Chapitre II Techniques et dispositifs expérimentaux
V. Logiciel de simulation SRIM
Pour compléter les résultats expérimentaux, des simulations d’implantations ont été effectuées grâce au logiciel SRIM (Stopping Range of Ions in Matter). Ce logiciel libre a été développé par Ziegler
et al. en 1985 [18] puis plusieurs fois mis à jours depuis. Ce logiciel est basé sur la méthode Monte
Carlo pour simuler la pénétration d’un ion de nature et d’énergie données dans une cible choisie. Une approche de type Binary Collision Approximation est utilisée pour assimiler la trajectoire de l’ion incident à une succession de collisions binaires ion-atome.
V. Logiciel de simulation SRIM
Le matériau cible est décrit par sa stœchiométrie, sa densité et trois énergies caractéristiques : • L’énergie de déplacement nécessaire pour déplacer un atome au-delà de la distance
interatomique ;
• L’énergie de liaison de surface nécessaire pour arracher un atome de la surface :
• L’énergie de liaison matricielle que perd un atome cible lorsqu’il quitte son emplacement dans le réseau.
La stœchiométrie et la densité sont entrées manuellement dans le logiciel alors que les énergies sont données par SRIM. Le logiciel ne prend pas en compte l’orientation cristalline du matériau ni les réactions chimiques qui pourraient survenir. Il ne prend donc pas en compte les effets de canalisation pouvant survenir. Il est aussi bon de noter que l’endommagement du matériau est ignoré pendant les simulations : chaque ion est envoyé sur une surface vierge.
Le mode de calcul utilisé durant cette thèse est le mode Detailed Calculation with Full Damage
Cascades. Il permet de calculer les profils d’implantation ainsi que les trajectoires des ions incidents
et des atomes déplacés lors de chocs ion-atome. La Figure 43 présente les résultats d’une simulation d’implantation d’argon à 400eV dans un AlGaN 20%. Le graphique de gauche présente les trajectoires des 10000 ions implantés ainsi que les collisions en cascade qu’ils ont créées. Le graphique du centre présente le profil d’implantation de l’argon et le graphique de droite présente le profil des atomes de l’AlGaN qui ont été déplacé de leurs sites d’origines durant l’implantation.
Figure 43 : Simulation d'implantation d'Ar à 400eV dans un AlGaN 20%. A gauche, les trajectoires des ions implantés et des atomes déplacés. Au milieu, le profil d'implantation de
l'argon. A droite, le profil des atomes déplacés de leurs sites d'origine.
Les matériaux simulés durant cette thèse sont du GaN de densité 6,11 g.cm-3 ou de l’AlGaN 20% de densité 6g.cm-3, implantés avec 10000 ions He, H, F, C, Ar ou encore O ayant des énergies allant de 15 à 400eV. Ces simulations ont permis d’évaluer les profils d’implantation, les épaisseurs maximales implantées par les ions ainsi que le nombre d’atomes déplacés de leurs sites d’origine. A cause de la non prise en compte de la cristallinité et des effets de canalisation, les profondeurs implantées simulées peuvent être largement sous-estimées par rapport à la réalité. Les tendances observées resteront néanmoins valables.
Chapitre II - Techniques et dispositifs expérimentaux
VI. Bibliographie
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VI. Bibliographie
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Heavy-Ion Science: Volume 6: Astrophysics, Chemistry, and Condensed Matter, D. A. Bromley, Ed.
Chapitre III - Étude des mécanismes de
dégradation de l’AlGaN lors de l’ouverture de
la passivation en nitrure de silicium
Lors de la réalisation d’un dispositif de puissance, diode ou MOS-HEMT, deux étapes de gravure interviennent : la gravure de la passivation SiN par un plasma fluorocarboné puis la gravure de l’hétérostructure AlGaN/GaN par un plasma chloré. L’état de l’art effectué dans le chapitre I a permis de mettre en évidence que les sources de dégradations électriques par les étapes de gravure sont nombreuses et qu’il est nécessaire de les étudier pour comprendre leurs mécanismes de formation afin de pouvoir les éviter. Dans ce chapitre, nous allons nous intéresser à l’étape de gravure de la passivation SiN au-dessus de l’hétérostructure et aux dégradations électriques que le plasma fluorocarbonné induit. Cette étude servira de véhicule test. Les mécanismes qui seront mis en valeur seront transférables aux gravures du GaN par plasma chloré. Cette étude servira de base pour les chapitres suivant afin de développer de nouveaux procédés pour l’étape de gravure AlGaN/GaN.
L’étude des mécanismes de dégradation au travers du prisme de la gravure de la passivation SiN présente quatre intérêts :
• Le retrait de la couche de SiN permet de libérer l’hétérostrucuture AlGaN/AlN/GaN. Des mesures de résistances du 2DEG peuvent alors directement être réalisées afin d’évaluer les dégradations électriques induites pas le plasma, sans perturbation due à la présence d’autres couches.
• La chimie fluorocarbonée utilisée pour la gravure plasma du SiN permet d’avoir une certaine sélectivité avec la couche d’AlGaN. Typiquement, une chimie à base de CF4 avec des paramètres plasma comparables à ceux utilisés au cours de notre étude présente une sélectivité de 1:37 entre l’AlGaN et le SiN. Le SiN se grave donc 37 fois plus vite que l’AlGaN. L’application de sur-gravure permet donc d’être sûr du retrait complet du SiN sans que la gravure ne soit accompagnée de l’amincissement de l’AlGaN.
• La gravure du SiN est une gravure étudiée et maîtrisée en microélectronique. Il existe plusieurs techniques de gravure, humide ou sèche, qui peuvent être comparées afin de mieux comprendre l’impact des différentes contributions présentes dans le plasma. • D’un point de vue de l’architecture, la gravure du SiN avec arrêt sur l’AlGaN est
intéressante à étudier car, lors de la réalisation des contacts d’un MOS-HEMT, les flancs de gravure ne sont pas parfaitement droits. Ils présentent donc une pente révélant un AlGaN ayant subi les gravures SiN puis GaN. Cet AlGaN résiduel présente les dégradations emmagasinées lors de ces gravures successives, dégradant les caractéristiques du 2DEG contacté (Cf. Figure 44). De plus, certains empilements de transistors ne présentent pas de gravure AlGaN/GaN pour la réalisation des contacts et de la grille. La maîtrise de la gravure SiN et des défauts qu’elle induit y est donc primordiale.
Figure 44 : Image MEB d'un contact après gravure SiN et AlGaN/GaN présentant une forte pente dans l'AlGaN.
Ce chapitre débute par une étude de la recette standard de la gravure SiN. Après une évaluation de cette recette, nous étudions l’influence de chacun des gaz qui la compose. L’effet néfaste de l’hélium est ainsi souligné. Ensuite l’étude des paramètres plasma continue en s’intéressant à l’influence de l’énergie du bombardement des ions et à l’influence de la sur-gravure appliquée. L’impact du masque utilisé est lui aussi étudié dans cette partie. Durant ces études, des caractérisations physiques et chimiques sont réalisées afin de comprendre les mécanismes des dégradations mises en œuvre. Ces études permettent d’observer des dégradations physiques et chimiques qui jouent un rôle dans les dégradations électriques. Le bombardement ionique énergétique et l’implantation profonde d’éléments seront notamment soulignés comme facteurs dégradants. Une étude complémentaire sur la décomposition des composantes physique et chimique du plasma est mené. On y compare les dégradations électriques après retrait du SiN par gravure physique ou chimique. L’intérêt est d’avoir l’impact de ces deux méthodes prises séparément afin de mieux comprendre ce qu’il se passe quand elles sont toutes les deux présentes pendant la gravure plasma. On verra que la gravure physique implique une forte augmentation de la dégradation électrique. Finalement, grâce à l’ensemble de ces études, nous proposons un modèle synthétisant les observations des mécanismes de dégradation effectuées.
Il est à noter que pour nos études des mécanismes de dégradation durant la gravure SiN par plasma fluorocarboné, deux types d’empilements sont utilisés. L’étude des paramètres plasma et l’étude complémentaire utilise des plaques SiN 10nm/AlGaN 24nm 23%/AlN <1nm/GaN 1,8µm/buffer/Si (1-1-1), sans motif. L’étude sur l’influence du masque utilise des plaques AlGaN 24nm 23%/AlN <1nm/GaN 1,8µm/buffer/Si (1-1-1), sans motif. Ces empilements et ces matériaux épitaxiés sont identiques à ceux utilisés sur les lots préindustriels afin d’avoir les mêmes réponses vis-à-vis des gravures (Cf. Chapitre II -I.A). Les essais sont réalisés par quart de plaque afin d’optimiser leur nombre. Lors de la gravure, un quart de la plaque est exposé au plasma alors que les trois autres sont protégés par un cache. Lors de la gravure suivante, les caches sont déplacés pour recouvrir le quart venant d’être gravé et en découvrir un autre. Les caches utilisés sont soit en résine soit en SiN, selon les utilisations et sont précisés le temps venu. L’équipement de gravure utilisé est la Centura d’Applied Materials (Cf. Chapitre II -II.A).
Chapitre III - Étude des mécanismes de dégradation de l’AlGaN lors de l’ouverture de la passivation en nitrure de silicium