Réalisation d'un amplificateur donné Cahier des charges :
On souhaite réaliser un amplificateur ayant les caractéristiques suivantes : amplification ∣Vs
Ve∣=200 , une impédance d'entrée de 10 kΩ, une impédance de sortie de 50Ω.
La structure choisie pour l'amplificateur est présentée sur le schéma suivant :
On donne : pour le transistor T1, NPN, BC 547B : β=330 ; pour le transistor T2, PNP, BC 557 B : β=330 ; RB=R1∥R2=100k et RE=120 .
1. Identification des étages.
Rappeller les caractéristiques principales de ces étages.
2. Étude du premier étage
Dessinez le schéma équivalent en fonctionnement dynamique du premier étage.
Retrouvez les expressions littérales des paramètres caractéristiques de cet étage : impédance d'entrée Re1 , gain à vide Av1 et impédance de sortie Rs1 .
Exprimer l'amplification en charge de ce premier étage (en utilisant vos connaissances sur l'ordre de grandeur de l'impédance d'entrée du second étage).
Quelles valeurs doit-on donner au courant collecteur IC1
Q et à la résistance collecteur RC pour répondre au cahier des charges.
3. Étude du second étage
Dessinez le schéma équivalent en fonctionnement dynamique du second étage.
Retrouvez les expressions littérales des paramètres caractéristiques de cet étage : impédance d'entrée Re2 , gain à vide Av2 et impédance de sortie Rs2 . Quelle valeur doit-on donner au courant collecteur IC
2Q pour obtenir la valeur d'impédance de sortie du cahier des charges.
4. Étude statique
Calculer les courants et les tensions aux différents points du montage.
Calculer R1 et R2 permettant de polariser le montage.
Calculer RE2 .
5. Étude dynamique en milieu de bande
Vérifier les hypothèses émises précédemment ( Re2≫RC; RB≫h11T
1; RE
2 négligeable dans l'expression de Rs
2 ).
Déterminer l'excursion maximale de ve2 . ( h11=rbe )
