• Aucun résultat trouvé

Formalisme rationnel le la méthode de détermination des contraintes résiduelles par diffraction des rayons X: application aux couches minces et multicouches

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Partager "Formalisme rationnel le la méthode de détermination des contraintes résiduelles par diffraction des rayons X: application aux couches minces et multicouches"

Copied!
7
0
0

Texte intégral

(1)

HAL Id: jpa-00248991

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00248991

Submitted on 1 Jan 1993

HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.

L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.

Formalisme rationnel le la méthode de détermination des contraintes résiduelles par diffraction des rayons X:

application aux couches minces et multicouches

K. Badawi, C. Kahloun, J. Grilhé

To cite this version:

K. Badawi, C. Kahloun, J. Grilhé. Formalisme rationnel le la méthode de détermination des contraintes résiduelles par diffraction des rayons X: application aux couches minces et multicouches. Journal de Physique III, EDP Sciences, 1993, 3 (6), pp.1183-1188. �10.1051/jp3:1993108�. �jpa-00248991�

(2)

J. Phys. III France 3 (1993) l183-l188 JUNE 1993, PAGE l183

Classification

Physic-s Abstiacts

62.20 68.25

Formalisme rationnel de la mdthode de ddtermination des contraintes rksiduelles par diffraction des rayons X :

application aux couches minces et multicouches

K. F. Badawi I'), C. Kahloun (2) et J. Grilhd (') (') Laboratoire de mdtallurgie physique, 86022 Poitiers, France (2) L-P-M-T-M., 93430 Villetaneuse, France

(Re~,u le 22 ddcembre 1992, acceptd Je 19 mars 1993)

Rksumk. L'utilisation du formalisme rationnel dans la mdthode de ddtermination des contraintes rdsiduelles par diffraction des rayons X amdliore la rigueur, la prdcision et l'dldgance mathdmatique

de la m£thode. Elle permet d'dviter (es approximations faites dans le formalisme conventionnel, et

apporte des corrections qui ddpassent 15% dans certains cas de couches minces et de multicouches.

Abstract. The use of the rational formalism in the residual stress determination method by X-ray diffraction improves the precision and the mathematical elegance of this method. It eliminates the approximations made in the conventional formalism, and corrects the results by

more than 15 % in certain

case of thin films and multilayers.

Introduction.

Dans des travaux antdrieurs [1, 3] nous avons prdsentd le formalisme rationnel de la mdthode de determination des contraintes par diffraction des rayons X et ses applications aux matdriaux

massifs. Nous avons ddmontrl que

ce formalisme permet de supprimer toutes les approxima~

tions faites dans la mdthode conventionnelle sur le facteur cot 60, oh 6~ est l'angle de diffraction du matdriau sans contraintes relatif h la famille diffractante utilisde. Il permet en

outre de calculer la valeur prdcise de cet angle, amdliorant ainsi la prdcision de toute la

mdthode. Dans cet article, nous rappelons le formalisme utilisd et nous montrons ses

implications dans le cas des couches minces et des multicouches.

Formalisme rationnel.

La mdthode de ddtermination des contraintes par diffraction des rayons X est fondde sur la

mesure de la ddformation e~~ suivant la direction caractdrisde par les angles d'Euler #, $~

(Fig. I) ;

(3)

1184 JOURNAL DE PHYSIQUE III 6

couche mince

°16~

substrat

Fig, I. R£fdrenciel utilisd.

[Reference system.]

Dans le rdfdrentiel de la pibce (X,, X~, X~), s~~ est relide au tenseur des ddformations 7 par la relation

~4~ " ~4~ ~ ~4~ (1)

oh e~~ est le vecteur unitaire suivant la direction (#, $~, Fig. I). II est donna par la relation : e~~ =

sin $~ cos # X, + sin $~ sin #X~ + cos $~X~ (2)

en reportant (2) dans (I) on obtient :

s ~~ = (s

~ e~3 + ej2 sin 2 # ) sin~

$~ + (ej~ cos # + e~~ sin # ) sin 2 $~ + e~~ (3) oh

e~ = e,j cos~ #

+ e~~ sin~ # (4)

L'dquation (3) est l'dquation de base de la mdthode considdrde. Elle montre que pour ddterminer les six e,~, il faut effectuer six mesures de e~, correspondant h deux $~ et trois #. En

pratique, le nombre de mesures et beaucoup plus important afin d'amdliorer la prdcision des rdsultats.

MESURE DE s~~.-Elle est basde sur la mesure prdcise de l'angle de diffraction

6~~j correspondant h une famille (hkl) donnde de plans cristallographiques. En effet, la loi de

Bragg s'dcrit dans ce cas

~ dhk'slll ~hkl

" ~ (5)

La ddformation s~ est relide h d~~, (Fig. 2) par l'une ou l'autre des Equations suivantes :

E~~ = 3d/do

= cot 60 3 6 (6)

(4)

6 FORMALISME RATIONNEL DES CONTRAINTES RESIDUELLES l185

~44

do dhkl

Fig. 2. Principe de la mesure.

[Measurement principal.]

obtenue en diffdrenciant l'dquation (I). C'est la ddfinition conventionnelle des ddformations

qui est une approximation de la ddfinition exacte ou rationnelle donnde par

~~~ "

~n (dhk'~d0) ~ Ln (Sin 6o/Sin 6h~,) (~)

oh do est la distance interrdticulaire de la famille (hkl) du matdriau sans contraintes, et

60 l'angle de diffraction correspondant.

Le formalisme rationnel est fondd sur l'dquation (7) alors que le formalisme conventionnel est fondd sur l'dquation(6). Ceci entraine quelques consdquences importantes. En effet,

posons dans l'dquation (3), en suivant Dblle [4, 5] :

p+

= p~~ pour ~0 (8)

et e~

= s ~~ pour < o (9)

et formons les quantitds :

A+

=

(s+ + e~ )/2 = (e

~ s~~ + ej~ sin 2 # ) sin~ ~ +

e~~

=

M sin~ ~i +

s~~ (lo)

et

A~

=

(e+ e~ )/2

= (p,~ cos # + s~~ sin # ) sin [2 $~

=

N sin 2 $~ (I I)

En combinant les dquations (6) (7) (10) et (11), on obtient :

a+

= (1/2 Ln (I/sin 6 sin 6 +

=

M sin~ #i +

e~~ + Ln (I/sin 6~) (12)

a~ = (1/2) Ln (sin 6~/sin 6 +

= N sin [2 $~ (13)

b+

=

(6+ + 6~ )/2

=

(M/cot 6~) sin~ $~ e~~/cot 60 + 60 (14)

et

b~

=

(6+ 6 )/2 = (N/cot 60) sin [2 $~ (15)

oh 6+ et 6 sont les angles de diffraction correspondant au mdme # et h des angles dgaux en

valeur absolue et opposds en signes.

(5)

II 86 JOURNAL DE PHYSIQUE III 6

Dans ces Equations les quantitds h ddterrniner sont M et N. Le formalisme rationnel les donne directement par les pentes de (12) et (13) en fonction de sin~

$~ et sin [2 $~[, alors que le formalisme conventionnel ne permet de les obtenir que si on connait 6~. C'est le premier avantage de la mdthode proposde, car 6~ est gdndralement inconnu, et qu'en pratique on

recourt h des approximations de ce terme [6, 7 par exemple] ; ce sont ces approximations que le

formalisme rationnel permet de supprimer. Dans nos travaux antdrieurs [2, 3], nous avons

montrd que les erreurs rdsultant de ces approximations peuvent atteindre 49b dans les

matdriaux massifs. Dans ce qui suit nous donnerons l'expression formelle de ces erreurs et nous les calculerons dans le cas des couches minces et des multicouches.

CALCUL DE 6~. -Le formalisme rationnel permet dgalement de calculer avec prdcision

6~. En effet l'ordonnde h l'origine de l'dquation (12) donne cet angle dbs que le terme

p~~ est connu. Ceci est obtenu quand la pente de la mdme Equation a dtd ddterminde pour au

moins deux angles phi. Des informations prdcieuses sur la microstructure du matdriau sont ainsi obtenues.

Calcul de l'erreur produite par les approximations de 90.

Les approximations les plus couramment utilisdes dans la mdthode conventionnelle sont [es suivantes

cot 60 = cot 6~

cot 60

= cot 6

~

oh 6~ est l'angle de diffraction correspondant h psi zdro, et 6

~

le mdme angle pour le matdriau recuit. Ces approximations sont souvent justifides dans des matdriaux contenant de faibles

ddformations, en revanche dans les couches minces et les multicouches oh les ddformations

ddpassent souvent 5 9b [8 h 13 par exemple], elles conduisent h des erreurs relatives qui peuvent ddpasser 10 9b.

En effet, l'dquation (6) montre qu'une erreur sun cot 60 entraine une erreur dquivalente sur

s~~ donnde par :

3 cot 6~/cot 60 = 3ele (16)

avec

3 cot 60 = cot 6 cot 60 (17)

oh 6, est l'approximation de 60 (6~ ou 6~). Un ddveloppement limitd de cette expression au voisinage de 6~ donne

3 cot 60 = (6, 6~)(- 1/sin 2 6~). (18)

A partir de l'dquation (18) il faut distinguer chacune des deux approximations considdrdes

sdpardment.

CAS DE L'APPROXIMATION cot 60

= cot 6~. L'dquation (14) donne pour psi dgal h zdro :

6~ 6~

= (e~~/cot 60) (19)

d'ob :

3ple

= 2 e~~ sin~ 6~. (20)

L'dquation (20) montre que cette erreur est proportionnelle h e~~ (h 60 constant), et qu'elle est maximale pour 6u = gr/2. Le passage de l'erreur sun les ddformations aux erreurs sun les

(6)

6 FORMALISME RATIONNEL DES CONTRAINTES RESIDUELLES l187

contraintes ddpend de la nature des relations entre ces deux tenseurs. Pour des ddformations

importantes cette relation n'est pas lindaire. Dans le cas contraire, elle est donnde par la loi de Hook gdndralisde.

D'autre part, l'erreur donnde par (20) se repercute grice aux Equations (10) et (I I) sur tous les p,~ du tenseur.

La figure 3 montre la variation de 3Ele en fonction de e~~ pour 6~ = 80 deg., valeur souvent utilisde dans cette mdthode. On y remarque que l'erreur ddpasse 10 9b dds que les ddformations

ddpassent 5,15 9b, et qu'elle atteint 19,4 9b pour e~~ =

10 fb1

5E/E

19.4%

...,....o...

ib%

o 5[15 iW~E~~.

Fig. 3. Erreur introduite par l'approximation cot 60 = cot 6.

[Error produced by the approximation cot Ho = cot B-J

CAS DE L'APPROXIMATION 60 = 6

~.

En fonction de la microstructure du matdriau (densitd des ddfauts ponctuels, des impuretds, des dislocations...) 6~ peut s'dcarter notablement de 6~. La mdthode rationnelle permet de calculer avec prdcision 6~ et de le comparer avec

6~. Le tableau suivant donne les diffdrentes valeurs obtenues dans le cas de multicouches CuliV de 75 h de pdriode aprds diffdrents bombardements ioniques au Kr++ [14]. Nous avons prdsentd sur le mdme tableau l'erreur rdsultante par application de l'dquation (16).

Tableau I. Erreurs introduites par l'approximation 6~ = 6

~.

[Error produced by the approximation 9~ = 6~.]

Dose (cm~2) 0 10'3 2 x 1014 10'5

6~ (deg.) 65,43 65,99 66,32 66,65

6~ (deg.) 65,54 65,54 65,54 65,54

3 cot 6~ (10~ ~) 2,44 9,32 16,2 23

3ele 9b 0,54 2,05 3,56 5,06

Ce tableau montre que l'erreur commise par cette approximation peut ddpasser 5 9b. Elle est moins importante que la prdcddente mais demeure non ndgligeable.

(7)

l188 JOURNAL DE PHYSIQUE III 6

Erreurs introduites par la dkfinition mkme des dkformations.

En plus de l'erreur prdsentde plus haut, il y a une autre source d'erreur (moins importante) due h la ddfinition mdme des ddformations dans le formalisme conventionnel. En effet, la relation

entre les ddfinitions conventionnelle et rationnelle donndes par les Equations (6) et (7),

s'obtient par le ddveloppement limitd de Ln (d~~,/d~) au voisinage de I. On obtient ainsi :

s~ = e~ e)/2 + (21)

oh p~ et e~ sont respectivement la ddformation rationnelle et conventionnelle.

L'erreur relative introduite par l'utilisation de la ddformation conventionnelle est donnde par

(e~ e~)/s~ = e~/2. (22)

Cette Equation montre que l'erreur est proportionnelle h e~. Pour de faibles ddformations elle est ndgligeable. En revanche, dans les couches minces et les multicouches oh les ddformations

atteignent parfois 10 9b, elle n'est plus ndgligeable puisqu'elle atteint 5 9b. Elle s'ajoute donc

aux erreurs dues aux approximations de la cotangente calculdes prdcddemment. L'erreur

globale commise h cause du formalisme conventionnel atteindra pour e = 10 fb par exemple, 19,4 + 5

= 24,4 9bl. Elle est loin d'dtre ndgligeable et est d'autant plus regrettable qu'elle est introduite artificiellement par le formalisme mEme.

Conclusion.

Dans cet article, nous avons ddmontrd que le formalisme rationnel de la mdthode de ddterrnination des contraintes par diffraction des rayons X permet d'amdliorer la prdcision et la rigueur de la mdthode en supprimant les approximations habituellement faites dans la mdthode

conventionnelle. Nous avons analysd les erreurs introduites par ces approximations et avons

montrd qu'elles peuvent ddpasser 20 9b dans le cas des couches minces et multicouches des matdriaux h faible module d'Young. Par consdquent, l'utilisation du formalisme rationnel est

indispensable dans ce cas, et est avantageux dans tous les autres cas.

Bibliographie

Ii BADAWI K. F., CASTEX L., SPRAUEL J. M., Proc. of the 34th annuel conference on application of X- ray analysis (Colorado USA, 1985) p. 59.

[2] BADAWI K. F., Thbse de Doctorat d'Etat, Universitd de Reims (1986).

[3] BADAWI K. F., CASTEX L., SPRAUEL J. M., Matdriaux et Structures (Editions Hermes, Pads, 1987) p. 295.

[4] DOLLE H., HAUK V., J. MetaJJk. 70 (1979) 682.

[5] DOLLE H., J. Appt. Cryst. 12 (1979) 489.

[6] DOLLE H., COHEN J. B., Met. Trans. 11A (1980) 159.

[7] CASTEX L., LEBRUN J. L., MAEDER G., SPRAUEL J. M., Pub. Sci. Tech. (ENSAM, Paris, 1981).

[8] BADAWI K. F., DECLEMY A., NAUDON A., GOUDEAU Ph., J. Phys. III France 2 (1992) 1741.

[9] BADAWI K. F., NAUDON A., GOUDEAU Ph., AppJ. Surf. Sci., h paraitre.

[10] GOUDEAU Ph., BADAWI K. F., NAUDON A., GLADYSzEWSKI G., Appt. Phys. Lett., h paraitre.

II Ii THURNER G., ABERMANN R., Thin Solid Films 192 (1990) 277.

[12] HOFFMAN D. W., Thin Solid Films 112 (1984) 219.

[13] VINK T. J., SOMERS M. A. J., DAAMS J. L. C., DIRKS A. G., J. Appt. Phys. 70 (1991) 4301.

[14] BADAWI K. F., GOUDEAU Ph., PACAUD J., JAOUEN C., NAUDON A., GLADYSzEWSKI G., NucJ. Inst.

Meth. B, h paraitre.

Références

Documents relatifs

In this chapter, we first recall basic definitions on graphs, and then de- fine two problems that are at the core of the graph mining problem: graph isomorphism, which is used to

à celle obtenue par Li et al. Les valeurs obtenues sont de même ordre de grandeur avec la valeur que nous avons déterminé. Par contre, Ristau et al. [27] se sont intéressé à

On one hand, we have learned how to perform these experiments of RXD characterization of electronically ordered and other CDW materials under applied current, from the installation

Les spectres IR du nanocomposites d’une montmorillonite homoionique avec TPGDA (Tableau IV.4 ) indiquent les bandes caractéristiques du montmorillonite échangée avec TPGDA qui sont

S, source de rayons X ; P1, fente limitant le faisceau incident ; C, cristal placé en position de réflexion sélec- tive ; F2, fente laissant passer le faisceau

mesure commises lors de l’analyse des contraintes par diffraction des rayons X. Nous avons vérifié à partir de cinquante déterminations des contraintes le non-biais

Le faisceau de rayons X est monochromatique et il n’y aura diffraction que lorsque ce faisceau fait un angle θ (solution de la loi de Bragg) avec une famille de

fait que la distance entre les centres des systèmes d’électrons entourant le noyau des atomes soit trop faible pour donner un anneau d’interférence avec des rayons de