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Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

... de puissance moyen (MPA) de type SSPA et l’utilisation d’un ATOP pour l’amplification finale ...l’amplification hyperfréquence par SSPA, on note l’existence d’autres technologies parallèlement au HEMT ...

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Pépite | Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

Pépite | Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

... Le GaN massif ne peut être obtenu par des procédés de croissance courants (Czochralzki, Bridgman et Stockbarger) et requiert des conditions particulières du fait notamment de la température de fusion du GaN ...

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Pépite | Caractérisation et modélisation des composants semi-conducteur à grand gap (SiC/GaN) : application aux convertisseurs HF

Pépite | Caractérisation et modélisation des composants semi-conducteur à grand gap (SiC/GaN) : application aux convertisseurs HF

... de puissance, qui vont jouer un rˆole tr`es important dans le d´eveloppement des futurs syst`emes de conversion ...la conception des ...des dispositifs de mesure des courants des commutations des ...

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Pépite | Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence

Pépite | Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence

... Les mesures du coefficient de transmission conduites sur cet échantillon (figure 3.9) mettent en évidence des pertes importantes allant jusque -10 dB/mm à 40 GHz, ce qui est loin d’être acceptable pour la ...

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Pépite | Caractérisation et modélisation de composants GaN pour la conception de convertisseurs statiques haute fréquence

Pépite | Caractérisation et modélisation de composants GaN pour la conception de convertisseurs statiques haute fréquence

... de puissance des convertisseurs statiques répond à un besoin de miniaturisation de plus en plus répandu, en particulier pour les applications embarquées dans lesquelles la puissance requise est en constante ...

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Modélisation et Management Thermique des modules de puissance RF et fiabilité des circuits électroniques par la méthode TLM

Modélisation et Management Thermique des modules de puissance RF et fiabilité des circuits électroniques par la méthode TLM

... de puissance fonctionnant au-delà du gigahertz étaient principalement basés sur une technologie de semi-conducteurs III-V petit gap, comme l’arséniure de gallium ...de puissance (1,6 W/mm à une fréquence de ...

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Pépite | Conception et caractérisation des dispositifs micro-ondes pour la fabrication de circuits à base de graphène

Pépite | Conception et caractérisation des dispositifs micro-ondes pour la fabrication de circuits à base de graphène

... leur caractérisation en régime statique ainsi qu’en régime ...trois dispositifs : open, short et ...de modélisation avec les mesures expérimentales permettra de démontrer la validité du modèle ...

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Modélisation et Conception d'un Modulateur Auto-Oscillant Adapté à l'Emulation d'Organes de Puissance

Modélisation et Conception d'un Modulateur Auto-Oscillant Adapté à l'Emulation d'Organes de Puissance

... de puissance (principalement de type semi-conducteur) tendent ` a faire disparaˆıtre ces anciennes g´en´erations de r´egulateurs pour lesquelles la fr´equence de commutation de l’´etage de puissance est mal ...

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Croissance et caractérisation de nanofils de GaN et d'hétérostructures filaires de GaN/AIN

Croissance et caractérisation de nanofils de GaN et d'hétérostructures filaires de GaN/AIN

... de caractérisation utilisées au cours de ce travail de ...de caractérisation optique que sont la photoluminescence (à la fois à l’échelle macroscopique et à l’échelle microscopique) ainsi que la ...

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Elaboration et caractérisation de matériaux non linéaires pour la conception de dispositifs laser émettant dans l'ultraviolet

Elaboration et caractérisation de matériaux non linéaires pour la conception de dispositifs laser émettant dans l'ultraviolet

... 95 On remarque d’après le tableau que les propriétés non linéaires des deux matériaux sont a priori assez similaires. Malgré tout, la puissance UV obtenue grâce au cristal de LBO est bien plus importante que ...

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Conception et caractérisation de circuits intégrés en technologie BiCMOS SiGe pour application de télécommunication en bande X

Conception et caractérisation de circuits intégrés en technologie BiCMOS SiGe pour application de télécommunication en bande X

... de circuits intégrés monolithiques (MMIC) faibles bruit dans la bande de 10 ...les circuits RF ...de caractérisation qui a été réalisé afin de valider le comportement des modèles que nous allons ...

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Pépite | Caractérisation et modélisation des matériaux magnétiques pour les dispositifs de conversion électromagnétique de l'énergie

Pépite | Caractérisation et modélisation des matériaux magnétiques pour les dispositifs de conversion électromagnétique de l'énergie

... Exploitation des modèles Dans la démarche de développement des modèles de matériaux, il est primordial de valider les travaux sur des cas représentatifs de la réalité de fonctionnement des dispositifs élec- ...

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Pépite | Caractérisations de composants et Conceptions de circuits à base d’une filière émergente AlN/GaN pour applications de puissance en gamme d’ondes millimétriques

Pépite | Caractérisations de composants et Conceptions de circuits à base d’une filière émergente AlN/GaN pour applications de puissance en gamme d’ondes millimétriques

... Les mesures LoadPull en mode CW ont été menées jusqu’à une tension de drain de 20 V (voir Fig.3.10). Dans cette configuration, le transistor subi de façon continu l’excitation DC et RF. A V DS = 20 V, un courant de ...

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Mesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquence

Mesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquence

... (24) où désigne la vitesse de propagation du flux de chaleur. B.Vermeersch et al. [37] comparent l’équation de Fourier à celle de Cattaneo et Vernotte en calculant de manière analytique l’impédance thermique d’un ...

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Substrats innovants pour des composants de puissance à base de GaN

Substrats innovants pour des composants de puissance à base de GaN

... Un grand merci également à tous ceux qui ont contribué à ces travaux de thèse et sans qui je n’aurais rien pu faire. Merci à William Van Den Daele et Stéphane Bécu pour les caractérisations électriques et à Denis ...

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Découverte automatique de circuits en électronique de puissance

Découverte automatique de circuits en électronique de puissance

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Conception et caractérisation de dispositifs permettant l'étude du transport dépendant du spin dans le silicium

Conception et caractérisation de dispositifs permettant l'étude du transport dépendant du spin dans le silicium

... Il existe différentes méthodes pour contrôler l’aimantation relative d’un couple d’électrodes magnétiques : – Contrôle par champ magnétique extérieur : en appliquant un champ magnétique [r] ...

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Pépite | Contribution à la caractérisation à l'échelle nanométrique et en hyperfréquence de nanocomposants

Pépite | Contribution à la caractérisation à l'échelle nanométrique et en hyperfréquence de nanocomposants

... In this thesis, vertically aligned nitrogen-doped carbon nanotube VA-NCNT electrodes, gold electrodes modified with cobalt hydroxide embedded carbon nanofibers CNFs/CoOH2 through electro[r] ...

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Conception, modélisation et caractérisation de détecteurs microbolométriques pour l’imagerie sub-terahertz

Conception, modélisation et caractérisation de détecteurs microbolométriques pour l’imagerie sub-terahertz

... des dispositifs radars comme le Pro-Vision de L-3 [53] qui consiste en une barrette linéaire de transcepteurs montés sur une plateforme qui permet un balayage cylindrique autour de ...d’autres dispositifs ...

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Croissance et caractérisation de nanofils/microfils de GaN

Croissance et caractérisation de nanofils/microfils de GaN

... II.2.2. Approche "bottom-up" Au cours des 20 dernières années, deux techniques de croissance ont été largement utilisées pour élaborer des NFs: l'EJM et l'EPVOM. Pour ces deux techniques de croissance les ...

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