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Germination à l’état solide

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Academic year: 2022

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(1)

Germination à l’état solide

Benoît Appolaire

INPL

(2)

Les changements de phases à l’état solide

Parfois uninconvenient...

souvent un avantage.

Fragilisation

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 2 / 37

(3)

Les changements de phases à l’état solide

Parfois uninconvenient...

souvent un avantage.

Fragilisation

Sulfures dans un acier

(4)

Les changements de phases à l’état solide

Parfois un inconvenient ... souvent unavantage.

Fragilisation

Sulfures dans un acier

Durcissement

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 2 / 37

(5)

Les changements de phases à l’état solide

Parfois un inconvenient ... souvent unavantage.

Fragilisation

Sulfures dans un acier

Durcissement

Précipités dans un alliage Al-Cu

(6)

Deux grandes familles de transformations

Suivant le mécanisme

Les transformations diffusives (hautes T)

Les transformations displacives (bientôt)

Précipitésγ0dans un alliage base Ni.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 3 / 37

(7)

Deux grandes familles de transformations

Suivant le mécanisme

Les transformations diffusives (hautes T) Les transformations displacives (bientôt)

Précipitésγ0dans un alliage base Ni. Plaquette de martensite dans un alliage Fe-Ni.

(8)

Les catégories de transformations diffusives

Précipitation

Eutectoïde Massive Mise en ordre

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 4 / 37

(9)

Les catégories de transformations diffusives

Précipitation Eutectoïde

Massive Mise en ordre

(10)

Les catégories de transformations diffusives

Précipitation Eutectoïde Massive

Mise en ordre

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 4 / 37

(11)

Les catégories de transformations diffusives

Précipitation Eutectoïde Massive Mise en ordre

(12)

Germination ou décomposition spinodale ?

Que se passe-t-il en dessous de 400˚C dans la « cloche » de coexistence ?=⇒Analyse de l’énergie de Gibbs du système.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 5 / 37

(13)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc

T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.

(14)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0

T2<T1 T3<T2 etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 6 / 37

(15)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1

T3<T2 etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.

(16)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2

etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 6 / 37

(17)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.

(18)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènesinstables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 6 / 37

(19)

Germination ou décomposition spinodale ?

G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.

1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.

2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènesmétastables.

(20)

Germination ou décomposition spinodale ?

Décomposition dans la spinodale

Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 7 / 37

(21)

Germination ou décomposition spinodale ?

Décomposition dans la spinodale

Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.

(22)

Germination ou décomposition spinodale ?

Décomposition dans la spinodale

Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 7 / 37

(23)

Germination ou décomposition spinodale ?

Décomposition dans la spinodale

Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.

(24)

Germination ou décomposition spinodale ?

Germination hors de la spinodale

Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure) de taille suffisante pour croître.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 8 / 37

(25)

Germination ou décomposition spinodale ?

Germination hors de la spinodale

Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure)

(26)

Germination ou décomposition spinodale ?

Germination hors de la spinodale

Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure) de taille suffisante pour croître.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 8 / 37

(27)

Germination ou décomposition spinodale ?

Germination hors de la spinodale

Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure)

(28)

La décomposition spinodale

Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :

développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+O

(c−c0)3 (1)

Énergie de Gibbs totale

(2) Énergie de Gibbs du système initial

G0 =Z

g(c0) dV (3)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 9 / 37

(29)

La décomposition spinodale

Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :

développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+O

(c−c0)3 (1)

Énergie de Gibbs totale G =

Z

g(c(x))+ K

2 |∇c|2dV (2)

Énergie de Gibbs du système initial G0 =

Z

g(c0) dV (3)

(30)

La décomposition spinodale

Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :

développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+O

(c−c0)3 (1)

Énergie de Gibbs totale G=Z

g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+ 1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K

2 |∇c|2dV (2)

Énergie de Gibbs du système initial G0 =

Z

g(c0) dV (3)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 9 / 37

(31)

La décomposition spinodale

Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :

développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+O

(c−c0)3 (1)

Énergie de Gibbs totale G=Z

g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+ 1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K

2 |∇c|2dV (2) Énergie de Gibbs du système initial

G0 = Z

g(c0) dV (3)

(32)

La décomposition spinodale

Conservation des espèces chimiques Z

(c−c0)dx =0 (4)

Énergie de Gibbs totale du système

(5) Variation due aux fluctuations

G= 1 2

Z ∂2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 10 / 37

(33)

La décomposition spinodale

Conservation des espèces chimiques Z

(c−c0)dx =0 (4)

Énergie de Gibbs totale du système G=

Z

g(c0)+ ∂g

∂c c

0

(c−c0)+ 1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K

2 |∇c|2dV (5)

Variation due aux fluctuations

G= 1 2

Z ∂2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)

(34)

La décomposition spinodale

Conservation des espèces chimiques Z

(c−c0)dx =0 (4)

Énergie de Gibbs totale du système G=

Z

g(c0)+ 1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+ K

2 |∇c|2dV (5)

Variation due aux fluctuations

G= 1 2

Z ∂2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 10 / 37

(35)

La décomposition spinodale

Conservation des espèces chimiques Z

(c−c0)dx =0 (4)

Énergie de Gibbs totale du système G=

Z

g(c0)+ 1 2

2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+ K

2 |∇c|2dV (5) Variation due aux fluctuations

G= 1 2

Z ∂2g

∂c2 c

0

(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)

(36)

La décomposition spinodale

Lorsque ∂2g/∂c2 c

0 >0 =⇒ ∆G>0 amplification impossible Lorsque ∂2g/∂c2

c

0 <0 =⇒ ∆G<0 amplification possible

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 11 / 37

(37)

La décomposition spinodale

Lorsque ∂2g/∂c2 c

0 >0 =⇒ ∆G>0 amplification impossible Lorsque ∂2g/∂c2

c

0 <0 =⇒ ∆G<0 amplification possible

(38)

La décomposition spinodale

Taille caractéristique de la modulation de concentration

Transformée de Fourier des fluctuations δck(t) =

Z

δc(r,t)exp(ık·r) dr (7) δc(r,t) =

Z

δck(t)exp(−ık·r) dk (8) Pour simplifierδck =A cos(kx)aveck =2π/λ

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 12 / 37

(39)

La décomposition spinodale

Taille caractéristique de la modulation de concentration

Transformée de Fourier des fluctuations δck(t) =

Z

δc(r,t)exp(ık·r) dr (7) δc(r,t) =

Z

δck(t)exp(−ık·r) dk (8)

Pour simplifierδck =A cos(kx)aveck =2π/λ

(40)

La décomposition spinodale

Taille caractéristique de la modulation de concentration

Transformée de Fourier des fluctuations δck(t) =

Z

δc(r,t)exp(ık·r) dr (7) δc(r,t) =

Z

δck(t)exp(−ık·r) dk (8) Pour simplifierδck =A cos(kx)aveck =2π/λ

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 12 / 37

(41)

La décomposition spinodale

Taille caractéristique de la modulation de concentration Pour une fluctuation de vecteur d’ondek

Gk = S 2

Z ∂2g

∂c2 c

0

A2cos2(kx)+K A2k2 sin2(kx)dx (9)

(42)

La décomposition spinodale

Taille caractéristique de la modulation de concentration Pour une fluctuation de vecteur d’ondek

Gk = A2V 4







2g

∂c2 c

0

+K k2







(9)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 13 / 37

(43)

La décomposition spinodale

Taille caractéristique de la modulation de concentration Pour une fluctuation de vecteur d’ondek

Gk = A2V 4







2g

∂c2 c

0

+K k2







(9)

k

G

k

kc 0

Gk <0 si

2g/∂c2 c

0+K k2<0, c’est-à-direk2 <kc2 avec

kc =−

2g/∂c2 c

0

/K

(44)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

Fluctuation hétérophase

G =VGv+Sγ (10)

Germe sphérique

G = 4

3πR3Gv+4πR2γ (11)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 14 / 37

(45)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

Fluctuation hétérophase

G =VGv+Sγ (10) VmGv = cAβµAβ(cAβ)+cBβµBβ(cBβ)

−cAβµαA(cA0)−cBβµαB(cB0) (11)

Germe sphérique

G = 4

3πR3Gv+4πR2γ (12)

(46)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

Fluctuation hétérophase

G =VGv+Sγ (10) VmGv = cAβµαA(cAαe)+cBβµαB(cBαe)

−cAβµαA(cA0)−cBβµαB(cB0) (11)

Germe sphérique

G = 4

3πR3Gv+4πR2γ (12)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 14 / 37

(47)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

Fluctuation hétérophase

G =VGv+Sγ (10) Vmβ

RT ∆Gv = −cAβln(cA0/cAαe)

−cBβln(cB0/cBαe) (11)

Germe sphérique

G = 4

3πR3Gv+4πR2γ (12)

(48)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

Fluctuation hétérophase

G =VGv+Sγ (10) Vmβ

RT ∆Gv = −cAβln(cA0/cAαe)

−cBβln(cB0/cBαe) (11) Germe sphérique

G = 4

3πR3Gv+4πR2γ (12)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 14 / 37

(49)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

G S γ

R

V G v R*

G*

0

Fluctuation supercritique

∂∆G

∂R <0 (13)

Rayon critique (cf. TD)

R∝ −γ/∆Gv (14) Barrière de germination

G∝γ3/∆Gv2 (15)

(50)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

G S γ

R

V G v R*

G*

0

Fluctuation supercritique

∂∆G

∂R <0 (13)

Rayon critique (cf. TD)

R∝ −γ/∆Gv (14)

Barrière de germination

G∝γ3/∆Gv2 (15)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 15 / 37

(51)

Rappels sur la théorie classique de la germination

Aspects thermodynamiques

G S γ

R

V G v R*

G*

0

Fluctuation supercritique

∂∆G

∂R <0 (13)

Rayon critique (cf. TD)

R∝ −γ/∆Gv (14) Barrière de germination

G∝γ3/∆Gv2 (15)

(52)

Rapides rappels sur la théorie classique

Aspects cinétiques

Flux de germination I = dN

dt =νnsn (16)

Fréquence d’attachement ν=ν0 exp −Q

RT

!

(17) Nombre de germes critiques

n=n0exp −∆G RT

!

(18)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 16 / 37

(53)

Rapides rappels sur la théorie classique

Aspects cinétiques

Flux de germination I = dN

dt =νnsn (16) Fréquence d’attachement

ν=ν0 exp −Q RT

!

(17)

Nombre de germes critiques n=n0exp −∆G

RT

!

(18)

(54)

Rapides rappels sur la théorie classique

Aspects cinétiques

Flux de germination I = dN

dt =νnsn (16) Fréquence d’attachement

ν=ν0 exp −Q RT

!

(17) Nombre de germes critiques

n=n0exp −∆G RT

!

(18)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 16 / 37

(55)

Rapides rappels sur la théorie classique

Aspects cinétiques

Flux de germination I = dN

dt =νnsn (16) Fréquence d’attachement

ν=ν0 exp −Q RT

!

(17) Nombre de germes critiques

n=n0exp −∆G RT

!

(18)

n*

J

T

ν

I=ν0nsn0 exp −Q+ ∆G RT

! (19)

(56)

Rapides rappels sur la théorie classique

Aspects cinétiques

n*

J T

ν

temps 1 %

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 17 / 37

(57)

Germination : exemples

Nano-précipité dans un alliage Al-Zn-Mg par

Simulation Monte-Carlo cinétique de la précipitation de carbures NbC dans un acier IF [D. Gendt, SRMP, CEA Saclay].

(58)

Germination : exemples

Nano-précipité dans un alliage Al-Zn-Mg par tomographie atomique [W. Lefebvre, GPM, Rouen].

Simulation Monte-Carlo cinétique de la précipitation de carbures NbC dans un acier IF [D. Gendt, SRMP, CEA Saclay].

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 18 / 37

(59)

Spécificités de l’état solide

Solides (contraintes) cristallins (anisotropie)

Interfaces (nature, anisotropie deγ, relations d’orientation . . .) Effet des contraintes élastiques Influence des défauts cristallins

=⇒Germination

Simulation de la précipitation dans un alliage Al-Zn [A. Zunger et al., NREL, Colorado].

(60)

Nature des interfaces

Interface cohérente

Sans désaccord paramétrique (misfit) :γ ∈[1−200] mJ/m2

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 20 / 37

(61)

Nature des interfaces

Interface cohérente

Avec désaccord paramétriqueδ= (a+c)/2a−c :γ∈[1−200] mJ/m2

(62)

Nature des interfaces

Interface semi-cohérente

Dislocations d’accomodation espacées deD ≈ bδ :γ∈[200−500] mJ/m2

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 20 / 37

(63)

Nature des interfaces

Interface incohérente

γ∈[500−1000] mJ/m2

(64)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran

Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a

Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ=

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 21 / 37

(65)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran

Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a

Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a

Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ=

(66)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran

Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a

Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ=

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 21 / 37

(67)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran

Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a

Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ= (nh+nv)ε/(2L a)

(68)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

γ

θ

Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran

Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a

Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ= (cosθ+sin|θ|) ε/(2a2)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 21 / 37

(69)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

(70)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37

(71)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

(72)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37

(73)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

(74)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37

(75)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

(76)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37

(77)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR

γ(θ)dA

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

(78)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37

(79)

Anisotropie

Propriétés des interfaces fortement anisotropes

Diagramme de Wulffγvsθ

L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso-

(80)

Relations d’orientation

Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes

CFC/HC

{111}CFC // {0001}HC

<110>CFC // <1120>HC

CC/HC(Burgers)

{110}CC // {0001}HC

<111>CC // <1120>HC

a b

c a‘

b‘

c‘

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 23 / 37

(81)

Relations d’orientation

Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes

CFC/HC

{111}CFC // {0001}HC

<110>CFC // <1120>HC

CC/HC(Burgers)

{110}CC // {0001}HC

<111>CC // <1120>HC

Plan A Plan B Plan C

Plan A Plan B Plan A

(82)

Relations d’orientation

Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes

CFC/HC

{111}CFC // {0001}HC

<110>CFC // <1120>HC CC/HC(Burgers)

{110}CC // {0001}HC

<111>CC // <1120>HC

γ

γ c

b a

γ

c

a‘

b‘

c‘

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 23 / 37

(83)

Relations d’orientation

Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes

CC/CFC

(Kurdjumov-Sachs) {110}CC // {111}CFC

<111>CC // <011>CFC

(Nishiyama-Wasserman) {110}CC // {111}CFC

<001>CC // <101>CFC

a‘

b‘

c‘

a b c

(84)

Relations d’orientation

Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes

CC/CFC

(Kurdjumov-Sachs) {110}CC // {111}CFC

<111>CC // <011>CFC (Nishiyama-Wasserman)

{110}CC // {111}CFC

<001>CC // <101>CFC

a‘

b‘

c‘

a b c

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 23 / 37

(85)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

(86)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

k = |[111]γ|

|[011]α| g = |h

101i

γ|

|h 1 11i

α| m = |h

121i

γ|

|h 211i

α|

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37

(87)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

k =

√ 3aγ

√ 2aα g = |h

101i

γ|

|h 1 11i

α|

m = |h 121i

γ|

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

(88)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

k =

√ 3aγ

√ 2aα g =

√ 2aγ

√ 3aα m = |h

121i

γ|

|h 211i

α|

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37

(89)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

k =

√ 3aγ

√ 2aα g =

√ 2aγ

√ 3aα m =

√6aγ

6aα = aγ aα

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

(90)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

[0kk]α = (αJγ) [111]γ

g gg

α = (αJγ)h 101i

γ

2mmm

α = (αJγ)h 121i

γ

où xyz

vecteur colonne

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37

(91)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α









0 g 2m k g m k g m









=(αJγ)











1 1 1

1 0 2

1 1 1











a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

(92)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

(αJγ)= aγ aα

















0 −

q2

3 2

q3

2

q2 3 −1 q3

2

q2

3 1

























1 3

1 3

1 3

12 0 12

1

613 16









=⇒tenseur de déformation libre

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37

(93)

Relations d’orientation

Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α

h101i

γ // h 1 11i

α

h121i

γ // h 211i

α

(αJγ)= aγ aα

















0 −

q2

3 2

q3

2

q2 3 −1 q3

2

q2

3 1

























1 3

1 3

1 3

12 0 12

1

613 16









=⇒tenseur de déformation libre

a‘

b‘

c‘

111 101

121

a b c

011 111

211

γ

α

α

α

γ

γ

(94)

Contraintes

Précipité incohérent: contribution de la variation de volume

Variation de volume

∆ = ∆V/V Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)

Eel= E

3(1+ν)f(c/a)∆2V

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 25 / 37

(95)

Contraintes

Précipité incohérent: contribution de la variation de volume

Variation de volume

∆ = ∆V/V

Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)

Eel= E

3(1+ν)f(c/a)∆2V

(96)

Contraintes

Précipité incohérent: contribution de la variation de volume

Variation de volume

∆ = ∆V/V Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)

Eel= E

3(1+ν)f(c/a)∆2V

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 25 / 37

(97)

Contraintes

Précipité incohérent: contribution de la variation de volume

a c

c/a

f

0,75 1

1

Variation de volume

∆ = ∆V/V Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)

Eel= E

3(1+ν)f(c/a)∆2V

(98)

Contraintes

Précipité cohérent

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 26 / 37

(99)

Contraintes

Précipité cohérent

Continuité des réseaux

Désaccord paramétrique

δ= b−a

(a+b)/2

(100)

Contraintes

Précipité cohérent

a

b

Continuité des réseaux Désaccord paramétrique

δ= b−a

(a+b)/2

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 26 / 37

(101)

Contraintes

Précipité cohérent

Élasticité isotrope + inclusion homogène (Eshelby)

ε= 2 3δ Eelindépendante de la forme du précipité

Eel= E 1−νδ2V

(102)

Contraintes

Précipité cohérent

0

r

σ

rr

σθθ

Champs de contrainte dans le cas d’un précipité avecδ >0

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 26 / 37

(103)

Contraintes

Précipités cohérents : cas général

Contraste de constantes élastiques

1

1 a

c

+

-

matrice dure

matrice molle

Élasticité hétérogène

[Fischer et Bohm, 2005]

Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12) Interaction entre précipités

[Mori-Tanaka]

Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)

(104)

Contraintes

Précipités cohérents : cas général

C=

























C11 C12 C12 0 0 0 C12 C11 C12 0 0 0 C12 C12 C11 0 0 0

0 0 0 C44 0 0

0 0 0 0 C44 0

0 0 0 0 0 C44

























Élasticité hétérogène

[Fischer et Bohm, 2005]

Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12)

Interaction entre précipités

[Mori-Tanaka]

Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 27 / 37

(105)

Contraintes

Précipités cohérents : cas général

∆E due à l’anisotropie du tenseur des rigidités

Élasticité hétérogène

[Fischer et Bohm, 2005]

Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12)

Interaction entre précipités

[Mori-Tanaka]

Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)

(106)

Contraintes

Précipités cohérents : cas général

Super-alliage base nickel [Snecma]

Élasticité hétérogène

[Fischer et Bohm, 2005]

Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12)

Interaction entre précipités

[Mori-Tanaka]

Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 27 / 37

(107)

Contraintes

Précipités cohérents : cas général

Élasticité hétérogène

[Fischer et Bohm, 2005]

Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12) Interaction entre précipités

[Mori-Tanaka]

Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)

(108)

Variants cristallographiques

À une relation d’orientation correspondent différentes orientations

« morphologiques » appelées variant(e)s cristallographiques

1 seul variant si les groupes de symétrie des phases sont identiques plusieurs variants lorsqu’il y a changement de groupe de symétrie

cubique=quadratique

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 28 / 37

(109)

Variants cristallographiques

À une relation d’orientation correspondent différentes orientations

« morphologiques » appelées variant(e)s cristallographiques

t=0 s t=8·106s t=2,4·107s t=1,6·108s

Simulations numériques des zones de Guinier-Preston dans Al-1% Cu [L.Q. Chen, Pennstate University]

(110)

Variants cristallographiques

À une relation d’orientation correspondent différentes orientations

« morphologiques » appelées variant(e)s cristallographiques

Zones de Guinier-Preston dans Al-1,4% Cu observées en champ sombre avec détecteur annulaire à grand angle [Konno et al., 2001]

Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 29 / 37

(111)

Conséquences sur la décomposition spinodale

Les fluctuationsδc conduisent à des défor- mations « libres »

δ= 1 a

da

dc δc=ηδc (21) correspondant à une énergie élastique

Eel= E

1−νη2δc2Vm (22)

Références

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