-Coefficient de temp6ratum QVZ en fonction de la tension de n!gulation VZT b. Tj Note figure 6 : Variation field corresponds to 90 % of the devices.
La plage de valeurs donnees forrespond,9 90 % des diodes.
5/8
BZX 48 C 2V7 --BZX 48 C 110
Coefficient of temperature "rZ of dyna-mic resistance rz as a fonction of regu-lation voltage VZT.
Coefficient de temperature
"r
Z de la resis-tance dynamique rz en fonction de la tension de regulationVZT-(m
rZDifferential resistance rz versus regulation voltage VZT at several currents IZ Resistance dynamique r Z en fonction de la tension de regulation VZT
a
differents cou-rants IZ Differential resistance rZ vs. current IZ for several regulation voltages VZTResistance difMrentielle r Zen fonction du courant I Z pour differentes tensions de regulation VZT FIGURES 9,10,11 : Test conditions: AC signal, amplitude iZ = 10 % of IZ, f = 1 kHz
Conditions de mesure: signal altematif, amplitude iZ= 10 % de IZ, f= 1 kHz 108
BZX 48C2V7-BZX 48 C 110 MAXIMUM RATINGS
VA LEURS LlM/TES
Maximum surge non repetitive reverse current IZ5M versus the half sine pulse duration tp.
Courant de surcharge inverse maximal non rep,Hitif I ZSM en fonction de la durrie de i'impul-sion sinusoidale
tp-FIGURE 13 TYPICAL VALUES VALEURS TYP/QUES
Typical increase AVZSM, of the regulation voltage during a reverse surge versus surge current IZ5M-The maxi mum pulse duration gi-ven in fig. 12 corresponds to each current I ZSM value.
Accroissement typique A VZSM de la tension de regulation au cours d'une surcharge inverse en fanctian du courant de surcharge IZSM
A chaque valeur du courant I ZSM correspond la duroe d'impulsion maximale donmie fig. 12.
The increase of voltage Ci VZSM represents the difference between the maximum value reached by the regulation volta-ge and its nominal value VZT during an inverse overload whose amplitude is IZSM. The increase AVZSM depends on the level and on the tp duration of the current. The characteristics of figure 13 correspond to the diode operation limits, they were obtained with current pulses whose duration is set by the curves of the figure 12. With shorter length pulses, the increase in voltage would be lower particularly for diodes whose voltage is greater than 10 volts.
L 'accroissement de tension Ll VZSM represente la difference entre la valeur maximale atteinte par la tension de regula-tion et sa valeur nominale VZT, au cours d'une surcharge inverse d'amplitude IZSM Cet accroissem8f'lt AVZSM depend du niveau de courant e't'-de la duree tp de ce courant. Les caracteristiques de la figure 13 correspondent aux limites d'uti-lisation des. diodes: elles ont ete obtenues avec des impulsions de courant dont la duree est fixee par les;courbes de la figure 12. Avec des impulsions de dunle plus courte, i'augmentation de la tension sera plus faible, particulierement pour les diodes dont la tension est suplirieure
a
10 volts.7/8
BZX 48C2V7- BZX 48C 110 regula-tion voltage versus nominal VZT·
Temps de montee tr et temps de descente
Capacitance C versus regulation voltage VZT for several reverse voltages VR·
Capacite C en fonction de la tension de regulation VZT pour differentes tensions inverses V R.
The reference circuit enables a step of amplitude current I ZM to be conducted for a few microse-conds by means of a generator whose rise time is less than 20 ns. The generator voltage is defined by:
VI ~ Vz
+
1 000 IZM The delay obtai ned is due to the Zener diode ca-pacitor. By replacingR ~ 1 000 Ohms by a lower value, lower values are obtained for times tr and tf andgreatervalues for the transient state peak currents.Le circuit de reference fig. 15 permet de faire pas' ser un echelon de courant d'amplitude I ZM pen·
dant quelques microsecondes
a
I'aide d'un genera-teur dont Ie temps de montee est inferieura
20 ns.La tension du generateur est definie par:
V1 ~ Vz
+
1000 'ZM Le retard obtenu est dua
la capacite de la diode Zener . En remplacant la resistance R ~ 1 000n
par une valeur plus faible on obtiendrait des valeur.;
plus faibles pour les temps tr et tf. et des valeur.;
plus IHevees pour les courants de crete en regime transitoire.
,. .. lHOMSON-CSF
DIVISION SEMICONDUCTEURS
BZX55COV8 BZX55C20OW
ZENER DIODES DIODES ZENER
500 mW hermetically sealed glass silicon Zener diodes offering the following advantages:
Ptot 500 mW
• Large voltage range: 0,8 V to 200 V
o.sV" VZTnom" 200 V
• Double slug type construction
• Pro Electron registration: 0,8 V to 110 V
• CCO/CECC for types: 2,7 V to 62 V (levels quality assessment : F and L)
Diodes Zener au silicium encapsulees verre, de
500 mW off rant les avantages suivants : Case : 00-35 IC8-102) Boitler
• Gamme de tension etendue : 0.8 V Ii 200 V
• Construction double piston
• Enregistrement Pro Electron: 0,8 V Ii 110 V
• CCQICECC pour types: 2.1 V Ii 62 V (ni-veaux d'assurance de qualite : F et L I
ABSOLUTE RATINGS ILiMITING VALUES)
Tamb = 25°C VALEURS LlM/TES ABSOLUES D'UTILISA T/ON
DC power dissipation lsee fig. 1)
Dissipation de puissance en regime permanent (voir fiy'- 1) Continuous reverse current
Courant inverse continu
Non repetitive peak reverse current (sinusoidal pulse 10 ms) Courant inverse de pointe non repetftif (impulsion sinusoldale 10 ms)
Operating temperature Temperature de fonctionnement Storage temperature TempefBture de stocksge Maximum junction temp,erature Temperature maxima/e de jonction
Maximum lead temperature for soldering during lOs at 4 mm from case
d = 4mm
max
Temperature maximum de soudure des connexions pendant 10
sa
4 mm du boitierJunction-ambient thermal resistance Resistance rhe'lY'ique jonction-ambiante
50, rue Jean-PIerre Timbaud, B.P. 5 F . 92403 Courbevoie Cedex FRANCE
azx
&6 Cova -
BZX 55 C 200wELECTRICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIOUES ELECTRIOUES VZT/Izy" rzr/lZT- IZTo rzKIIZK
T_
The regulation voltages are defined according to the E 24 series Les tensions de regulation sont definies selon /a serie E 24 Smaller voltage tolerances are available on request Des tolerances plus 'sibles peuvent mre obtenues sur demande
Tamb 25°C d=4mm
... Devices under CCO/CECC Dispositifs soumis au CCQ/CECC
IZM IZSM terminal of the current source.
La diode BZX 55 C OVB est utilisee dans Ie sens direct, La connexion reperee par un annesu est /I brancher sur Ie pOle negatif de Is source de courant.
Forward voltage drop Chute de tension directe
2/8
112
azx
&6 Cova - azx
&6 C 20C1WFIGURE 1 Maximum power dissipation Dissipstion de puissance maximBle
Ptot(mWI
500
\
1\ , t-
mm400 300 200
\
100
o 1\
-65 0 50 100 150 Tamb(OCI
Infinite heat sinks Refroidisseurs infinis
CASE DESCRIPTION DESCRIPTION DU SOITIER
12,7 min. 3,05 - .12,7
-'!'i!'l- ]
0'.,53r····~: .. $
t~
00,458,0,558 0,558
00-3& ICB-1Ol1
Marking: clear, ring at cathode end Marquage en clair, anneau cotl§ cathode
3/8
BZX 56 C OV8- BZX 55 C 200w
4/8
TYPICAL CHARACTERISTICS