Germination à l’état solide
Benoît Appolaire
INPL
Les changements de phases à l’état solide
Parfois uninconvenient...
souvent un avantage.
Fragilisation
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 2 / 37
Les changements de phases à l’état solide
Parfois uninconvenient...
souvent un avantage.
Fragilisation
Sulfures dans un acier
Les changements de phases à l’état solide
Parfois un inconvenient ... souvent unavantage.
Fragilisation
Sulfures dans un acier
Durcissement
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 2 / 37
Les changements de phases à l’état solide
Parfois un inconvenient ... souvent unavantage.
Fragilisation
Sulfures dans un acier
Durcissement
Précipités dans un alliage Al-Cu
Deux grandes familles de transformations
Suivant le mécanisme
Les transformations diffusives (hautes T)
Les transformations displacives (bientôt)
Précipitésγ0dans un alliage base Ni.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 3 / 37
Deux grandes familles de transformations
Suivant le mécanisme
Les transformations diffusives (hautes T) Les transformations displacives (bientôt)
Précipitésγ0dans un alliage base Ni. Plaquette de martensite dans un alliage Fe-Ni.
Les catégories de transformations diffusives
Précipitation
Eutectoïde Massive Mise en ordre
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 4 / 37
Les catégories de transformations diffusives
Précipitation Eutectoïde
Massive Mise en ordre
Les catégories de transformations diffusives
Précipitation Eutectoïde Massive
Mise en ordre
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 4 / 37
Les catégories de transformations diffusives
Précipitation Eutectoïde Massive Mise en ordre
Germination ou décomposition spinodale ?
Que se passe-t-il en dessous de 400˚C dans la « cloche » de coexistence ?=⇒Analyse de l’énergie de Gibbs du système.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 5 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc
T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0
T2<T1 T3<T2 etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 6 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1
T3<T2 etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2
etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 6 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènesinstables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènes métastables.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 6 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
G(cfc) versusc : T0<Tc T1<T0 T2<T1 T3<T2 etc.
1 Dans la spinodale∂2G/∂c2 <0 : systèmes homogènes instables.
2 Entre la limite de solubilité et la spinodale∂2G/∂c2 >0 : systèmes homogènesmétastables.
Germination ou décomposition spinodale ?
Décomposition dans la spinodale
Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 7 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
Décomposition dans la spinodale
Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.
Germination ou décomposition spinodale ?
Décomposition dans la spinodale
Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 7 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
Décomposition dans la spinodale
Amplification de fluctuations faibles et délocalisées.
Germination ou décomposition spinodale ?
Germination hors de la spinodale
Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure) de taille suffisante pour croître.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 8 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
Germination hors de la spinodale
Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure)
Germination ou décomposition spinodale ?
Germination hors de la spinodale
Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure) de taille suffisante pour croître.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 8 / 37
Germination ou décomposition spinodale ?
Germination hors de la spinodale
Fluctuation hétérophase (composition et/ou structure)
La décomposition spinodale
Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :
développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+O
(c−c0)3 (1)
Énergie de Gibbs totale
(2) Énergie de Gibbs du système initial
G0 =Z
g(c0) dV (3)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 9 / 37
La décomposition spinodale
Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :
développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+O
(c−c0)3 (1)
Énergie de Gibbs totale G =
Z
g(c(x))+ K
2 |∇c|2dV (2)
Énergie de Gibbs du système initial G0 =
Z
g(c0) dV (3)
La décomposition spinodale
Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :
développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+O
(c−c0)3 (1)
Énergie de Gibbs totale G=Z
g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+ 1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K
2 |∇c|2dV (2)
Énergie de Gibbs du système initial G0 =
Z
g(c0) dV (3)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 9 / 37
La décomposition spinodale
Énergie de Gibbs d’une solution solide homogène :
développement autour de l’énergie de Gibbs d’un état initialc0 g(c)=g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+O
(c−c0)3 (1)
Énergie de Gibbs totale G=Z
g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+ 1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K
2 |∇c|2dV (2) Énergie de Gibbs du système initial
G0 = Z
g(c0) dV (3)
La décomposition spinodale
Conservation des espèces chimiques Z
(c−c0)dx =0 (4)
Énergie de Gibbs totale du système
(5) Variation due aux fluctuations
∆G= 1 2
Z ∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 10 / 37
La décomposition spinodale
Conservation des espèces chimiques Z
(c−c0)dx =0 (4)
Énergie de Gibbs totale du système G=
Z
g(c0)+ ∂g
∂c c
0
(c−c0)+ 1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K
2 |∇c|2dV (5)
Variation due aux fluctuations
∆G= 1 2
Z ∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)
La décomposition spinodale
Conservation des espèces chimiques Z
(c−c0)dx =0 (4)
Énergie de Gibbs totale du système G=
Z
g(c0)+ 1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+ K
2 |∇c|2dV (5)
Variation due aux fluctuations
∆G= 1 2
Z ∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 10 / 37
La décomposition spinodale
Conservation des espèces chimiques Z
(c−c0)dx =0 (4)
Énergie de Gibbs totale du système G=
Z
g(c0)+ 1 2
∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+ K
2 |∇c|2dV (5) Variation due aux fluctuations
∆G= 1 2
Z ∂2g
∂c2 c
0
(c−c0)2+K |∇c|2dV (6)
La décomposition spinodale
Lorsque ∂2g/∂c2 c
0 >0 =⇒ ∆G>0 amplification impossible Lorsque ∂2g/∂c2
c
0 <0 =⇒ ∆G<0 amplification possible
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 11 / 37
La décomposition spinodale
Lorsque ∂2g/∂c2 c
0 >0 =⇒ ∆G>0 amplification impossible Lorsque ∂2g/∂c2
c
0 <0 =⇒ ∆G<0 amplification possible
La décomposition spinodale
Taille caractéristique de la modulation de concentration
Transformée de Fourier des fluctuations δck(t) =
Z
δc(r,t)exp(ık·r) dr (7) δc(r,t) =
Z
δck(t)exp(−ık·r) dk (8) Pour simplifierδck =A cos(kx)aveck =2π/λ
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 12 / 37
La décomposition spinodale
Taille caractéristique de la modulation de concentration
Transformée de Fourier des fluctuations δck(t) =
Z
δc(r,t)exp(ık·r) dr (7) δc(r,t) =
Z
δck(t)exp(−ık·r) dk (8)
Pour simplifierδck =A cos(kx)aveck =2π/λ
La décomposition spinodale
Taille caractéristique de la modulation de concentration
Transformée de Fourier des fluctuations δck(t) =
Z
δc(r,t)exp(ık·r) dr (7) δc(r,t) =
Z
δck(t)exp(−ık·r) dk (8) Pour simplifierδck =A cos(kx)aveck =2π/λ
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 12 / 37
La décomposition spinodale
Taille caractéristique de la modulation de concentration Pour une fluctuation de vecteur d’ondek
∆Gk = S 2
Z ∂2g
∂c2 c
0
A2cos2(kx)+K A2k2 sin2(kx)dx (9)
La décomposition spinodale
Taille caractéristique de la modulation de concentration Pour une fluctuation de vecteur d’ondek
∆Gk = A2V 4
∂2g
∂c2 c
0
+K k2
(9)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 13 / 37
La décomposition spinodale
Taille caractéristique de la modulation de concentration Pour une fluctuation de vecteur d’ondek
∆Gk = A2V 4
∂2g
∂c2 c
0
+K k2
(9)
k
∆G
k
kc 0
∆Gk <0 si
∂2g/∂c2 c
0+K k2<0, c’est-à-direk2 <kc2 avec
kc =−
∂2g/∂c2 c
0
/K
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
Fluctuation hétérophase
∆G =V∆Gv+Sγ (10)
Germe sphérique
∆G = 4
3πR3∆Gv+4πR2γ (11)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 14 / 37
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
Fluctuation hétérophase
∆G =V∆Gv+Sγ (10) Vm∆Gv = cAβµAβ(cAβ)+cBβµBβ(cBβ)
−cAβµαA(cA0)−cBβµαB(cB0) (11)
Germe sphérique
∆G = 4
3πR3∆Gv+4πR2γ (12)
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
Fluctuation hétérophase
∆G =V∆Gv+Sγ (10) Vm∆Gv = cAβµαA(cAαe)+cBβµαB(cBαe)
−cAβµαA(cA0)−cBβµαB(cB0) (11)
Germe sphérique
∆G = 4
3πR3∆Gv+4πR2γ (12)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 14 / 37
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
Fluctuation hétérophase
∆G =V∆Gv+Sγ (10) Vmβ
RT ∆Gv = −cAβln(cA0/cAαe)
−cBβln(cB0/cBαe) (11)
Germe sphérique
∆G = 4
3πR3∆Gv+4πR2γ (12)
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
Fluctuation hétérophase
∆G =V∆Gv+Sγ (10) Vmβ
RT ∆Gv = −cAβln(cA0/cAαe)
−cBβln(cB0/cBαe) (11) Germe sphérique
∆G = 4
3πR3∆Gv+4πR2γ (12)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 14 / 37
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
∆G S γ
R
V ∆G v R*
∆G*
0
Fluctuation supercritique
∂∆G
∂R <0 (13)
Rayon critique (cf. TD)
R∗∝ −γ/∆Gv (14) Barrière de germination
∆G∗∝γ3/∆Gv2 (15)
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
∆G S γ
R
V ∆G v R*
∆G*
0
Fluctuation supercritique
∂∆G
∂R <0 (13)
Rayon critique (cf. TD)
R∗∝ −γ/∆Gv (14)
Barrière de germination
∆G∗∝γ3/∆Gv2 (15)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 15 / 37
Rappels sur la théorie classique de la germination
Aspects thermodynamiques
∆G S γ
R
V ∆G v R*
∆G*
0
Fluctuation supercritique
∂∆G
∂R <0 (13)
Rayon critique (cf. TD)
R∗∝ −γ/∆Gv (14) Barrière de germination
∆G∗∝γ3/∆Gv2 (15)
Rapides rappels sur la théorie classique
Aspects cinétiques
Flux de germination I = dN
dt =νnsn∗ (16)
Fréquence d’attachement ν=ν0 exp −Q
RT
!
(17) Nombre de germes critiques
n∗=n0exp −∆G∗ RT
!
(18)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 16 / 37
Rapides rappels sur la théorie classique
Aspects cinétiques
Flux de germination I = dN
dt =νnsn∗ (16) Fréquence d’attachement
ν=ν0 exp −Q RT
!
(17)
Nombre de germes critiques n∗=n0exp −∆G∗
RT
!
(18)
Rapides rappels sur la théorie classique
Aspects cinétiques
Flux de germination I = dN
dt =νnsn∗ (16) Fréquence d’attachement
ν=ν0 exp −Q RT
!
(17) Nombre de germes critiques
n∗=n0exp −∆G∗ RT
!
(18)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 16 / 37
Rapides rappels sur la théorie classique
Aspects cinétiques
Flux de germination I = dN
dt =νnsn∗ (16) Fréquence d’attachement
ν=ν0 exp −Q RT
!
(17) Nombre de germes critiques
n∗=n0exp −∆G∗ RT
!
(18)
n*
J
T
ν
I=ν0nsn0 exp −Q+ ∆G∗ RT
! (19)
Rapides rappels sur la théorie classique
Aspects cinétiques
n*
J T
ν
temps 1 %
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 17 / 37
Germination : exemples
Nano-précipité dans un alliage Al-Zn-Mg par
Simulation Monte-Carlo cinétique de la précipitation de carbures NbC dans un acier IF [D. Gendt, SRMP, CEA Saclay].
Germination : exemples
Nano-précipité dans un alliage Al-Zn-Mg par tomographie atomique [W. Lefebvre, GPM, Rouen].
Simulation Monte-Carlo cinétique de la précipitation de carbures NbC dans un acier IF [D. Gendt, SRMP, CEA Saclay].
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 18 / 37
Spécificités de l’état solide
Solides (contraintes) cristallins (anisotropie)
Interfaces (nature, anisotropie deγ, relations d’orientation . . .) Effet des contraintes élastiques Influence des défauts cristallins
=⇒Germination
Simulation de la précipitation dans un alliage Al-Zn [A. Zunger et al., NREL, Colorado].
Nature des interfaces
Interface cohérente
Sans désaccord paramétrique (misfit) :γ ∈[1−200] mJ/m2
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 20 / 37
Nature des interfaces
Interface cohérente
Avec désaccord paramétriqueδ= (a+c)/2a−c :γ∈[1−200] mJ/m2
Nature des interfaces
Interface semi-cohérente
Dislocations d’accomodation espacées deD ≈ bδ :γ∈[200−500] mJ/m2
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 20 / 37
Nature des interfaces
Interface incohérente
γ∈[500−1000] mJ/m2
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran
Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a
Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ=
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 21 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran
Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a
Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a
Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ=
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran
Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a
Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ=
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 21 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran
Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a
Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ= (nh+nv)ε/(2L a)
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
γ
θ
Considérons la portion d’interface de lon- gueurL, d’orientationθ ∈[−π/2;π/2], et∞ perpendiculairement à l’écran
Nombre de liaisons « verticales coupées » :nv =L cosθ/a Nombre de liaisons « horizontales coupées » :nh =L sin|θ|/a
Énergie due aux liaisons d’énergieε coupées :γ= (cosθ+sin|θ|) ε/(2a2)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 21 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ Minimisation deR
γ(θ)dA
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso- tropie de la forme.
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 22 / 37
Anisotropie
Propriétés des interfaces fortement anisotropes
Diagramme de Wulffγvsθ
L’énergie élastique peut également contribuer à l’aniso-
Relations d’orientation
Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes
CFC/HC
{111}CFC // {0001}HC
<110>CFC // <1120>HC
CC/HC(Burgers)
{110}CC // {0001}HC
<111>CC // <1120>HC
a b
c a‘
b‘
c‘
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 23 / 37
Relations d’orientation
Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes
CFC/HC
{111}CFC // {0001}HC
<110>CFC // <1120>HC
CC/HC(Burgers)
{110}CC // {0001}HC
<111>CC // <1120>HC
Plan A Plan B Plan C
Plan A Plan B Plan A
Relations d’orientation
Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes
CFC/HC
{111}CFC // {0001}HC
<110>CFC // <1120>HC CC/HC(Burgers)
{110}CC // {0001}HC
<111>CC // <1120>HC
γ
γ c
b a
γ
c
a‘
b‘
c‘
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 23 / 37
Relations d’orientation
Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes
CC/CFC
(Kurdjumov-Sachs) {110}CC // {111}CFC
<111>CC // <011>CFC
(Nishiyama-Wasserman) {110}CC // {111}CFC
<001>CC // <101>CFC
a‘
b‘
c‘
a b c
Relations d’orientation
Pour minimiser l’énergie d’interface, il est préférable de créer des interfaces cohérentes, voire semi-cohérentes
CC/CFC
(Kurdjumov-Sachs) {110}CC // {111}CFC
<111>CC // <011>CFC (Nishiyama-Wasserman)
{110}CC // {111}CFC
<001>CC // <101>CFC
a‘
b‘
c‘
a b c
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 23 / 37
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
k = |[111]γ|
|[011]α| g = |h
101i
γ|
|h 1 11i
α| m = |h
121i
γ|
|h 211i
α|
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
k =
√ 3aγ
√ 2aα g = |h
101i
γ|
|h 1 11i
α|
m = |h 121i
γ|
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
k =
√ 3aγ
√ 2aα g =
√ 2aγ
√ 3aα m = |h
121i
γ|
|h 211i
α|
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
k =
√ 3aγ
√ 2aα g =
√ 2aγ
√ 3aα m =
√6aγ
√
6aα = aγ aα
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
[0kk]α = (αJγ) [111]γ
g gg
α = (αJγ)h 101i
γ
2mmm
α = (αJγ)h 121i
γ
où xyz
vecteur colonne
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
0 g 2m k g m k g m
=(αJγ)
1 1 1
1 0 2
1 1 1
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
(αJγ)= aγ aα
0 −
q2
3 2
q3
2 −
q2 3 −1 q3
2
q2
3 1
1 3
1 3
1 3
−12 0 12
1
6 −13 16
=⇒tenseur de déformation libre
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 24 / 37
Relations d’orientation
Description matricielle: exemple de Kurdjumov-Sachs [111]γ // [011]α
h101i
γ // h 1 11i
α
h121i
γ // h 211i
α
(αJγ)= aγ aα
0 −
q2
3 2
q3
2 −
q2 3 −1 q3
2
q2
3 1
1 3
1 3
1 3
−12 0 12
1
6 −13 16
=⇒tenseur de déformation libre
a‘
b‘
c‘
111 101
121
a b c
011 111
211
γ
α
α
α
γ
γ
Contraintes
Précipité incohérent: contribution de la variation de volume
Variation de volume
∆ = ∆V/V Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)
Eel= E
3(1+ν)f(c/a)∆2V
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 25 / 37
Contraintes
Précipité incohérent: contribution de la variation de volume
Variation de volume
∆ = ∆V/V
Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)
Eel= E
3(1+ν)f(c/a)∆2V
Contraintes
Précipité incohérent: contribution de la variation de volume
Variation de volume
∆ = ∆V/V Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)
Eel= E
3(1+ν)f(c/a)∆2V
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 25 / 37
Contraintes
Précipité incohérent: contribution de la variation de volume
a c
c/a
f
0,75 1
1
Variation de volume
∆ = ∆V/V Élasticité isotrope + inclusion homogène indéformable (Nabarro)
Eel= E
3(1+ν)f(c/a)∆2V
Contraintes
Précipité cohérent
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 26 / 37
Contraintes
Précipité cohérent
Continuité des réseaux
Désaccord paramétrique
δ= b−a
(a+b)/2
Contraintes
Précipité cohérent
a
b
Continuité des réseaux Désaccord paramétrique
δ= b−a
(a+b)/2
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 26 / 37
Contraintes
Précipité cohérent
Élasticité isotrope + inclusion homogène (Eshelby)
ε= 2 3δ Eelindépendante de la forme du précipité
Eel= E 1−νδ2V
Contraintes
Précipité cohérent
0
r
σ
rr
σθθ
Champs de contrainte dans le cas d’un précipité avecδ >0
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 26 / 37
Contraintes
Précipités cohérents : cas général
Contraste de constantes élastiques
1
1 a
c
+
-
matrice dure
matrice molle
Élasticité hétérogène
[Fischer et Bohm, 2005]
Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12) Interaction entre précipités
[Mori-Tanaka]
Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)
Contraintes
Précipités cohérents : cas général
C=
C11 C12 C12 0 0 0 C12 C11 C12 0 0 0 C12 C12 C11 0 0 0
0 0 0 C44 0 0
0 0 0 0 C44 0
0 0 0 0 0 C44
Élasticité hétérogène
[Fischer et Bohm, 2005]
Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12)
Interaction entre précipités
[Mori-Tanaka]
Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 27 / 37
Contraintes
Précipités cohérents : cas général
∆E due à l’anisotropie du tenseur des rigidités
Élasticité hétérogène
[Fischer et Bohm, 2005]
Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12)
Interaction entre précipités
[Mori-Tanaka]
Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)
Contraintes
Précipités cohérents : cas général
Super-alliage base nickel [Snecma]
Élasticité hétérogène
[Fischer et Bohm, 2005]
Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12)
Interaction entre précipités
[Mori-Tanaka]
Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 27 / 37
Contraintes
Précipités cohérents : cas général
Élasticité hétérogène
[Fischer et Bohm, 2005]
Élasticité anisotrope : facteur de Zener A =2C44/(C11−C12) Interaction entre précipités
[Mori-Tanaka]
Eeltot=fv(1−fv)Eel1 (20)
Variants cristallographiques
À une relation d’orientation correspondent différentes orientations
« morphologiques » appelées variant(e)s cristallographiques
1 seul variant si les groupes de symétrie des phases sont identiques plusieurs variants lorsqu’il y a changement de groupe de symétrie
cubique=⇒quadratique
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 28 / 37
Variants cristallographiques
À une relation d’orientation correspondent différentes orientations
« morphologiques » appelées variant(e)s cristallographiques
t=0 s t=8·106s t=2,4·107s t=1,6·108s
Simulations numériques des zones de Guinier-Preston dans Al-1% Cu [L.Q. Chen, Pennstate University]
Variants cristallographiques
À une relation d’orientation correspondent différentes orientations
« morphologiques » appelées variant(e)s cristallographiques
Zones de Guinier-Preston dans Al-1,4% Cu observées en champ sombre avec détecteur annulaire à grand angle [Konno et al., 2001]
Benoît Appolaire (INPL) Germination à l’état solide 29 / 37
Conséquences sur la décomposition spinodale
Les fluctuationsδc conduisent à des défor- mations « libres »
δ= 1 a
da
dc δc=ηδc (21) correspondant à une énergie élastique
Eel= E
1−νη2δc2Vm (22)