nÉpusrleun arcÉruENNE oÉuocnerlQun ET
POPULAIREMINISTERE DE L'ENSETGNEMENT SUPERIEUR ET DE
tA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE MOHAMED SEDDIK BENYAHIA -
'IJEL
-
FACULTE DES SCIENCES ET DE LA ECHNOLOGIE
DEPARTEMENT D'ELECTRONIQUE
Mémoire présenté pour I'obtention du diplôme de Master ll en Electroniqule
OPTION :
MICROELECTRONIQUE
Thème
MonnLISATION ET CARACTERISATION DES
TnehrsrsroRs LDMOS DANS LE DoMAINE DES
RF A BASE DE SCHEMA EQUVALENT
Réalisé par : Abdellah GUIATNI Tarek BELHADJ
Encadré par :
Dr. Mohammed TAMOUM
Promotion : juin 2018
fr.emerciements
f".tr.jf ûi.rJlÀtC*l
o q$r{b LKj 4É dr, q osi r,r n
(^l aJyt .r3n ;:_ry) ÊJutâitt &.-
-{ouange à Ah6, maitre û f.unûryrs
A/b?/s tenoru à remzrciervivement notre encadreur-M. Fâ.-uotla{, 70ur son soutien?ermanen| conseiFvrécteu.a: et ses encouragements
darant h réafrsation d2 ce travaifet hvrésentation dZ ce memoire {ans mfornefitnaf Airui quii tous És ensegmants qui now ont suivis
âtrant nns 5 années dâtuûs.
-N?/t/s remerctemznts vont au.T membres drv lury qui ontvris soin
{examiner 6 trauaierésenté daru ce mémoire,.
Azrssi nttts tenoru à remercter É ,6"f {e ûvartemenf,
-M.ArM(D.rDA_ilr
-fulerci aussi ai nos amis et nos camaraûs tû vromattonvour Eur
soutten qu'i6 ont ryvorré tout au bngr ûs années û farmation
sans ou6Éer î:aus ceu.r gaf ont contrifuué au.xvrés et Æ 6in" à h
réafuatiçn û ce' maÆste tra.vai{ en varticufrer nos,fumifus your fournir u, -çoutrzn maraeour ûvrévaratton &, ce mémoire.
It
lt
IL5 Inductance d'accès de la source Concentration d'électron
N- Zone de type N fortement dopée
N- Zone de type N faiblement dopée Concentration de trou
P1 Puissance d'entrées
Pz Puissance de sortie
ad Charge accumulée sous l,électrode de drain
a Charge totale stockée dans la grille
R6 Résistance d'accès du drain R" lRésistance d'accès de la grille
Ri lRésistance intrinsèque liée aux effets non quasistatiques
Rs llésistance d'accès de la source
ls1 Matrice-S
Sij Paramètres de répartition {s; : scattering) d,indice i et j d,un multipôle
[S'"'] Matrice-S mesuré
to, Eipaisseurde l'oxyde
V6 T'ension de polarisation appliquée au substrat
V6 Tension de polarisation appliiquée au drain
Va. Tension continu
Vut D,ifférence de potentiel drain-source
Vdsat Différence de potentiel drain-source dans la région de saturation V" Tension de polarisation appliquée à la grille
Vgd Différence de potentiel grille-dra in
vss Différence de potentiel grille-source
vp Tension de pincement
vs Tension de polarisation appliquée à la source Vtr, Vr Ternsion de seuil
tYI Matrice-Y
lYrl Matrice-Y intrinsèque
Matrice-Y rnesurée
[Y*.'l
z,w Largeur du canal
I rqÉdance ca ractéristique
Matrice-Z intrinsèque Matrice-Z nesurée o)
L.
2.
3.
4.
4 4 5 5 5 6 5 7 8 8 9
!2
13 5.
6.
7.
8.
Somrnaire
Introduction générale
Chapitre I
Lel transistor MOS dans le domaine des RF Introductiion
Structure du transistor MOS les types de transistor MOS
Principe et régime de fonctionnernent
4.1. Le régirne bloqué 4.2. Le régime déplétion 4.3. Le régime d,inversion
4.3.a. Le régime linéaire 4.3.b. Le régime de soturstîan
Caractéristique électrique du transistor MOS Transistor MOSFET pour des applications RF
Les transistors TDMOS Conclusionr
Chapitre ll
Modélisation du transistor LDMOS en RF
Introduction
Exigences de la modélisation Types de modélisation
3.1. Modéliisation physique
3.2. Modéliisation phénoménologique (ou empirique)
3.3. Modélisation à base de données expérimentales (ou par tables|
Choix de la modélisation Mesures hyperfréq uences.
Méthodologie suive durant ce travail
t.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
1.4
14 L5 16 17 18 18 19 21 Conclusion 22
Introduction générale
Le dévelcrppement de fa microélectronique depuis ces 30 dernières années est véritablement spectaculaire. Ce succès résuft,e en grande partie d'un savoir-faire et d,une
maîtrise technologique de plus en plus poussés de l'élément fondamental de la
microélectronique : le silicium. Le transistor MOS {Metal Oxide Semi-condictor) est à la
fois le principal acteur et le vecteur de cette évolution technologique. ll est à la base de la conception des circuits intégrés à très larger échelle, et a mené la technologie CMOS (Complementary MOS) au rang incontesté dle technologie dominante de l'industrie du semi-conducteur. r{u fil des années, la comp,lexité des circuits intégrés a augmenté de façon continue, griice aux performances accnies des nouvelles générations de transistors
Mos {TMO6}. La rélduction constante des dimensions de ces composants est le moteur de cette course à la performance; en fait, c'est cette volonté cle toujours réduire la taille des transistors MoS qrri a entraîné toute l'industrie des semi-cronducteurs à se surpasser et à
se projeter en permanence dans le futur [L].
La mise en place de sptème performant requiert une technologie de semi- conducteur offrant des performances en termres de fréquence, puissance, rendement et linéarité toujours plus élevées. Dans la technol,ogie des semi-conducteurs lll-V, it existe un
grand nombre de structures de transistors, dont les performances correspondent à des applications spécifiques et à un domaine de fréquence donne [2J.
Aujourd'hui, même si le transistor MOS reste un composant massivement utilisé pour la conception numérique, de nombreux efforts sont portés sur la fabrication de circuits RF en technologie MOS. Depuis 2003, I'ITRS (lntematbnal Technotqy Road rnap
for Semiconductor:;)s'intéresse ainsi à l'évolution des technologies RF et Analog/Mixed- Signal pour les communications sans fiI. D)ans la vie de tous les jours, ce type d'applications se situe potentiellement à peu près partou! pour la téléphonie mobile {GSM, UMTS}, les rdlseaux sans fil {Wifi, Bluetoroth, bande lSM, Wimax) ou la localisation
et le transport {GPS, radars de proximité....} et possède encore vraisemblablement, à I'heure actuelle, une bonne marge de développement [3].
Introduction
Par rapport à ces o(igences de performances et de coûÇ une nouvelle génération de composant serni-conducteur est apparue sur la scène de l'amplification de puissance :
le LDMos {laterral Doubled Diffused iltetal oxide semiconductor] dédié à la
radiotéléphonie nrobile et utilisé dans tes étages de sortie des amplificateurs des stations de base [4].
L'objectif de ce travail s'est exprimé à travers le besoin de modèles RF pour tes technologies MoS. Nous nous somrnes penchés sur l'utilité d'un modèle empirique pour la caractérisation d'un transistor LDMOS vu que les modètes compacts sont beaucoup plus destinés aux applications numériques et présentent une grande complexité et un temps élevé pour l'extraction de leurs paramètres.
Ce mémoire comporte quatre chapitres :
Dans le premier chapitre, nous rappelons les notions de base nécessaire à la
compréhension du transistor MOSFET et ses caractéristique principales en précisant sa
structure et son principe de fonctionnement. Nous terminons par une vue globale du transistor MoS en hyperfréquence tout en déterminent le type des transistors MoS utilisés dans ce donnaine et qui est le IDMOS.
Le secondl chapitre est consacré Èr la définition de la modélisation, nous présentons les exigences de la modélisation ainsi que ses différents types et leurs avantages et inconvénients sur lesquelles nous nous somme basé pour choisir la
modélisation phéntlménologique. Nous avons, ensuite, présenté la méthodologie suivie durant notre étude.
Dans le tnrisième chapitre, nous allons présenter le schéma équivalent utilisé puis nous passons li l'extraction des éléments du boîtiers, des éléments extrinsèques et
des éléments intrinsèques en utilisant la méthode d'extraction développée par G.DAMBRINE qui erst basée sur des transfonnations successives des paramètres S en paramètres Z ou Y. l,\ous allons implémenter le modèle dans te logicielde simulation ADS.
Enfin, pourvalider notre modèle, nous optons pour des comparaisons entre simulations et mesures.
Dans Le dernier chapitre de ce trervail, nous allons étudie l'influence des éléments extrinsèques sur l'extraction des éléments intrinsèques dans différents points
de polarisation. Nous allons comrrcttre une ereur dans les valeurs des éléments extrinsèques à tour de rôle de t2% et de visualiser leum influence sur l'extraction des éléments intrinsèques Ensuite, nous augmentent cette erreur à t4g6, sur les valeurs des éléments extrinsèques pour étudier l'effet de l'amplitude de l'emeur sur les éléments intrinsèques.
A la fin, nous temrinons ce manuscrit par une conclusion générale et des perspectives.
I
:
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I
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i\
ChapftueI
Le transistor NIOS
d.ans
le
d.omained,es RF'
Le transistor MOS dans le domaine des RF
1. Introcluction
Le MOSFET est aujourd'hui le transistor le plus utilisé en microélectronique.
Alors qu'il sert principalement pour la conception de circuits numériques, son faible coût
et ses performances en font un composant de plus en plus intéressant pour les applications RF. Or; les contraintes de modélisation diffèrent selon les applications visées t3l.
Les transistors MOS se caractérisent par une impédance d'entrée élevée permettant de s'arffranchir des commandes en courant des dispositifs de puissance purement bipolairels. Les transistors MOS se distinguent également par leur facilité de conception par rapport aux transistors bipolaires: ainsi, ils consomment moins de puissance et, surtout, ils répondent aux exigences de coût [5].
Dans ce chapitre, nous présenterons dans un premier temps un bref descriptif sur le transistor Il/lOS. A savoir le principe de fonctionnement et ses caractéristiques statiques, puis nous décrirons les applications du transistor MOS dans le domaine des radiofréquences. Le cas du transistor LDMOS sera mis en relief avec les détails de ses caractéristiques et propriétés RF.
2. Structure du transistor MOS
La structure de base du transistor Métal Oxyde Semi-conducteur à effet de champ (MOSFET) est représentée par la Figure 1.1. Le transistor de type N est constitué d'un substrat de tl/pe p, dans lequel deux diffusions N* constituent les électrodes de source (S) et de drain {D}. On réalise sur le substrat une capacité MOS entre la source et le drain. La région de longueur L entre les jonctions de source et de drain est appelée canal. L'électrode de commande de la capacité MOS constitue la grille du transistor {G}
[6]. Dans les circuills intégrés, le transistor MOS est généralement isolé des composants voisins par des tranchées d'isolation [4].
4
Le transistor MOSdq:l3 3o-"ine do 3I
Figure 1.1 : Schéma d'un IvIOSFET de type N
3. Les ty'pes de transistor MOS
pour un MOSFET, Les deux types fondamentaux sont les MOSFET à
appauvrissement et les MOSFET à enrichissemenrt. On peut distinguer le MOSFET canal N
(le courant provitxt du déplacement d'électrons) et le MOSFET canal P {le courant provient du déplar:ement des trous). Les transistors MOS à enrichissement sont bloqués sans tension de commande sur la grille, ils deviennent passants à partir d'une certaine tension de grille 1l'*. Plus lVs" l>lVrr,l, plus le ltransistordevient passant. Les transistors
MOS à appauvrissement sont passants sans tension de commande sur la grille [7].
ltlu
E3
Çs
lrJ(, Ë) o3)
Figure 1.2 : Structure du MOS à enrichissement canal N
Figure 1.3 : Structure du MOS à appauvrissement canal N
4. Principe et régime de fonctionnement
Lorsque lla tension grille-source est nulle, aucun courant ne peut traverser le dispositif. Si on arpplique une tension Vu, posittive entre grille et source, les électrons apparaissant dan:s la zone P se combinent al,ec les trous et forment une zone sans charges mobiles :;ous la grille. Si on augmente la tension V*", les électrons deviennent
ÊRILLE trRILLE
Chapitre I Le transistor MOS dans le domaine des RF
majoritaires et créernt une zone N sous la grille. On parle alors de zone d'inversion. Dans ce cas, un courant peut sfétablir entre drain et source [8].
Cette différence de potentiel V*r. Crée des zones de fonctionnement :
4.1. Le rérgime bloqué
Lorsque V;" < 0, la couche de type lP proche de I'isolant est en régime d'enrichissement en trous {porteurs majoritaires}, et le trajet Source-Drain est constitué de deux jonctions F'-N (diodes) têtebêche. ll est rJonc non conducteur et on dit alors que le transistor est blorqué [7].
4.2. Le régime déplétion
Pour 0 É !'u"<V*, où V6 est une tension de seuil { positive pour un N-MOS}, et pour Vu. nul ou faible, la couche proche de I'isolant passe progressivement en mode de déplétion, le trajet source-drain reste bloqué mais; se rapproche de la conduction. (Figure
| .4t t7l.
Figure 1.4: Transistor N-MOS avec une zone de déplétion [7]
4.3. Le régime d'inversion
Pour V*>Vto , la structure MOS est en rdlgime d'inversion, un canal de type N se forme au voisinage de I'interface avec I'isolant et rconstitue un circuit conducteur entre les deux zones N*. Un courant électronique peut alons circuler de la source vers le drain. Le
transistor est alors rlit conducteur ou passant. {Fig;ure 1.5) [7].
SUBSTRATE (psi) DEpLËT1ON REclgN
Le tra4sistor IVFSdans le domaine des RF
SUBSTRATE(F.E) of,n^Eno\rrcfir\
$igure 1.5: Coupe de transistor N_MOS avec une zone d'inversion [7].
Dans ce mode et en fonction de la polarisation du drain V6,, on a principalement Deux régimes : le régime linéaire et le régime de saturation [9] :
4.3.a. Le rdlgime linéaire
Une fois ler canal formé, si une tension de drain est appliquée, un courant circule entre le drain et la source (Figure 1.6). La variation de la tension Iâ" modifie la couche d'inversion et fait ainsi varier la conductance du canal. Tant que la tension de drain Vu" reste faible, le courant reste proportionnel à la tension Va" appliquée. Le composant fonctionne en régirne linéaire dans lequel le canal se comporte comme une résistance contrôlée par la tension de griile Vs" t4l.
Figure 1.6 : Coupe de transistor N-MOS en régime linéaire [7]
Le transistor MOS dans le domaine des RF
4.3.b. [e régime de saturation
Plus la terrsion Vo, appliquée est élevéer,, plus le potentiel côté drain diminue. De ce fait la densité cl'électrons et également la corrductance diminuent. Le courant de drain n'est alors plus proportionnel à Vo" et aboutit à un phénomène de saturation du courant.
Durant ce régime, le courant est alors indépendarnt de la tension de drain appliquée. pour une tension appliqruée entre la grille et le drain (ltc, - V6r) égale à la tension de seuil Vo, le canal se pince côté drain et la conductivité du canal s'annule au voisinage du drain. La
tension de drain à laquelle le pincement a lieu e:;t appelée tension de saturation V4r"., êt le courant co*esporndant est appelé courant de saturation Iu"". {Figure r.7) t4l.
Vcs={ V,x> Vr
Vos> Vos.rr
SUBSTRATf, (p-Si) pn\Cil.Ot.F ,/=L
P(lrfrr {)EPL[TI()NREGION
Figune r,7 : coupe de transistor N-tïdos en régime saturé [7]
En continu;ant d'augmenter la tension de drain, la longueur effective du canal diminue progressiverment et le point de pincement se rapproche de la source. La région voisine du drain n'e:;t plus en inversion. Dans ces r:onditions, le courant est transporté par les porteurs libres dans le canal conducteur jusqu'au point de pincemenf ces porteurs sont ensuite propulsés vers l'électrode de drain ;rar te fort champ électrique qui existe dans la région désertée. La tension aux bomes du canal reste constante et égale à Voru..
Si fa variation relati've AL/L de la longueur du canal est faible, le courant de drain est égal à lor", et indép,endant de Vu, [4].
5 .Caractéiristigue électrique du transistor MOS
Les transistors MOS sont caractérisés éterctriquement en utilisant les graphiques Iur= f(Vr"l et I4r= l(Varl. Ces caractéristique sont schématisées en (Figure 1.8| ce qui permet de relier les différents régimes de la capacité MOS définis dans le paragraphe précédent aux modes de fonctionnement du transistor MosFET [10].
?I
{n'}
Le transistor MOS dans le domaine des RF
Jusqu'à la saturation, les courbes sont des moitiés de parabole inversées, pincement début de la saturation [1L].
V6=V'-V,1 iil s,agit de tension ohmiques du régime saturé [12].
V6u"1=Vss-Vrh
Régime I I Régime
r Ohmique rl c Saturé r
I
de la caractéristique I6"=f {V6"}. (Figure t.g.b}
dont le-s sommets correspondent au point de
[ide
r Blogué n
lMode
r Piassant r
la"
+3ÂV
Vgs=Vr,
(b)
Figure 1.8 : Caractérristique de transfert {a) et de sortie (b} d'un transistor MoS de type N
Bien évidemment on peut utiliser ce transistor en amplification dans sa zone
linéaire, mais le domaine d'application de ce type de transistor est surtout la commutation [1L].
lc"
Vs"
(a)
de saturation Vuo, qui sépare les régimes
6. Transisltor MOSFT pour des application RF
En 1965, le premier circuit intégré n'avait que quatre ans mais Gordon Moore prédit que la densité de transistors sur circuits intégrés devrait doubler tous les 12 mois pour les dix prochain,es années. Cette prévision est révisée en 1.975 à un doublement tous les 18 mois et devient connue sous re nom de ta loi de Moore {Figure l.g) tsl.
V*=V*+AV
Le transistor MOSdans le domaine des RF
MOORTI'S LA\ry 'fransisfors
100,000.000
10,000,000
t.000.000
100,000
Itf,0{}0
|,00{f 2005 Prrrlitnr. { proresror .)
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*U*U -r/
8(108 - / Jorf{ yY
t970 t975 ir*o rsrs 1990 regs 200û
Figure 1.9 : Loi de Moore
Par rapport aux transistors bipolaires, les transistors MOS présentent un certain nombre de propriétés intéressantes pour les applications de puissance: ils sont rapides et leur impédance d'entrée est très grande en basse fréquence ; en outre, ils ont une
propriété très importante : ils sont très stables thermiquement car te coefficient de température du courant de drain, à tensions de grille et de drain imposées, est négatif.
Cela permet de réaliser des composants de fort calibre en courant par la mise en parallèle de plusieurs MOS [13].
Les communications sans fil, sont aujourd'hui inséparables de la vie quotidienne moderne et continuernt à s'y intégrer, à commencer par le téléphone portable, les réseaux internet sans fil (WILAN), les systèmes Bluetooth, les radars anticollision de véhicules, jusqu'à la souris et le clavier de l'ordinateur sans fil. Toutes ces applications font partie intégrale du domainre des radiofréquences {RF), et elles se sont développées grâce au progrès des transistors et de leur performance [j.j.].
L'amélioratiron des performances et de l'intégration des technologies CMOS a
permis le progrès des circuits numérlques, grâce à ta réduction des dimensions du transistor- Cette diminution de la longueur de grille s'accompagne d'une augmentation de la fréquence de tran:;ition du dispositif. Elle reflète donc les performances dynamiques du transistor et permet d'estimer la gamme de fréquence dans laquelle le dispositif peut être utilisé. La fréquence de transition augmente de façon inversement proportionnelle à la 10
Le transistor MOS dans le domaine des RF
longueur de grille du transistor. La réduction des dimensions permet dès lors d,envisager une utilisation du trcnsistor Mos pour des applications radiofréquences [14].
Les fabricarnts de composants semi-conducteurs {transistors bipolaires, transistors
à effet de champ) se sont lancés dans la < bataille r permettant de répondre aux exigences des systràmes de communication en termes de puissance, de perfonnances en gain et linéarité, d'r-'ncapsulation et de coût de revient. En effet, ces différents dispositifs semi-conducteurs s;ont nécessaires pour les étages émetteurs et récepteurs dans les
divers équipements qui utilisent le spectre hertzien depuis le téléphone portable, jusqu'aux stations cle bases et aux satellites. Les filières sur Arséniure de Gailium (GaAs) sont actuellement l,es plus performantes du fait des propriétés physiques intrinsèques et permettent d'obtenir de meilleures caractéristiques aux fréquences élevées (figure 1.10).
Cependant les technologies Silicium {MOSFET et bipolaire} sont très matures et offrent des composants avrec des performances très honorables à des coûts relativement plus faibles, ce qui reste un atout majeur dans te contexte actuel où le marché du tétéphone cellulaire est très sensible au prix de revient des composants [12J.
t l: \sit(l\ tl".lt.t \t1:\'T.\ n{}\
| 00v lll:$l']:f sit' llJl'si l.lrlt(ts si
tûv
IV I:réquence
0. lGl lz l$l{z l0Cllz l00Gl"lz
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Figure 1.10 : Technologies disponibles pour l'ampfification de puissance
Le MOSFET est donc de plus en plus utilisé pour des applications RF. Avec l'évolution des technologies dans le domaine des circuits intégrés MOS et par rapport aux exigences de perforrmances et de coût, cités auparavan! une nouvelle génération de composant semi-conducteurs est apparue sur la scène de l'amplification de puissance :
les transistors DMOS de puissance [9].
11
Le transistor ItpS le domaine des RF
ll existe deux types de transistors DMOS de puissance : les transistors discrets (structures verticales) {vDMOs} et les transistors intégrés {structures latérales en général}
{IDMOS}. Les transistors LDMOS sont utilisés pour des applications de puissance basses tensions radiofréquences ne dépassant pas des tensions de l&l volts [15J.
Nous nous intéresserons dans ce travail aux transistors LDMos.
7. Transistors LDMOS
Les transistors IDMOS {Lateraly Diffused Metal Oxydz Semi-conductor} sont largement utilisés pour les applications d'amplification de puissance. Le canal d,électron
est engendré sous la grille par l'agencenent de couches dopées positivement et négativement comme les montre la (Figure 1.11). Le contrôle du canal est réalisé latéralement par l'établissement d'une tension de grille positive [9t.
Gate
Figure 1.11 : Coupe d'un transistor TDMOS
Ces transistors, obtenus par le procédé de double diffusion, se distinguent du MOSFET par un puit dopé P* {sinker} qui assure la continuité électrique entre les sources des composants élémentaires et la masse connectée au substrat p. L'avantage évident, est de diminuer le nombre de contacts qui rend le IDMOS plus facile à intégrer. Le
contact direct Source-Substrat élimine les fils de connexion supplérnentaires. La
performance RF d'un tel contact est meilleure, parce que I'inductance de la source est
.t *.\
\À
rÉ")j ,/lt
a,tla./
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Source
L2
Le transistor MOSdans le domaine des RF
réduite. Par conséquent I'intégrôtion du dispositif devient beaucoup plus facile du fait qu'on a seulement deux contacts, Drain et Grille [j.2].
Les transistors LDMOS sont aussi caractérisés par une zone N-située entre la fin du canal d'inversion et le drain N*, zone appelée drift ou extension de drain (LDD de : tightly Doped Drain), ceci a pour bu! l'augmentation de la tension de claquage [12].
Ces deux seules différances autorisent la réalisation de transistor de puissance avec des tensions d'alimentation et de claquage élevées [].6]. La tension de claquage du
tDMos dépend dinectement de la distance séparant la grille du drain [1L].
Sa très large utilisation dans le domaine des amplificateurs de puissance radiofréquence {réseaux de télécommunications) ses principaux points forts sont : le faible coût de production des composants et leur fort rendement [12].
Un autre grand avantage du TDMOS réside dans sa facilité d'intégration dans des
circuits RF puisqu"il permet de disposer des électrodes de drain et de grille sur la face avant de la puce. Cette topologie permet donc l'utilisation de linges micro-rubans, de capacités planaires et d'inductances intégrées pour réaliser des circuits et notamment des amplificateurs RF d,e puissance [17].
Son principal inconvénient est sa limitation en fréquence {en général 3GHz, sauf dans un travail, à notre connaissance, on a pu monter en fréquence jusqu'à 6GHz) [12].
8. Conclusion
Ce chapitn-' est consacré à l'étude du transistor MOSFET. Nous avons donné un
rappel sur transistcr MOS, son fonctionnement ainsi que ses différents types et leur utilisation dans le dlomaine des RF. La technologie MOS tend à être de plus en plus utilisé dans la conception des circuits RF pour cela, le comportement RF du transistor MOS doit être abordé et modrilise de façon appropriée.
13
ChapitueII
Modélisation du transistor
LDMOS en RF
