب انمق اذهل ، ( FP-LAPW ) ةيفيظولا ةفاثكلا ةيرظن ساسأ ىلع ( DFT .) بيرقت عم ةينورتكللإاو ةيلكيهلا صئاصخلا اضيأ انسرد LDA ةلدعم ةخسن انقبطو طابترلااو لدابت ةيناكمإ نع اهحرتقا لمتحملا نم Becke و Johnson اهحرتقا يتلا ( MBJ ) ةوجفلا هذه باسحل ةممصم انيدل تابكرمل . دقف اريخأو تابكرملا هذهل ةنرملا تباوثلا باسحب انمق . ةيسيئرلا تاملك : DFT ، FP -LAPW ؛ MBJ ; ةينورتكللإا لكيه ; فصن ؛ ةيرارحلا Heusler .

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