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Adaptateur d'impédance accordable

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Academic year: 2021

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Texte intégral

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HAL Id: hal-01983974

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01983974

Submitted on 16 Jan 2019

HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.

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Adaptateur d’impédance accordable

Anne-Laure Perrier, Jean-Marc Duchamp, Philippe Ferrari

To cite this version:

Anne-Laure Perrier, Jean-Marc Duchamp, Philippe Ferrari. Adaptateur d’impédance accordable.

Journées Nationales Microondes, 2007, Toulouse, France. �hal-01983974�

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Adaptateur d’impédance accordable

Cp

C(V) Avantages :

 deux paires de diodes

 une longueur totale de l/10

Résultats

 substrat RO4003 : er = 3,36

 diodes MA4ST-1240 : Ls = 1,2 nH

Cp = 0,11 pF Rs = 1,6 W

1 pF < C(V) < 8,6 pF avec 12V>V>0V

 f = 1 GHz

Conception :

 technologie CPW

 deux polarisations différentes

Schéma électrique équivalent des diodes :

Capacité CMS

V2

V2 V1

V1

Coupure

Un transformateur d’impédance accordable :

 trois diodes varactors

 deux lignes quart d’onde microstrip

 4 W < Z < 392 W à 2.25 GHz (|S21|> -2 dB)

 une bande passante accordable de 10%

*J.H. Sinsky, and C.R. Westgate, “Design of an electronically tunable microwave impedance transformer”, IEEE International Microwave Symposium Digest, MTT-S, Vol. 2, pp. 647-650, June 1997.

L

C1 C1

l/4 l/4

C1 C2 C1

Rs Ls

A.-L. Perrier*, J.-M. Duchamp**, P. Ferrari**

* LAHC, Université de Savoie, 73376 Le Bourget-du-lac, France

** IMEP (UMR 5130, CNRS/INPG/UJF), Minatec, 3 parvis Louis Néel B.P 257, 38016 Grenoble, France

Introduction

 système compact

 système accordable

Applications

 diviseur de puissance

 adaptation de transistors

Notre structure

l/10

Etat de l’art

*

Conclusion

 compacité (~ l/10)

 bonne couverture de l’abaque de Smith

 large bande accordable

 adaptation de -20 dB

 pertes d’insertion < 2 dB

Perspectives

 intégration

 adaptation de transistor VNA

Référence 50 W

S

22

V1 V2

0,5 GHz 0,8 GHz 1 GHz 1,5 GHz 1,7 GHz

Simulations et mesures des charges permettant : |S11|<-20dB et |S22|>-2dB VNA

Référence 50 W

S

11

Tuner

mécanique

S

21

V1 V2 Impédance complexe

0,8 GHz 1 GHz 1,2 GHz 1,5 GHz 1,7 GHz 2 GHz

Simulations et mesures des impédances synthétisées.

Cv1 Cv2

Zc,

q

1 Zc,

q

2 Z

c,

q

3

0,5 GHz 0,6 GHz 0,7 GHz

L A H C

L A H C

L A H C

Références

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