Afin d’analyser la corrélation entre comportement optique et comportement électrique de dispositifs CPV, nous choisissons de tester trois technologies. Les dispositifs à concentration utilisés ont en commun une optique primaire de type Fresnel et une cellule triple-jonction lattice-matched de type GaInP/GaAs/Ge. Cependant, ils diffèrent par la taille de cellule, la concentration géométrique et le type d’optique secondaire utilisé. Deux des dispositifs correspondent à des modules testés en extérieur dans le chapitre 2 : le dispositif n°1 "lentille SoG , pas d’optique secondaire" (SoG sans SOE), équivalent au module B du chapitre 2 et le
dispositif n°2 "lentille en PMMA et optique secondaire de type pyramide réfractive inversé" (PMMA + RTP), équivalent au module D. Bien que les éléments unitaires fournis (lentille et cellule) possèdent les mêmes caractéristiques en matière de taille que ceux des modules B et D testés dans le chapitre 2, nous ne pouvons attester que les caractéristiques optiques et électriques soient équivalents (période de fabrication différente, évolution des produits), les fabricants ayant tenu à conserver ces informations pour des raisons de confidentialité.
Le dispositif n°3 est en revanche moins conventionnel et n’a pas fait l’objet d’intégration dans des modules commerciaux à ce jour. Il s’agit d’un concentrateur à deux étages optiques de type Fresnel-Köhler que l’on abrègera par PMMA+FK. Un schéma des trois dispositifs est présenté en figure 4.1. A noter que ce schéma n’est pas à l’échelle et que pour les dispositifs testés, la taille des lentilles et la distance focale varient de manière importante. Nous définis-sons ici la distance focale comme la distance lentille-cellule déterminée expérimentalement, correspondante à un optimum de fonctionnement autour d’une température de lentille égale à 25°C.
Figure 4.1: Représentations des trois architectures optiques testées.
Le dispositif n°1: "SoG sans SOE"
Le dispositif n°1 utilise une lentille primaire de forme quadratique, de 5,7 cm de côté, concentrant la lumière 500 fois sur une cellule de 7 mm² de forme circulaire. La métallisation de la cellule a été optimisée pour un profil gaussien de la tâche lumineuse. En effet, les doigts de métallisation centraux sont plus rapprochés que ceux situés sur les côtés de la cellule, de sorte à limiter les pertes par résistance série dues à une densité de courant plus importante de courant au centre de la cellule. La distance lentille-cellule nominale est de 95 mm.
Le dispositif n°2: "PMMA + RTP"
Le dispositif n°2 utilise une lentille de Fresnel en PMMA de 20 cm de côté. L’optique secondaire de type RTP est en verre et permet d’atteindre une concentration géométrique
totale de 820 fois sur une cellule carrée de 7 mm de côté. La pyramide inversée redirige la lumière en utilisant le principe de la réflexion totale interne (TIR), dont le rendement est proche de 1. Ainsi la lumière rebondit sur les parois de la pyramide, même lorsque celui-ci est aligné. Ce phénomène permet théoriquement d’homogénéiser le flux [110, 111] sur la cellule. La pyramide est couplée mécaniquement et optiquement à la cellule en utilisant du silicone, d’indice de réfraction similaire au verre utilisé afin de limiter les pertes optiques aux interfaces. La focale nominale correspond à une distance lentille-cellule de 149 mm.
Le dispositif n°3: "PMMA + FK4"
Le dernier dispositif n°3 est un concentrateur de type Fresnel-Köhler, développé par la société LPI et présenté dans plusieurs articles [101, 112]. Il a été conçu selon les principes de l’optique non-imageante [52], qui visent à maximiser la transmission de lumière depuis la source jusqu’au récepteur en s’affranchissant des contraintes imageantes de l’optique géométrique. La figure 4.2 illustre le principe de fonctionnement de l’optique Fresnel-Köhler utilisée: l’optique primaire en PMMA divise la lumière en 4 faisceaux, dits de "Köhler", qui sont concentrés sur une optique secondaire à quatre lobes, chacun focalisant à son tour un faisceau lumineux sur la cellule. L’optique secondaire est fixée à la cellule avec du silicone, de manière analogue au dispositif n°2. Des études précédentes ont montré que ce type d’architecture optique permet d’obtenir des caractéristiques appropriées aux dispositifs CPV: rendement optique élevé, bonne tolérance au désalignement, et très haut niveau d’uniformité du flux sur la cellule [113]. Pour notre étude, la lentille primaire est de forme quadratique, de 16 cm de côté, et la cellule est également carrée avec une aire totale de 30,25 mm² (5,5 mm de côté). Pour ce dispositif, la cellule est placée à une distance de 261 mm de la lentille.
Figure 4.2: Principe de fonctionnement du dispositif Fresnel-Köhler. Le dispositif entier est représenté (gauche), ainsi qu’un zoom sur l’optique secondaire (droite) [101].
Pour l’étude proposée, plusieurs diffuseurs correspondant aux récepteurs des différentes technologies sont utilisés. Pour les technologies n°2 et n°3, nous disposons d’une optique secondaire que nous couplons au diffuseur avec du silicone équivalent à celui utilisé dans les dispositifs présentés. Le résultat est visible sur la figure 4.3, où des photographies de chaque diffuseur sont présentées.
Figure 4.3: Photographie des diffuseurs utilisés dans le cadre de l’étude. De droite à gauche: diffuseur sans SOE, diffuseur avec pyramide réfractive inversée, et diffuseur avec optique secondaire de Fresnel-Köhler.
Détermination du facteur de correction électrique
Comme nous l’avons vu dans le chapitre 3, la détermination des distributions de courant sur la cellule par imagerie nécessite de corréler les mesures électriques aux mesures optiques. Pour le calcul du facteur de correction Correlec,i´ , chaque dispositif est caractérisé électriquement et optiquement via le banc de mesure METHOD. Afin de limiter les incertitudes liées à la détermination du facteur Correlec,i´ , nous choisissons de déterminer le facteur de correction pour différents moments du flash. Les images sont alors prises à trois délais différents correspondant à des irradiances de 400, 600 et 800 W/m², et des valeurs respectives de SMRtopmid de 1,0 puis de 1,1 et de 1,2. Des valeurs d’irradiance inférieures sont jugées trop faibles pour l’acquisition d’un signal par la caméra (notamment dans les faibles longueurs d’onde). Pour chaque série de douze images, nous calculons le courant Isc,i,imageriedélivré par chaque sous-cellule selon le procédé défini au chapitre 3, et nous le comparons au courant Isc,i, ´elecdéterminé pour les mêmes conditions d’irradiance par le diagramme des sous-cellules. Les efficacités quantiques externes des différentes cellules ont été préalablement mesurées pour permettre le calcul du courant par imagerie. Le rapport Isc,i,imagerie/Isc,i, ´elec pour les différentes mesures, équivalent du facteur de correction électrique, est présenté sur la figure 4.4.
Les résultats montrent tout d’abord que l’erreur varie en fonction du dispositif étudié: alors que pour les dispositifs n°s1 et 2, la moyenne des valeurs par imagerie est de respective-ment de 8,4% et 4,8% inférieur à la mesure électrique, pour le dispositif n°3, on observe une tendance inverse avec un courant calculé de 10% supérieur à la mesure. Comme nous l’avons
Figure 4.4: Valeurs du rapport Isc,imagerie/Isc, ´elec pour les sous-cellules top et middle, à différents SMRtopmid, pour les trois dispositifs testés.
évoqué précédemment, les raisons de ces variations peuvent être diverses: une distribution angulaire sur le diffuseur propre à chaque dispositif, ou encore des variations de transmission entre les diffuseurs dues au procédé de fabrication (dépôt plus ou moins important d’opale). Il est difficile de décorréler ces phénomènes et nous nous contentons dans ce travail d’utiliser les facteurs de corrections pour palier à ces sources d’erreurs.
Le facteur de correction est propre à chaque jonction et chaque dispositif. Comme nous avons travaillé à trois moments du flash, nous obtenons trois valeurs représentées par des barres de couleur rouge dans le cas de la jonction middle, et des barres de couleur bleue pour la jonction top. Pour les trois dispositifs, chaque lot de trois valeurs présente une faible dispersion. Ceci atteste de la précision du procédé de mesure, malgré un manque de justesse. Pour corriger ce manque de justesse, nous prendrons comme valeur de Correlec,i´ , la moyenne des trois rapports Isc,i,imagerie/Isc,i, ´elec correspondants. Les valeurs obtenues pour la jonction topsont de 0,929 pour le dispositif n°1, de 0,957 pour le dispositif n°2 et de 1,104 pour le dispositif n°3. Pour la jonction middle, elles sont de 0,911 pour le dispositif n°1, de 0,956 pour le dispositif n°2 et de 1,097 pour le dispositif n°3.