Procédés à base de plasma

Les plasmas sont omniprésents dans la fabrication de composants électronique. Ils sont en

particulier utilisés dans les techniques de gravure sèche ou de dépôt sous vide en phase

vapeur. Nous allons maintenant en introduire quelques éléments.

III.2.3.1. Gravure ionique réactive

La gravure ionique réactive (RIE) est une technique de gravure sèche consistant à disposer le

PDWpULDX FLEOp DX FRQWDFW G¶XQ SODVPD /HVréactions ayant lieu à la surface du matériau

SHXYHQW rWUH QRQ VHXOHPHQW GH QDWXUH SK\VLTXH FRPPH F¶HVW OH FDV ORUV G¶XQ XVLQDJH j

O¶DUJRQPDLVpJDOHPHQWFKLPLTXHFRPPHSRXUXQHJUDYXUHKXPLGH/HVW\SHVGHJUDYXUHV

physiques et chimiques ne possèdent pas les mêmes caractéristiques : une gravure chimique

sera plutôt isotrope et rapide, avec une grande sélectivité entre le matériau à graver et le

PDVTXHGHJUDYXUHDORUVTX¶XQHJUDYXUHSK\VLTXHVHUDHQJpQpUDODQLVRWURSHOHQWHHWGH

faible sélectivité.

Dans nos process, nous devons souvent graver des motifs aux dimensions critiques, comme

par exemple la longueur de grille, et il est alors impératif de garder la côte entre la résine et le

PDWpULDX JUDYp IDYRULVDQW GqV ORUV XQH JUDYXUH SK\VLTXH &¶HVW G¶DLOOHXUV OD UDLVRQ SRXU

laquelle la grDYXUH KXPLGH Q¶HVW SDV XWLOLVpH GDQV QRV WUDYDX[ &HSHQGDQW XQH JUDYXUH

uniquement physique peut avoir des effets délétères : elle peut endommager la surface voire

le volume du matériau à graver, ce qui peut être critLTXH GDQV OH FDV G¶XQH JUDYXUH GH

semicRQGXFWHXUV¶LO\DSHUWXUEDWLRQGXUpVHDXFULVWDOOLQHWHOOHSHXWRFFDVLRQQHUGHVGpIDXWV

géométriques du profil de gravure comme nous le verrons par la suite. La gravure RIE

constitue donc une excellente solution en FH TX¶HOOH FRPELQH OHV DVSHFWV SK\VLques et

chimiques.

/HSODVPDG¶XQ5,(HVWJpQpUpSDUXQSKpQRPqQHG¶LRQLVDWLRQSDUDYDODQFKHDERXWLVVDQWj

une décharge luminescente. En soumettant un gaz à un champ électrique rapidement

oscillant, les électrons se dissocient des noyaux qui deviennent alors des cations, car leur

masse est bien plus faible et ils peuvent donc répondre aux variations rapides du champ

pOHFWULTXH/HVpOHFWURQVOLEUHVDLQVLFUppVYRQWERPEDUGHUG¶DXWUHVHVSqFHV,OSHXWDORUVVH

produire plusieurs phénomènes LRQLVDWLRQG¶XQatome en cation, association atome-électron

HQ DQLRQ GLVVRFLDWLRQ G¶XQH PROpFXOH HQ UDGLFDX[ OLEUHV RX H[FLWDWLRQ-GpVH[FLWDWLRQ G¶XQ

pOHFWURQG¶XQHFRXFKHpOHFWURQLTXHLQIpULHXUHHWpPLVVLRQG¶XQSKRWRQ&HGHUQLHUmécanisme

confère au plasma une lumière G¶XQH FHUWDLQH FRXOHXU FDUDFWpULVWLTXH GHV HVSqFHV HQ

SUpVHQFH (Q GpILQLWLYH OH SODVPD HVW FRPSRVp G¶pOHFWURQV G¶LRQV GH UDGLFDX[ OLEUHV HW

G¶DWRPHVHWPROpFXOHVQRQLRQLVpV/DSURSRUWLRQG¶LRQVGDQVOHSODVPDHst appelée degré

G¶LRQLVDWLRQ/DGHQVLWpG¶LRQVpJDOHjODGHQVLWpG¶pOHFWURQVHVWGpILQLHFRPPHODGHQVLWpGH

plasma.

,OH[LVWHDXMRXUG¶KXLSOXVLHXUVV\VWqPHV5,(/DPpWKRGHGHJpQpUDWLRQGHSODVPDODSOXV

courante est le couplage capacitif (CCP), réalisé en utilisant des plaques parallèles. Dans cette

configuration, illustrée en Figure III.6 (sans la bobine dont la fonction sera détaillée ci-après),

O¶DQRGHUHOLpH à la masse est constituée par les parois du réacteur. La cathode inférieure, sur

laquelle est posée (clampée) le wafer, est polarisée par un générateur RF à 13,56 MHz

27

par

O¶LQWHUPpGLDLUH G¶XQ FLUFXLW G¶DGDSWDWLRQ G¶LPSpGDQFH FRPSUHQDQW XQH FDSDFLWp LVRODnt le

JpQpUDWHXUGHO¶pOHFWURGH/RUVGHO¶DOOXPDJHGXSODVPDOHVpOHFWURQVPRELOHVPLJUHQWYHUV

les pOHFWURGHV HW GDQV OH FDV GH OD FDWKRGH V¶\ DFFXPXOHQW &HOD HQWUDvQH XQ SRWHQWLHO

G¶DXWRSRODULVDWLRQQpJDWLIെܸ_ௗ௖ appelé DC bias qui dépend des gaz employés, de la puissance

RF du générateur, de la pression et du ratio des surfaces des électrodes. Au voisinage de la

FDWKRGHVHFUpHDORUVXQH]RQHGpSOpWpHG¶pOHFWURQVFDUODVRPPHGXDC bias négatif et de la

tension RF est négative la plupart du temps. Cette zone est appelée ion sheath ou dark space

FDUHOOHQ¶HVWSHXSOpHTXHG¶LRQVHWTX¶DXFXQHOXPLqUHQHV¶HQpFKDSSH&¶HVWGDQVFHWWH]RQH

que les cations sont accélérés par une différence de potentiel ܸ௣௟௔௦௠௔൅ ܸௗ௖ où ܸ௣௟௔௦௠௔ désigne

le potentiel du plasma

28

, positif et de magnitude inférieure ܸ_ௗ௖.

Figure III.6 ± Schéma de principe de la JUDYXUHLRQLTXHUpDFWLYH5,(DXVHLQG¶XQ système CCP-RIE

(sans bobine) ou ICP-RIE. Adapté de [137].

Nous pouvons désormais examiner les composantes de gravure physique et chimique plus en

détail. Les catioQVHQWUDvQpVSDUOHSRWHQWLHOGDQVO¶ion sheath, bombardent la plaque avec une

JUDQGH GLUHFWLYLWp HW VRQW UHVSRQVDEOHV GH O¶DVSHFW SK\VLTXH GH OD JUDYXUH &HV FDWLRQV

SURYLHQQHQWHQJpQpUDOGHVJD]QREOHVPRQRDWRPLTXHVFRPPHO¶$U

+

, mais peuvent également

SURYHQLUG¶LRQLVDWLRQGHPROpFXOHVFRPPHOe CF

3⁺

. Le caractère chimique de la gravure est

quant à lui apporté par les radicaux libres neutres très réactifs. Par ailleurs il se produit

également un deuxième mécanisme de gravure chimique favorisée par le bombardement

G¶LRQV FH GHUQLHU DJLVVDQW FRPPe catalyseur des réactions de surface soit en élevant

localement la température, soit en nettoyant la surface des sous-produits de gravure qui

IUHLQHQWO¶DFWLRQFKLPLTXH2QREWLHQWDORUVjODIRLVO¶DQLVRWURSLHGX bombardement ionique et

la sélectivité de la gravure par les radicaux libres. Les 3 différents mécanismes de gravures

susmentionnés sont représentés sur la Figure III.7.

3RXUXQV\VWqPH&&3O¶pQHUJLHGHVLRQVHWODGHQVLWpGHSOasma sont étroitement liées, et

dépendent de la puissance RF. Pour obtenir une anisotropie suffisante, il faut favoriser la

JUDYXUH SK\VLTXH HW GRQF DXJPHQWHU OD GHQVLWp GH SODVPD HW O¶pQHUJLH GHs ions) via la

SXLVVDQFH5)DXULVTXHG¶HQJHQGUHUGHVGpJkWVGHVXUIDFH'HSOXVODSUHVVLRQjO¶LQWpULHXU

28

/HSODVPDpWDQWFRQGXFWHXULOHVWpTXLSRWHQWLHOHWDXFXQFKDPSpOHFWULTXHQ¶\UqJQH/HFKDPS5)

QHV¶DSSOLTXHTXHVXUXQHpSDLVVHXUGHSHDXRV¶HIIHFWXHDORUVWRXWOHWUDQVIHUWG¶pQHUJLH

Plasma *pQpUDWHXU5),&3 *pQpUDWHXU5)&&3 Gaz Refroidissement He Pompage eFKDQWLOORQ Clamping

-V

_DC

V

_plasma + + + + + + + ^Ions Radicaux libres neutres

Ion sheath / Dark zone :

Potentiel

0

G¶XQ UpDFWHXU &&3 GRLW rWUH PDLQWHQXH DX-GHOj G¶XQ PLQLPXP G¶HQYLURQ mTorr afin de

JDUDQWLUXQSODVPDVWDEOHFDUOHGHJUpG¶LRQLVDWLRQ est seulePHQWGHO¶RUGUHGH

-6

à 10

-4

. La

solution de couplage inductif (ICP) permet de pallier ces problèmes. Ce système consiste à

placer une bobine autour de la chambre WHO TX¶LO HVW GpFULW GDQV ODFigure III.6, qui est

également reliée à un générateur RF fonctionnant en général aux alentours de 2 MHz et

délivrant une puissance dite puissance ICP. La technique est ainsi appelée ICP-RIE et sera à

la base des gravures de recess de grille dans QRVWUDYDX[(QYHUWXGHO¶pTXDWLRQGH0D[ZHOO

-Faraday, le champ magnétique oscillant créé par le bobinage induit un champ électrique à

O¶LQWpULHXUGXSODVPDFRQWHQXGDQVOHSODQGHVVSLUHVTXLFRQIqUHDX[pOHFWURQVGXSODVPD

une vitesVHUDGLDOHHQVXVGHOHXUYLWHVVHYHUWLFDOH$YHFFHWWHVRXUFHG¶pQHUJLHDGGLWLRQQHOOH

on peut alors augmenter la densité GH SODVPD VDQV LQIOXHU VXU O¶pQHUJLH GHV LRQV HW O¶RQ

GLVSRVH GRQF G¶XQ GHJUp GH OLEHUWp VXSSOpPHQWDLUH 'H VXUFURvW OH GHJUp G¶LRQLsation peut

typiquement atteindre 5 à 10 ,OGHYLHQWGqVORUVSRVVLEOHG¶XWLOLVHUGHWUqVEDVVHVSUHVVLRQV

MXVTX¶j mTorr, tout en ayant un plasma dense et stable. Le libre parcours moyen est accru,

OHVFROOLVLRQVVRQWSOXVUDUHVHWO¶DQLVRWURSLHHVWGRQFDPpOLRUpH1RWRQVTX¶XQUpDFWHXU,&3

-5,(SHXWpJDOHPHQWrWUHXWLOLVpHQPRGHSXUHPHQW5,(RXSXUHPHQW,&3/¶,&3-RIE fait partie

de la famille des techniques RIE à haute densité de plasma qui comprend également O¶HOHFWURQ

cyclotron resonnance RIE par microondes (ECR-RIE) et le magnetically-enhanced RIE

(MERIE). En abaissant davantage la pression vers 0,1 mTorr, on entre dans la classe des

techniques G¶ion beam etching ,%(GRQWIDLWSDUWLHO¶XVLQDJHjO¶DUJRQ

Les gravures plasma peuvent engendrer des défauts dans le profil de gravure, dont on peut

voir un aperçu en Figure III.7. Parmi les principaux défauts géométriques, citons ᬅ le

trenching G€ j OD UpIOH[LRQ G¶ions en incidence rasante à la paroi de la résine, et ᬆ

O¶undercuttingTXLSURYLHQWVRLWG¶XQHJUDYXUHFKLPLTXHLVRWURSHVRLWGHODUpIOH[LRQG¶LRQVTXL

frappent la surface avec un angle non nul. Notons également le redépôt ou la formation de

sous-produits de gravure sur les parois qui peut se produire lorsque les conditions de pression

et de température ne permettent pas leurs désorptions.

Figure III.7 ± Gravure RIE : mécanismes de gravure et défauts dans le profil de gravure.

Plusieurs réacteurs de RIE sont utilisés au III-V Lab :

x Un réacteur de (CCP)-RIE Nextral NE 100 : utilisé dans nos process pour toutes les

ouvertures de passivation avant interconnexion, et pour les nettoyages de résidus de

x Un réacteur ICP-RIE Sentech SI-500, avec précurseurs à base de fluor : utilisé dans

nos travaux pour la gravure de la passivation SiN / masque de gravure du recess de

grille, et de manière plus générale pour les nettoyages de fond de résine au plasma à

base de N

2

.

x Un réacteur ICP-RIE Oxford PlasmaLab 100, avec précurseurs à base de chlore :

utilisé dans nos travaux pour toutes les gravures du semiconducteur : recess de grille

et recess de contact ohmique le cas échéant.

En aparté, la Figure III.8 UHQGFRPSWHGHO¶HIILFDFLWpG¶XQSODVPDGHQHWWR\DJHjEDVHGH1

2

que nous expérimenté dans nos travaux. Le bâti ICP-RIE est utilisé en mode purement ICP,

FHTXLSHUPHWG¶DYRLUXQSODVPDGHQVHWRXWHQPLQLPLVDQWO¶pQHUJLHGHVLRQVHWGRQFOHVGpJkWV

potentiel portés à la surface. Ce plasma est particulièrement efficace pour enlever des résidus

de résine ou une oxydation surfacique et ainsi recouvrer la surface épitaxiale initiale.

Figure III.8 ± Images AFM de la surface de la structure I avant et après plasma N2 de nettoyage.

III.2.3.2. Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma

Le principe du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est le même que

celui sous-jacent à la RIE. Les réactions de déposition seront en revanche privilégiées en

utilisant les précurseurs gazeux appropriés, et en opérant à des conditions de pression et

température favorables aux réactions de surface. Le montage est également inversé :

O¶pOHFWURGH LQIpULHXUH VXU ODTXHOOH HVW SRVpH OH ZDIHU HVW UHOLpH j OD PDVVH HW O¶pOHFWURGH

supérieurHDXJpQpUDWHXU5),OQ¶\DGRQFSOXVGHdark space en face de la plaque, pas de

bombardement ionique et donc pas de gravure physique ni de gravure chimique assistée par

les ions.

'HPrPHTXHSRXUOD5,(OHV\VWqPH,&3SHUPHWO¶REWHQWLRQGHGHQVLWpVDFFUues de plasma

et donc de couches minces plus denses. La technique est alors appelée ICP-CVD. Nous

utilisons au III-V Lab un réacteur ICP-CVD Alcatel 601D pour nos dépôts de passivation SiN /

masque de recessGHJULOOH3RXUOHVpFKDQWLOORQVGHWHVWHWG¶RStimisation de process nous

avons eu accès à un réacteur PECVD Nextral ND 200 permettant le dépôt de SiN ou de SiO

2

.

Avant plasma N2 $SUqVSODVPD12

0 0,5 1 0,5 1 —P 0 5,0 nm 2,5 nm 0,0 nm 0 0,5 1 0,5 1 —P 0 3,0 nm 1,5 nm 0,0 nm

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