Evaluation de la qualit´ ´ e du mat´ eriau obtenu

Pour ´evaluer la qualit´e photovolta¨ıque du mat´eriau de silicium obtenu apr`es purifi-cation par plasma, environ 50 kg de silicium ont ´et´e produit. Ce mat´eriau a ensuite ´et´e fondu en deux lingots de 12 kg chacun afin d’ˆetre d´ecoup´e en plaquettes pour effectuer des mesures de r´esistivit´e et de dur´ee de vie, et servir `a la fabrication de cellules solaires standards. Le travail de cristallisation et de d´ecoupage des lingots en plaquettes est effec-tu´e par la soci´et´e norv´egienne SINTEF. La fabrication des cellules est quant `a elle l’œuvre du Fraunhofer ISE en Allemagne.

Cristallisation et caract´erisation des lingots

Les lingots ont ´et´e cristallis´es en utilisant les proc´ed´es traditionnels de solidification di-rectionnelle. Les deux lingots de silicium multi cristallins obtenus pr´esentaient une grande r´epartition colonnaire des grains ainsi qu’une densit´e de dislocation inf´erieure `a 104 cm<sup>−</sup>2. Des petits blocs carr´es ont ensuite ´et´e d´ecoup´es pour une premi`ere caract´erisation. Celle-ci consiste `a ´etablir une carte de r´esistivit´e du sommet jusqu’`a la base du lingot `a l’aide d’une sonde. Les r´esultats obtenus montrent que la r´esistivit´e des lingots augmente de bas en haut pour atteindre 0.5 Ω.cm`a 15 mm du sommet, puis chuter ensuite. Cette augmen-tation est tout `a fait surprenante : au cours de la solidification, le front de solidification se d´eplace de bas en haut ; les impuret´es ayant un coefficient de s´egr´egation tr`es faible tels que les impuret´es m´etalliques sont entraˆın´ees vers la partie sup´erieure du lingot. La pr´esence de ces impuret´es augmente ainsi la conductivit´e ´electrique du mat´eriau et par cons´equent fait chuter sa r´esistivit´e.

Les plaquettes obtenus `a l’aide de ce mat´eriau pr´esentent des taux d’impuret´es plus ´ ele-v´es et des r´esistivit´es faibles par rapport aux plaquettes en silicium cristallin standard qui ont g´en´eralement une r´esistivit´e largement sup´erieure `a 0.5 Ω.cm. Cela explique la chute de r´esistivit´e tout en haut du lingot mais pas l’augmentation observ´ee entre la base et 80 % de la hauteur (figure 5.8). Ce comportement s’explique par des effets de compensation `

a l’int´erieur du mat´eriau. En effet, au cours de la solidification le bore ne s´egr´ege prati-quement pas (coefficient de s´egr´egation : 0.8). La concentration de bore reste constante dans le lingot, en revanche le phosphore s´egr´ege faiblement (coefficient de s´egr´egation : 0.3). La concentration de phosphore va donc progressivement augmenter jusqu’`a ´egaler puis d´epasser celle de bore. Ce ph´enom`ene a deux cons´equences : lorsque la concentration des dopants (donneurs et accepteurs) est ´equivalente, des recombinaisons s’effectuent et le nombre de porteurs de charges diminue. Ce qui se traduit par une augmentation de la r´esistivit´e. Par contre quand la concentration des accepteurs est plus importante, les porteurs de charges sont moins mobiles.

Mat´eriau UMG 95

Résistivités aprés solidification directionnelle

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 hauteur (%) O h m .c m ARTIST lingot 2 - 35 mm lingot 1 - 75 mm lingot 2 - 75 mm lingot 1 - 35 mm

Fig. 5.8: Evolution de la r´^´ esistivit´e de la base jusqu’au sommet des lingots.

Fig. 5.9: A gauche une coupe du mat´eriau obtenu apr`es traitement par plasma,

on observe la distribution colonnaire des grains. A droite une cartographie d’une

plaquette du mat´eriau obtenu par LBIC. Les zones blanches correspondent `a des

La concentration de carbone et d’oxyg`ene est encore un `a deux ordres de grandeurs sup´erieures `a la limite souhait´ee et risque de d´egrader les performances photovolta¨ıques du mat´eriau. L’analyse des plaquettes par LBIC montre que la longueur de diffusion est relativement faible (entre 20 et 30 µ.m) comme le montre par ailleurs la cartographie des photocourants. Toutefois il n’y a pas de contraste important entre les grains et les contours de chaque grains sont nettement visibles. La faible longueur de diffusion peut ˆ

etre due aussi bien `a la concentration ´elev´ee des dopants qu’au taux important d’oxyg`ene et de carbone r´esiduel. D’autres analyses de caract´erisation donnent une dur´ee de vie des porteurs minoritaires comprise entre 0.3 et 1 µ.s.

Tests sur les cellules

Une quantit´e repr´esentative de plaquette a ´et´e s´electionn´ee pour fabriquer des cel-lules afin d’avoir une id´ee sur les performances photovolta¨ıques du mat´eriau. Les r´esultats obtenus montrent que par rapport aux cellules standard en silicium multi cristallin, la plus grande diff´erence r´eside dans le courant de court-circuit I_cc. Cela s’explique par la concentration importante des impuret´es r´esiduelles. Celle-ci entraˆıne des effets de recom-binaison qui alt`erent la dur´ee de vie des porteurs minoritaires. La faible r´esistivit´e donne des tensions de circuit ouvert ´elev´ees comparables `a celles des cellules solaires standard. Le facteur de forme est quant `a lui ´egalement comparable `a celui des cellules standards. Par contre le rendement est faible du fait du courant de court circuit faible. La distribution du rendement en fonction de la position dans le lingot est indiqu´ee dans la figure 5.10. Les rendements sont faibles au sommet des lingots, car dans cette partie que la concentration en impuret´es est plus importante.

V_co(mV) I_cc(mA/cm2) FF η(%)

Lingot 1 610.6 23.13 0.768 11.3

Lingot 2 612 25.10 0.763 11.7

Mat´eriau UMG 97 Efficiency 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0% 20% 40% 60% 80% 100% % height of ingot µ [ % ] µ [ % ] µ [ % ] µ [ % ] Ingot 1 Ingot 2

Fig. 5.10: R´epartition du rendement en fonction de la position dans le lingot. La d´egradation des rendements est tr`es brutale au sommet du fait des effets de

5.1.4 Conclusion

Les r´esultats obtenus par la purification du silicium UMG sont tr`es prometteurs au vue de la r´eduction du temps de purification par rapport `a celui du mat´eriau utilis´e dans le projet ARTIST. Des cellules solaires en silicium multi cristallin d’un rendement de 11.7 % ont ´et´e r´ealis´ees. Actuellement la capacit´e maximale de travail `a l’´echelle du laboratoire a ´et´e atteinte. Une installation pilote est actuellement en ´etude pour d’autres d´eveloppements et une transposition `a l’´echelle industrielle.