guide de . l'ingénieur

guide de . l'ingénieur

semiconducteurs

édition 1976

··Fi--

R.T.C. LA RADIOTECHNIQUE-COMPELEC

INTRODUCTION Code de désignation .Abréviations employées Symboles utilisés Table alphanumérique

- TRANSISTORS PETITS SIGNAUX

Transistors Germanium alliés

Transistors Siliciu m Darlington

Transistors

à

effet de champ

Semiconducteurs boîtiers plastiques

- TRANSISTORS EMISSION

Transistors de puissance Transistors pour amplification

- TRANSISTORS HYPERFREQUENCES DIODES HYPERFREQUENCES

Diodes

à

effet Gunn

Diodes mélangeuses Varactors

Oscillateurs Gunn Klystrons

Aériens adaptables Cavités

- TRANSISTORS DE PUISSANCE

Transistors de puissance silicium Transistors de puissance germanium Transistors Mesa

Darlington

REDRESSEURS

Redresseurs usages généraux Redresseurs rapides

Diodes de récupération Ponts moulés

Redresseurs avalanche Redresseurs haute tension Multiplicateurs de tension

page

3 4 5 6 7 21 22 23 29 30 32 35 36 37 39 43 44 46 47 50 51 52 53 55 56 56 57 58 61 63 64 64 64 65 65 65

sommaire •

Redresseurs très haute tension

- TRYRISTORS - TRIACS

DIODES

Diodes de stgnal silicium Diodes

à

variation de capacité Diodes schottky

Diodes de référence Diodes tunnel

Duodiodes écrêteuses Diodes de régulation

OPTOELECTRONIQUE

Photopiles solaires Afficheurs numériques Voyants électroluminescents Diodes électroluminescentes Photodiodes

Phototransistors Photocoupleurs

Cellules photoconductrices

~nsembles d'émetteurs infrarouge et photo- transistors

Détecteurs infrarouge Bolomètres

Détecteurs photoconducteurs

Facteur de conversion des unités photomé- triques

BOITIERS ACCESSOIRES

68 71 77 78 80 81 81 82 82 83 91 92 94 94 96 96 98 100 102 103

104

105

107

109

introduction

\

utilisation de la table alphanumérique des dispositifs à semiconducteurs

Les numéros de pages renvoient aux planches de caractéristiques dans chaque partie de la brochure, transistors d'une part, diodes, redresseurs et thyristors, d'autre part.

La colonne « Exploitation» a pour but d'orienter l'utilisateur éventuel:

D* nouveau type recommandé pour études nouvelles (fourniture en quantités encore limitées) ; D type existant recommandé pour études actuelles;

C matériel pour fabrication en cours;

M matériel pour la maintenance seulement.

Dans la colonne « Homologations CCT» figurent les types homologués par le Comité de Coordination des Télécommunications (HL en précisant le cas échéant s'ils font l'objet d'un contrôle centralisé (C).

La colonne « Listes G.A.M. » (Guerre, Air, Marine) a pour but de préciser si le type considéré figure sur la liste préférentielle (PL Guide (G) ou Maintenance (M).

code de désignation

pour dispositifs à semiconducteurs

Ce code s' applique aux composants comportant ou ne comportant pas de jonction, et aux dispositifs multiples.

Un dispositif multiple est défini comme étant constitué par une combinaison d'éléments actifs semblables ou dissemblables incorporés dans une enveloppe commune qui ne peut être démontée , les électrodes de chaque élément étant accessibles à l'extérieur.

Cette désignation consiste en :

DEUX LETTRES SUIVIES D'UN CODE D'ORDRE Exemple et explication:

A A 100

~1---~TlI--C:~---~l

Première lettre:

Elle permet une distinction entre lBS dispositifs à jonction et sans jonction, et donne une indication relative au matériau

Dispositifs à jonction

A Dispositifs à une ou plusieurs jonc- tions, réalisés avec un matériau dont la bande interdite correspond à un niveau d'énergie compris entre 0,6 et 1 eV, par exemple le germanium B Dispositifs à une ou plusieurs jonc-

tions réalisés avec un matériau dont la bande interdite correspond à un niveau d'énergie allant de 1 à 1,3 eV, par exemple le silicium

C Dispositifs à une ou plusieurs jonc- tions réalisés avec un matériau dont la bande interdite correspond à un niveau d'énergie supérieur à 1,3 eV, l'arséniure de gallium par exemple D Dispositifs à une ou plusieurs jonc-

tions réalisés avec un matériau dont la bande interdite correspond à un niveau d'énergie inférieur à 0,6 eV, tel que l'antimoniure d'indium Dispositifs sans jonction

R Dispositifs sans jonction réalisés avec des matériaux tels que ceux que l'on emploie dans les générateurs à effet Hall ou les cellules photo- conductrices

(1) Pour la désignation de type dans une gamme de dispositif donnée, voir page suivante.

Seconde lettre : Elle indique en premier lieu l'application principale et éventuellement l'appli- cation principale plus une indication relative à la fabrication lorsque celle-ci est nécessaire

A Diode de détection, diode mélanÇleuse ou diode de commutation rapide

B Diode à variation de capacité

C Transistor pour audiofréquences (résistance thermique entre jonction et fond de boîtier supérieure à 15 aCfWl

D Transistor de puissance pour audiofréquences (résistance thermique entre jonction et fond de boîtier inférieure ou égale à 15 aC/W1 E Diode tunnel

F Transistor pour radiofréquences (résistance thermique entre jonction et fond de boîtier supérieure à 15 aC/W1

G Dispositifs multiples composés d'éléments dissemblables

H Mesureur de champ

K Générateur à effet Hall en circuit magnétique ouvert, ex. : sonde de mesure magnétomètre L Transistor de puissance pour radiofréquences (résistance thermique entre la jonction et le fond de boîtier inférieure ou égale à 15 aC/W1 M Générateur à effet Hall opérant en circuit maÇlnétique fermé électriquement entretenu, ex. : modulateur ou multiplicateur de Hall.

P Dispositif sensible aux radiations Q Dispositif générateur de radiations

R Dispositif à déclenchement électrique présen- tant une caractéristique d'avalanche et des- tiné aux applications' de commutation, ou de contrôle d'énergie (résistance thermique entre la jonction et le fond de boîtier supérieu re à 15 aCfWl

S Transistor destiné aux applications de commu- tation (résistance thermique entre la jonction et le fond de boîtier supérieure à 15 aC/W1 T Dispositif à déclenchement par signal élec-

trique ou lumineux présentant une caractéris- tique d'avalanche et destiné aux applications de commutation ou de contrôle d'énergie (résistance thermique entre la jonction et le fond de boîtier inférieure ou égale à 15 aC/W1 (Il

U Transistor de puissance destiné aux applica- tions de commutation (résistance thermique entre la jonction et le fond de boîtier inférieure ou égale à 15 aC/W1

X Diode pour multiplicateur, par exemple varac- tor ou "step recovery diode"

y Diode de redressement "booster diode ",

"efficiency diode" (11

Z Diode régulatrice de tension ou diode de référence (Il

1

8 C V 10

Code d'ordre:

Trois chiffres pour les dispositifs semi- conducteurs destinés plus particulièrement aux applications dans le domaine grand public

Une lettre et deux chiffres pour les dispositifs semiconducteurs destinés plus particulièrement aux équipements profes-

sionnels. .

1

désignation de type d'une gamme de dispositifs à semiconducteurs

Ces désignations concernent :

(a) Les diodes régulatrices de tension ou les diodes de référence (seconde lettre Z) (b) Les diodes de redressement (seconde lettre Y)

(c) Les thyristors (seconde lettre T)

Chacun des types appartenant respectivement

à

une gamme ou type de base désigné par le code précédent, sera défini

à

l'aide d'un suffixe séparé de la désignation de gamme

à

l'aide d'un tiret,

Exemple et explication Premier cas:

BZV 99 - C 4V7 R

J T~T

1 1 1

Désignation Lettre indiquant

Valeur typique de la tension

la tolérance sur Polarité

du type de base

la tension de Zener de Zener en volts

D'après le code défini A 1% La valeur typique de la tension de La polarité dite normale, c'est-à-dire lorsque à la page précédente. Zener est donnée pour le courant la cathode est reliée au boîtier, n'est pas

B 2% ^nominal choisi pour toute la gamme. spécialement indiquée.

C 5% ^{La lettre V est} employée en lieu et Dans le cas de polarité inverse, c'est-à-dire D 10% ^{place de la vi}rgule chaque fois que lorsque l'anode est reliée au boîtier, on E 15 % ^{celle-ci serait} nécessaire, spécifie la lettre R,

Second et troisième cas:

BTV 99 100 R

1 1 1

BYV 99 100 R

1 TT

1 1 1

Désignation du type de base Valeur maximale de tention inverse Polarité de crête récurrente exprimée en volts

D'après le code défini à la page Dans le cas des thyristors, il s'agit de la valeur La polarité dite normale, c'est-à-dire lorsque la précédente. maximale de tension inverse de crête récurrente, cathode est reliée au boîtier n'est pas spéciale-

ou de la valeur maximale de la tension de crête lement indiquée.

récurrente applicable entre anode et cathode à Dans le cas de polarité inverse, c'est-à-dire l'état bloqué; on exprime la plus faible de ces lorsque l'anode est reliée au boîtier, on spécifie

deux valeurs. la lettre R.

abréviations employées dans les planches de caractéristiques

Technologie (Tech.) Dans les tableaux, lire:

- A Alliage D Diffusion M Mésa ME Mésa épitaxié P Planar PE Planar épitaxié - AD Allié diffusé

symboles utilisés dans le guide

VCB VEB ICM PI 01

PG Po h21E

le VCE8al

fT F Vos VGS VGS (P) 10 loss rGS

1 y21S 1

TRANSISTORS Tension collecteur base Tension émetteur base

Courant collecteur maximal récurrent Puissance dissipable au collecteur Gain en puissance

Puissance de sortie

Gain en courant continu en montage émetteur commun

Courant collecteur

Tension de saturation entre collecteur et émetteur

Fréquence de transition Bruit

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP Tension drain -source

Tension porte source

Tension porte source au blocage Courant de drain

Courant drain source (porte et source en court- circuit)

Résistance porte source

Admittance directe de transfert en mont'lge source commune

ELEMENTS DE COMMUTATION BISTABLE VFAKO Tension directe anode cathode

VRAKO VRGaAO VRGkKO IFAM IFGaM

VRM IFM IFAY VF IF IR VR

Vz _Iz

1

rz IF IFAV IFRM IFSM IR IRRM VF VR VBR(R) VRWM VRRM VRSM PRAY PRRM PRSM

Rlh Zlh Tamb Tmb Tj

Irr

Tension inverse anode cathode

Tension inverse entre porte anodique et anode Tension inverse entre porte cathodique et cathode Courant direct d'anode (valeur maximale) Courant direct de porte anodique (valeur maximale)

DIODES DE SIGNAL Tension inverse de crête récurrente Courant direct de crête récurrent Courant direct moyen ou continu Chute de tension directe Courant direct

Courant inverse Tension inverse

DIODES ZENER Tension de Zener

Courant inverse injecté Résistance dynamique

REDRESSEURS Courant direct (coQtinu ou moyen) Courant direct moyen

Courant direct récurrent (valeur de pointe) Courant direct non récurrent (valeur de pointe) Courant inverse (continu)

Courant inverse récurrent (valeur de pointe) Tension directe continue

Tension inverse continue Tensioninverse d'avalanche

Tension inverse récurrente (valeur de crête) Tension inverse récurrente (valeur de pointe) Tension inverse non récurrente (valeur de pointe) Puissance de dissipation inverse moyenne Puissance de dissipation récurrente inverse Puissance de dissipation non récurrente (valeur de pointe)

Résistance thermique

Impédance thermique transistoire Température ambiante

Température du fond de boîtier Température de jonction- Temps de recouvrement inverse

h(RMS) hSM 10 10RM losM VI(RMS) VIWM VISM Vo 10 IT IT(AV) IT(RMS) ITRM ITSM ITS(RMS) IH IGT IFGM IRG Vo VT VOWM VDRM VDSM VBO VR VBR(R) VRWM VRRM VRSM VFGM VRGM VGO VGT PGAV PGM PRAY dVo dt diT dt tq

t(on) td

tr

PONTS REDRESSEURS Valeur efficace du courant d'entrée-

Courant d'entrée accidentel non récurrent (valeur de pointe)

Courant moyen redressé

Courant de sortie récurrent (valeur de pointe) Courant de sortie accidentel (valeur de pointe) Tension d'entrée (efficace)

Tension d'entrée récurrente (valeur de crête) Tension d'entrée non récurrente (valeur de pointe) Tension moyenne redressée

THYRISTORS Courant continu (état bloqué) Courant continu (état conducteur) Courant moyen anode cathode Courant efficace anode cathode

Courant anode cathode récurrent (valeur de pointe)

Courant anode cathode non récurrent (valeur de pointe)

Valeur efficace du courant non récurrent

Courant de maintien

Courant de gâchette pour amorcer le thyristor Courant direct de gâchette (valeur de pointe) Courant inverse de gâchette

Tension continue (état bloqué) Tension continue (état conducteurT

Tension directe récurrente à l'état bloqué (valeur de crête)

Tension directe récurrente à l'état bloqué (valeur de pointe)

Tension non récurrente à l'état bloqué (valeur de pointe)

Tension directe de retournement Tension inverse continue Tension inverse d'avalanche

Tension inverse récurrente (valeur de crête) Tension inverse récurrente (valeur de pointe) Tension inverse non récurrente (valeur de pointe) Tension directe gâchette cathode (valeur de pointe)

Tension inverse gâchette cathode (valeur de

!Jointe)

Tension gâchette cathode n'amorçant pas le thyristor

Tension gâchette cathode qui amorce le thyristor Puissance dissipable de gâchette (valeur moyenne)

Puissance dissipable de gâchette (valeur de pointe)

Puissance dissipable inverse (valeur moyenne) Vitesse de croissance de la tension directe Anode cathode pour lequel il n'y a pas d'amorçage non contrôlé

Vitesse de croissance du courant direct anode-cathode

Temps de blocage : temps requis pour la reprise de commande par la gâchette après interruption du courant anode cathode

temps de réponse (td + tr)

temps requis après amorçage pour une diminution de 10 % de la tension initiale anode cathode à l'état bloqué

Temps requis après amorçage pour une

diminution de 10 % à 90 % de la tension initiale anode cathode à l'état bloqué_

table alphanumérique

c ~

Exploitation .Q :l

en P N ::l~ ^Cil

.Nz

Q) 0>. -

0> TYPES Matériaux N P Applications

ûî<i ^ou U«

cu

oU

^cf-

e.. P N ::iej

E

EO

O· 0 C M 0 0

J:

z

79 2-x AA 119 Ge Détection symétrique

•

^X

46 AAY34 Ge Diode mélangeuse

•

46 AAY56 Ge Diode mélangeuse

•

46 AAY 56 R Ge Diode mélangeuse

•

46 AAY59 Ge Diode mélangeuse

•

46 2-AAY 59 M Ge Diode mélangeuse

•

79 AAZ 15 Ge Commutation

•

^X

79 ₇₉ AAZ17 AAZ 18 Ge Ge CommutCommutation ation

• •

^{X X}

22 AC 125 Ge

•

^A.F.

•

22 AC 126 Ge

•

^A.F.

•

22 AC 127 Ge

•

^A.F.

•

22 AC 128 Ge

•

^A.F.

•

^X

22 AC 132 Ge

•

Puissance A.F.

•

^X

22 AC 187 Ge

•

Puissance A.F.

•

^X

22 52 ₅₈ 58 58 ₅₈ 58 ₅₂ AC 188 ACX01 AD 149 AD 161 AD 161AD 162 ^{2-AD 162} ADX01 -AD 162 Ge Ge Ge Ge Ge ^Ge

• • • • • • •

^A.F. A^A.F. Aérien Puissance A.F^PuiPuissance A.F. Puissance A.Férien adaptable sur cavités guides ssance A.F. adaptable pour cavités guides . .

• • • • • • • •

82 82 AEY25 AEY26 Ge Ge Diode tunnel Diode tunnel

• •

26 AF 124 Ge

•

^R.F.

•

^X

26 AF125 Ge

•

^R.F.

•

^X

26 AF126 Ge

•

^R.F.

•

^X

26 AF 127 Ge

•

^R.F.

•

26 AF139 Ge

•

^V.H.F.

•

26 AF239 Ge

•

^U.H.F.

•

26 AF367 Ge

•

^U.H.F.

•

26 26 AF369 AF379 Ge Ge

• •

Oscillateur V.H.F.-U.H.F. U.H.F.-gain fixe

• •

22 ASY26 Ge

•

Commutation

•

^{H X}

22 ^{ASY27 Ge}

•

Commutation

•

^{H X}

22 ASY28 Ge

•

Commutation

•

^{H X}

22 22 ASY29 ASY73 Ge Ge

• •

Commutation Commutation

• •

^{H X}

22 ASY74 Ge

•

Commutation

•

22 22 22 22 ₅₈ 58 58 58 80 80 80 80 80 _{79 81 78} 78 79 ₇₉ 81 81 81 78 ASY76 ASZ15 ASZ16 ASY75 ASY77 ASY80 ASZ17 ASZ18 BA 102 BA 102 B BA 102 C BA314 BA315 BA316 BA 102 A ^{BA 102 D} BA 182 BA220 BA221 BA 222 BA 243 BA 244 ^BA280 Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Si Si Si Si ^Si Si Si Si Si Si Si ^Si Si Si Si

• • • • • • • •

« Commutation Commutation Commutation Commutation ^Puissance Commutation Commutation Capacité variable Capacité variable Capacité variable Capacité variable Capacité variable Commutation Grand Public Grand Public Grand Public Grand Public Industriel et grand public Industriel et grand public Industriel et grand public Industriel et grand public ^Puissance Stabistor »

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^{M M X X X X X X}

78 BA 317 Si Industriel et grand public

•

78 BA318 Si Industriel et grand public

•

79 79 80 78 78 ^{BA 343} BA 344 BA 379 BAS 11 BAS12 Si ^Si Si Si ^Si Grand public Grand public Industriel et grand public Commutation Commutation

• • • • •

46 46 46 _{46 46} 46 BAT 39 BAT39A BAT 50 BAT 50 R BAT 51 R BAT 51 Ge Ge Ge Ge Ge Ge Diode mélangeuse Diode mélangeuse Diode mélangeuse Diode mélangeuse Diode mélangeuse Diode mélangeuse

• • • • • •

7

C ~ Exploitation ⁰

P N ^{.;::; :::>}

CIl ~~ ^{cu ~z}

Q) TYPES ^O>f--

0> Matériaux N P Applications tic::(

ou

^ü<t

cu ^Cf--

a. P N ~0

oU

E

EO

D* D C M 0 0

I

z

46 BAT 52 Ge Diode mélangeuse

•

46 BAT 52 R Ge Diode mélangeuse

•

78 BAV10 Si Commutation

•

78 BAV18 Si Commutation

•

78 BAV19 Si Commutation

•

^H

78 BAV20 Si Commutation

•

^H

78 BAV21 Si Commutation

•

^H

78 BAV45 Si Circuit de protection

•

46 BAV46 ^Si Diode mélangeuse Schottky

•

32 BAV56 Si Circuit hybride

•

32/34/78 _{46 46 46 46} BAV70 _{BAV75 BAV96 B BAV96C BAV96 0} Si _{Si Si} Si _Si Circuit hybride Diode Schottky Diode Schottky Diode Schottky Diode Schottky

• • • • •

32/34/78 34/78 46 ₄₆ 46 ₈₀ 80 _{80 78} 78 78 _{46 78} 78 _{78 78} 78 _{47 80 80 80 80 80 80 80} BAV99 _{BAW21 A} BAW21 B BAW56 BAW62 BAW95 0 _{BAW95 E BAW95 F} BAW95 G _{BAX 12} BAX 13 _{BAX 16 BAX 17} BAX18 _{BAY 96 BB 105 B BB 105 G BB 106 BB 109 G BB 204 B BB204G BB205 B} BB205 G _{BB206 BB213} Si Si Si Si Si Si _{Si Si} ^Si Si Si _{Si Si} Si _{Si Si Si} Si Si _{Si Si Si} Si _{Si Si} Circuits hybrides (double diode) Diode mélangeuse Diode mélangeuse Circuit hybride CommutatDiode mélangeuse Diode mélangeuse Commutation Commutation Commutation Usage industriel Usage industriel Varactor Variation de capacité Variation de capacité Variation· Diode mélangeuse Diode mélangeuse Variation de capacité Variation de capacité Variation de capacité Variation de capacité Variation de capacité Variation de capacité Variation de capacité de capacité ion rapide

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^{H H}

32/34/80 ₂₄ 24 24 24 24 ₂₄ 24 24 24 _{24 24} 24 24 _{24 24} 24 ₂₄ 24 23 23 23 23 23 23 23 23 ₂₃ 23 23 23 23 23 23 23 23 23 23 23 BBY 31 _{BC 107} BC 107 A BC 107 B BC 108 BC 108 A _{BC 108 B BC 108 C BC109} BC 109 B _{BC 109 C} BC 146 Rouge BC BC 146 Vert _{BC 147 BC 148} BC 149 _{BC 149 B BC 149 C} BC 157 BC 157 A BC 158 BC 158 A BC 158 B BC 159 BC 159 A _{BC 159 B BC 159 C} BC 177 BC \77 A BC200Jaune BC 177 B BC 178 BC BC 178 B BC 179 BC _{BC 179 B} BC200 Rouge 146 Jaune 178 A 179 A Si Si Si Si _Si ^Si Si ^Si Si Si Si Si Si Si Si Si ^{Si Si} Si ^Si Si Si Si ^{Si Si} Si Si Si Si Si Si ^{Si Si} Si Si Si Si Si Si

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^AF. Circuit hybride ^{AF. AF. AF. AF. AF. AF. AAF. AF.} Usage général miniature Usage général miniature ^{AF. AF. AFAF. AF. AF. AFAFAF. AF.} Usage général miniature ^{A.F. A.F. AF. AF. AF. AF. AF. AF. AF. AAAF. A}Usage général miniature Usage général miniature ^{.F. .F. .F. .F. . . .}

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • ^{• • •} • • ^{• • • •}

8

c ~ Exploitation

. g

^:::l

Vl P N ~~ ^C1l .§z

Q) Clf-

Cl TYPES Matériaux N P Applications

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EO

0* 0 C M 0 0

I

z

23

BC 200 Vert Si

•

Usage général miniature

•

30

BC264A Si

•

F.E.T., usage général

•

30

BC264B ^Si

•

F.E.T., usage général

•

30

BC264C Si

•

F.E.T., usage général

•

30

BC264 D Si

•

F.E.T., usage général

•

23

BC327 ^Si

•

^A.F.

•

23

BC328 Si

•

^A.F.

^•

25

BC337 ^Si

•

^A.F.

•

25

BC 337/16 Si

•

^AF.

•

25

BC 337/25 ^Si

•

^AF.

•

25

BC338 ^Si

•

^A.F.

•

25

BC338/16 Si

•

^AF.

^•

25

BC 338/25 Si

•

^A.F.

^•

24

BC368 Si

•

AF. petite puissance

•

23

BC369 Si

•

AF. petite puissance

•

24

BC407 ^Si

•

^A.F.

•

24

BC408 Si

•

^AF.

•

24

BC409 Si

•

^AF.

•

24

BC409 B Si

•

^A.F.

•

24

BC409 C Si

•

^A.F.

•

23

BC417 Si

•

^AF.

•

23

BC418 Si

•

^AF.

•

23

BC418A Si

•

^A.F.

^•

23

BC418B Si

•

^A.F.

^•

23

BC419 ^Si

•

^AF.

^•

23

BC419A ^Si

•

^AF.

•

23

BC419B Si

•

^A.F.

•

24

BC546 ^Si

•

Préampli A.F.

•

24

BC 546 A Si

•

^{Préampli A.F.}

^•

24

BC546 B Si

•

Préampli AF.

•

24

BC547 Si

•

Préampli AF.

•

24

BC 547 A Si

•

Préampli AF.

•

24 ₂₄ 24 ₂₄

BC 547 B _BC548 BC 548 A _{BC548 B} ^Si Si Si Si

• • • •

Préampli A.F. Préampli AF. Préampli AF. ^{Préampli A.F.}

• • • •

24 24

BC 548 C BC549 ^Si Si

• •

Préampli A.F. faible bruit ^{~réampli A.F.}

• •

24 ₂₄ 24 24

BC 549 B BC 549 C BC550 BC 550 B ^Si Si ^Si Si

• • • •

^{Préampli A}Préampli A.F. faible bruit Préampli AF. faible bruit Préampli AF. f.F. faible bruit aible bruit

• • • •

24 ₂₃

BC 550 C _BC556 Si Si

• •

Préampli AF. faible bruit Préampli AF. tension élevée

• •

23

BC557 Si

•

Préampli AF.

•

23 23

BC 557 A BC558 Si Si

• •

^{Préampli A}Préampli AF. ^.F.

• •

23 ²³ 23 23 23 _{25 23 25 23 25} 23 ₃₃ 33 33 33 _{33 33} 33 ₃₃ 33 ₃₃ 33 ₃₃

BCW71 (R) BCW72(R) _BCX17(RI BCX 18 (RI BCX 19(R) BC 558 A ^{BC 558 B} BC559 BC 559 A BC 559 B _BC637 BCW70(RI _{BC635 BC636 BC638} BC639 Be 640 BCW29(R) _BCW30(R) BCW31 (R) BCW32(R) BCW33(R) BCW69(R) Si Si Si Si Si ^{Si Si} Si Si Si Si Si Si Si ^Si Si ^Si Si Si Si ^Si Si Si

• • • • • • _• • • • • • • • • • • • • • • • •

^{AF. AF. AF. AFPréampli AA.F. AF.} Circuit hybridCircuit hybridCircuit hybrid^{Circuit Circuit} (Commutation) hybride (Commutatio(Commutation) hybride (Commutation(Commutation) (Commutation) hybride (Commutation) hybride Préampli AF. Préampli AF. Préampli AF. Préampli AF. ^{. hybride hybride .F.} n) hybride e, usage général e e ) hybride hybride

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • ^•

33 34 _{34 34} 34 34

BCX20 (R) BCX51 _{BCX52 BCX53} BCX54 BCX55 Si ^Si Si Si ^{Si Si}

• • • • • •

(Commutation) hybride (Commutation) hybride (Commutatio(Commutation) hybride (Commutation) hybride (Commutation) hybrin) hybride de

• • • • • •

34

BCX56 Si

•

(Commutation) hybride

•

26

BCY30A Si

•

Usage général

•

^X

26

BCY31 A ^Si

•

Usage général

•

^X

C ~ Exploitation _.;:; ⁰

"

<Il P N

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^III

^{.§ z}

Q) Clf-

Cl TYPES Matériaux N P Applications

U; <i ^{o u} U«

III

oU

^{C f -}

c.. P N ::J(j

E

E O

D* D C M 0 0

I

z

26 BCY32 A Si

•

Usage général

•

^X

26 BCY33A Si

•

Usage général

•

^X

26 BCY34A Si

•

Usage général

•

^X

26 BCY55 Si

•

Amplification

•

24 BCY56 Si

•

Amplification

•

24 BCY57 Si

•

^{Amplification}

•

28 BCY58 Si

•

^Commutation

•

28 BCY 59 Si

•

^Commutation

•

23 BCY70 Si

•

Usage général

•

23 BCY71 Si

•

Usage général

•

23 BCY72 Si

•

Usage général

•

26 26 ₂₆ BCY87 BCY88 _BCY89 Si Si Si

• • •

^AAmAmpli différentiel mpli différentiel pli différentiel

• • •

27 ₅₆ 56 56 59 ₅₆ 56 59 56 _{56 59} 56 _{57 59 57 59} 59 _{59 56 59 56 59 56 59 56 57 59} 56 _{56 56 56} 56 ₅₆ 56 59 ₅₆ 57 ₅₆ 59 56 56 59 56 _{58 58 58} 58 58 58 ₅₈ 58 58 ₅₉ 58 59 _{59 58 58 56 56 5}59 56 _{556 6 9 2-BD 181 2-BD 182 2}BD 115 _{BD 131} BD 132 BD 135 BD 135-136 _{BD 136} BD 137 BD 137-138 BD 138 _{BD 139 BD 139-}BD 140 _{BD 181 BD 182 BD 183} BD 201 BD 201-202 _{BD 202 BD204 BD226} BD 226-227 BD227 _BD228 BD 228-229 _BD229 BD230 _{BD 231} BD232 _BD233 BD 233-234 _{BD234 BD235} BD 235-236 BD237 BD 237BD238 _{BD262 BD203} BD 203-204 BD 230-231 BD236 _{BD 262/A BD 262/}BD263 BD 263/BD 263/B _BD266 BD 266/A BD 266/BD 266-267 BD 266/ A_{BD 266/}BD267 _{BD 267/A BD 267/BD329 BD 330 BD 433} BD 433-434 BD 434 _BD435 BD 435-436 _{-BD 183} -238 ₁₄₀ A _B B _{B-267/B B} -267 / A Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si _Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si _Si Si _Si Si Si Si Si Si Si _Si Si

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • ^• • • • • • • • • • • • • • • • •

^{"VidéofréA.A.HLFi HLFi A.F. A.A.F. A.F. A.A.A.F. HLHLFHi.FHLFi Hi.Hi.Usage géné}Usage général Usage général Usage général Usage général Usage général Usage général ^{Usage géné}Usage général Usage général Usage général ^{UsaUsage géné}Télévision ^{A.F. A.A.A.A.F. A.A.F. A.F. A.F.} Darlington Darlington Darlington Darlington Usage général Usage général Darlington Darlington Darlington ^DarlingtoDarlington Darlington Darlington ^DarlDarlington Darlington ^DarlingtoUsage général Usage général Usage général Usage généraUsage général Usage général Usage général ^{F. F. F. F. F. F. F. F. F. FFi Fi i i i} ge général ^{ington quence n n ral ral ral} l noir et blanc et couleur

• • • • • • ^• • • • • • • • • ^• • • • • • • • • • • • ^• • • • • ^• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

C ~ Exploitati on

.g

:::J

II) Ql P N ~ ~ ^{ct! ~z}

TYPES Matériaux N P Applications

0,.-

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a.. P N :.:::i(j

E

EO

D* D C M 0 0

l

z

56 BD 436 Si

•

Usage général

•

56 BD 437 Si

•

Usage général

•

59 BD 437-438 Si

• •

Usage général

•

56 BD 438 Si

•

Usage général

•

58 BOX62 Si

•

Darlington

•

58 BOX 62/A Si

•

Darlington

•

58 BOX 62/B Si

•

Darlington

•

58 BOX 62/C Si

•

Darlington

•

59 BOX 62-63 Si

• •

Darlington

•

59 BOX 62/A-63/A Si

• •

Darlington

•

59 BOX 62/B-63/B Si

• •

Darlington

•

58 BOX63 ^Si

•

Darlington

•

58 BOX 63/A Si

•

Darlington

•

58 BOX 63/B Si

•

Darlington

•

58 BOX 63/C Si

•

Darlington

•

58 58 BOX64 BOX 64/A Si Si

• •

Darlington Darlington

• •

58 BOX 64/B Si

•

Darlington

•

58 BOX 64/C Si

•

Darlington

•

59 BOX 64-65 Si

• •

Darlington

•

59 BOX 64/A-65/A Si

• •

Darlington

•

59 BOX 64/B-65/B Si

• •

Darlington

•

58 58 58 BOX65 BOX 65/A BOX 65/B Si Si Si

• • •

Darlington Darlington Darlington

• • •

58 58 BOX 65/C BOX66 Si Si

• •

Darlington Darlington

• •

58 58 BOX 66/A BOX 66/B Si Si

• •

Darlington Darlington

• •

58 BOX 66/C Si

•

Darling'ton

•

59 59 BOX 66/67 BOX 66/A-67/A ^Si Si

• • • •

Darlington Darlington

• •

1 27 27 27 27 27 27 27 27 27 27 27

30 30 30 30 30

59 58 56 56 56 56 56 56 56 57 57 57 57 57 57 57 57 57 27 27 27 27 27 27 27 27 58 58 58 56 57 BF200 BF244/B BF 183 BF 184 BF185 BF 194 BF 195 BF 196 BF 197 BF 198 BF 199 BF244/A BF244/C BF245/A BF 245/B BOY38 BOY90 BOY91 BOY92 BBBBBBF 182 BOX 66/B-67/B BOX 67 BOX 67/A BOX 67/B BOX 67/C BOX 77 BOX78 BOX91 BBOX93 BOX 94 BOX95 BOX96 BOY 11 BOY20 BF115 BF 167 BF173 BF 177 BF 178 BF 179 BF180 OY93 OY94 OY96 OY97 F 181 OX92 Si Si ^Si Si Si Si Si ^{Si Si} Si Si Si ^Si Si Si Si Si ^Si Si ^Si Si Si ^Si Si Si Si Si Si ^Si Si ^Si Si Si Si Si Si Si ^Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^{VAF. AFAF.} Commutation industrielle Commutation industrielle Commutation industrielle Commutation industrielle Commutation industrielle Commutation industrielle Commutation industrielle ^AM/FM Vidéofréquence Vidéofréquence Vidéofréquence U.H.F. V.H.F. U.H.F. V.H.F. ^{U.H.F. V.H}U.H.F. V.H.F. ^{AMA.MAM. F.MAMFI. FI. FI. FI.} F.E.T. usage général F.E.T. usage général F.E.T. usage général F.E.T. usage général F.E.T. usage général Darlington Darlington Darlington Darlington Darlington Usage général Usage général Usage général Usage général Usage général Usage général Usage général Usage général ^{FI. FI. .H.F. . . F:M. .. F.MF.M. . . .F.}

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^{G X X X X X}

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Exploitation

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^{Cl TYPES Matériaux N P Applications}

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Cl)

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^Cf-

a.. P N ~ 0 _E

EO

D* D C M 0 0

l Z

30 BF245/C Si

•

F.E.T. usage général

•

30 BF246/A Si

•

F.E.T. usage général

•

30 BF 246/B Si

•

F.E.T. usage général

•

30 BF246/C Si

•

F.E.T. usage général

•

30 BF256/A Si

•

F.E.T. usage général

•

30 BF 256/B Si

•

F.E.T. usage général

•

30 ₂₇ BF 256/C _BF324 Si Si

• •

Vidéofréquence NB et couleur F.E.T. usage général

• •

27 BF336 Si

•

Vidéofréquence NB et couleur

•

27 BF337 Si

•

Vidéofréquence NB et couleur

•

27 BF338 Si

•

Vidéofréquence NB et couleur

•

27 BF364 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 BF365 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 BF422 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 ₂₇ BF423 _BF450 Si Si

• •

RF et FI, A.M/F.M. RF et FI, A.M/F.M.

• •

27 56 56 ₅₆ 56 56 BF451 BF458 _BF459 BF469 BF470 BF457 Si Si Si Si Si Si

• • • • • •

Usage général Usage général u.sage généUsage général ^{Usage géné}RF et FI, A.M/F.M. ral ^ral

• • • • • •

27 BF480 Si

•

U..H.F. - Gain fixe

•

27 BF494 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 BF495 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 BF939 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 BF967 Si

•

RF et FI, A.M/F.M.

•

27 BF969 Si

•

^{RF et FI}, A.M/F.M.

•

27 BF979 Si

•

^{RF et FI}, A.M/F.M.

•

30 BFQ 10 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

30 BFQ 11 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

30 BFQ 12 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

30 BFQ 13 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

30 BFQ14 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

30 BFQ 15 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

30 BFQ 16 Si

•

Double F.E.T. ampli. diff.

•

31 BFR29 Si

•

F.E.T. circuits hybrides

•

33 BFR 30 Si

•

F.E.T. circuits hybrides

•

33 BFR 31 Si

•

F.E.T. circuits hybrides

•

37 BFR49 Si

•

Amplification RF, VHF, UHF

•

33 BFR 53 (RI Si

•

Circuits hybrides

•

37 BFR64 Si

•

V.H.F. U.H.F.

•

37 BFR 65 Si

•

V.H.F. U.H.F.

•

31 BFR84 Si

•

^{MOS-FET à} portes isolées protégées

•

37 ₃₇ BFR 90 _{BFR 91} Si Si

• •

^{U.H.F. U.H.F.}

• •

33/34 BFR 92 (RI Si

•

^Circuits hybrides

•

33/34 _{33/34 37 37} BFS 17 (RI BFR 93 (RI _{BFR 94 BFR96} Si Si Si Si

• • • •

V.H.F.-U.H.F. Ampli de télédistribution ^CircuiCircuits hybrides ts hybrides

• • • •

33/34 _{33/34 33/34 33/34 30 30 31 23 23 23 23 37 23 23 30 36 36 37 30 30 30 37 28 25 37 28 25 25} BFS 19 (RI BFS 18 (RI _{BFS20 (RI BFS21 BFS 21 A BFS22A BFS23A BFS28 BFS92 BFS93 BFS94 BFS95 BFT24 BFT25 BFT44 BFT45 BFT 51 BFW10 BFW 11 BFW12 BFW13 BFW 16 A BFW30 BFX34 BFX44 BFY50 BFY 51 BFY52} Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si ^Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

Commutation rapide à tension élevée V.H.F.-U.H.F. ^VCommutation ^{V.H.F. Circui}Circuits hybrides Double F.E.T. Double F.E.T. ^{Emission EmissioF.E.T. à} Usage général Usage général Usage général Usage général V.H.F.-U.H.F. V.H.F.-U.H.F. Commutation rapide à ^{F.E.T. F.E.T. F.E.T. F.E.T. U.HRF RF RF} Circuits hybrides ^{.H.F.-U.F. ts hybridn 2 .H.F.} portes isolées ^es tension élevée

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

c ::' Exploitation ⁰ :::J

Vl P N ~ ~ ^{c:; Sz}

Q) Olf-

Ol TYPES Matériaux N P Applications Vi<t' ou

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Cl. P N ^{~ cj} E

EO

0* 0 C M 0 0

I

z

25 BFY55 ^Si

•

^RF

•

37 BFY90 ^Si

•

^U.H.F.

•

65 BG 1895/541 ^Si Redresseur

•

65 BG 1895/641 ^{Si Redresseur}

•

38 BGY22 Si Module ampli large bande

•

38 BGY23 Si Module ampli large bande

•

36 BLW60 Si

•

^Emission

•

37 BLW64 ^Si

•

Emetteur réémetteur TV

•

37 BLW75 ^Si

•

Emetteur réémetteur TV

•

36 BLX 13 Si

•

^V.H.F.

•

36 BLX14 Si

•

^V.H.F.

•

36 BLX15 Si

•

^V.H.F.

•

37 BLX37 Si

•

V.H.F.-U.H.F.

•

37 BLX38 Si

•

^V.H.F.-U.H.F.

•

36 BLX65 Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX66 Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX67 ^Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX68 Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX69 A ^Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX91 A Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX92 A Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX93 A Si

•

^U.H.F.

•

36 BLX94 Si

•

^U.H.F.

•

37 BLX94A Si

•

^{V.H.F.-U.H.F.}

•

36 BLX95 Si

•

^U.H.F.

•

37 BLX96 Si

•

Emetteurs réémetteurs TV

•

37 BLX97 Si

•

Emetteurs réémetteurs TV

•

37 36 BLX98 BLY87 A ^{Si Si}

• •

Emetteurs réémetteurs TV ^V.H.F.

• •

36 BLY88A Si

•

^V.H.F.

•

36 BLY89 A Si

•

^V.H.F.

•

36 BLY90 Si

•

^V.H.F.

•

36 BLY91 A ^Si

•

^V.H.F.

•

98 BPW22 ^Si

•

Phototransistor

•

103 BPW26 Si

•

^Ensemble de 9 phototransistors

•

103 23 98 98 98 96 96 96 93 96 98 98 96 96 ₂₉ 29 29 28 28 28 24 28 28 29 29 29 29 23 23 23 98 98 29 29 BSS68 BSV15 BSV16 BSV17 BPW27 BPW71 BPX25 BPX29 BPX40 BPX41 BPX42 BPX47 A BPX69 BPX70 BPX71 BPX72 BPX95A BPY 13 BPY77 _{BR 101} BRY39 BRY56 BSS27 BSS28 BSS29 BSS38 BSS41 BSS62 BSS40 BSS 50 BSS 51 BSS 52 BSS60 BSS 61 Si Si Si Si Si ^{Si Si Si Si Si Si Si Si} Si ^{Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si}

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^{CommutatioCommuCommuCommu}Usage général miniatUsage général miniEnsemble de 12 phototransistors Phototransistor Phototransistor Phototransistor Photodiode Photodiode ^PhotodPhotodiode Duo-photodiode Phototransistor Phototransistor Phototransistor Phototransistor ^PhotPhotodiode ^CommutCommutCommutation Commutation Commutation Commutation Commutation ^CommutOarlington ^{OarlingOarlingUsa}Usage général miniature ge général minia^{odiode iode ton ton tati}tation Oarlington ^{tatiation ation} ation Oarlington ^on on Oarlingtⁿ ature ture ure on

• • • • • • • • ^• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

33/34 28 23 31 31 31 31 25 25 25 BSV81 BSW66 BSV52 (R) BSV64 BSV68 BSV78 BSV79 BSV80 BSW67 BSW68 ^{Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si}

• • • • • •

Circuits hybrides ^CommuCommutation ^{MOS Commut}Commutation Commutation ^{F.E.T. F.E.T. F.E.T. tation ation}

• • • • • • • • • •

C

e

Exploitation .2 2

<Il CIl P N ~~ ^C'O Clf- ^{E Z}

Cl TYPES Matériaux N P Applications

û1 <i ^ou

^U<I:

"' oU

^{C f-}

CL P N ::;0 E

E O

0* 0 C M 0 0

I

z

28 BSX 19 ^Si

•

Commutation

•

28 BSX20 ^Si

•

Commutation

•

24 BSX21 ^Si

•

Commutation

•

25 BSX45 ^Si

•

Usage général miniature

•

25 25 BSX46 BSX47 ^{Si Si}

• •

Usage général miniature Usage général miniature

• •

28 BSX59 ^Si

•

Commutation

•

28 BSX60 ^Si

•

Commutation

•

28 BSX61 ^Si

•

Commutation

•

24 BSY38 ^Si

•

Commutation

•

24 BSY39 ^Si

•

Commutation

•

24 BSY79 ^Si

•

Usage général

•

74 BT 126 ^Si Balayage de ligne (TV)

•

74 ₇₄ 75 ₇₅ 73 73 ₇₃ 74 _{74 74} 74 ₇₄ 75 75 73 73 75 _{73 73 75 73} 75 73 75 _{74 76 76} 76 57 57 57 57 57 57 57 _{57 57 57} 57 47 47 57 57 57 47 47 _{47 47} 47 47 ₄₇ 47 47 47 47 64 ₆₅ 64 65 ₆₄ BT 128 _{BT 129} BT 138 _{BT 139} BT 151 BTW23 _BTW24 BTW30 _{BTW31 BTW32} BTW33 _BTW33/10 BTW34 BTW37 BTW38 BTW40 BTW41 _{BTW42 BTW43 BTW45 BTW47} BTW48 BTW92 BTX94 _{BTX95 BTY79 BTY87} BTY91 BU 105 BU 108 BU 126 BU 132 BU 133 BU 204 BU205 _{BU 207 BU 208 BU 326} BUX80 BUX82 BUX84 BUX86 BXY27 BXY28 BXY29 BXY32 _{BXY35 BXY36} BXY37 BXY38 _BXY39 BXY40 BXY41 BXY56 BXY57 BY 164 _{BY 176} BY 179 BY 184 _{BY 188} ^{Si Si} Si ^{Si Si Si Si Si Si} Si Si Si Si ^{Si Si Si} Si Si ^{Si Si Si} Si ^Si Si ^Si Si ^{Si Si} Si Si Si Si ^{Si Si Si Si Si Si Si Si} Si Si Si ^{Si Si Si Si Si Si Si Si} Si Si ^{Si Si} Si ^{Si Si Si} Si

• • • • • • • • • • • • • •

^T.Thyristor balayage TV ^TriTriac ^Thyristor Thyristor avalanche Thyristor avalanche Thyristor rapide Thyristor rapide Thyristor rapide Thyristor rapide Thyristor rapide ^{Triac Triac Thyristor Thyristor Triac} Thyristor Triac Thyristor Thyristor ^Triac Thyristor avalanche ^Triac Thyristor modulation dThyristor Thyristor ^Thyristor Télévision Télévision Télévision Télévision ^TéléviTélévision ^{Varactor Varactor Varactor} « Varactor Varactor ^{Varactor Varactor} Varactor ^{Varactor Varactor Varactor Varactor} Pont redresseur monophasé Redresseur H.T. Redresseur ^{Déviation Déviation} Commutation Commutation Commutation Commutation Commutation Redresseur H.T. Pont redresseur monophasé ^Déviation hyristor balayage TV Step Recovery ^{ac sion} » 'impulsions

- . • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

^G

64/78 BY206 ^Si Redresseur rapide

•

64/78 BY207 ^Si Redresseur rapide

•

64/78 ₆₅ 64 ₆₄ BY208 _BY209 BY223 _BY224 Si Si ^{Si Si} Redresseur rapide Redresseur rapide Pont moulé Diode de récupération

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63 BY226 Si Usage général

•

63 BY227 Si Usage général

•

64 BY277 Si Diode de récupération

•

65 BY409 Si Haute tension

•

65 BY476 Si Haute tension

•

64 BYW13 Si Redresseur rapide

•

64 BYW19 Si Redresseur rapide

•

63 BYX10 Si Redresseur

•

63 BYX22 Si Redresseur

•

65 BYX25 Si Redresseur avalanche

•

64 BYX30 Si Redresseur rapide

•

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63 BYX32 Si Redresseur

•

63 BYX36 Si Redresseur

•

63 BYX38 Si Redresseur

•

65 BYX39 Si Redresseur

•

63 BYX42 Si Redresseur

•

65 64 BYX45 BYX46 Si Si Redresseur avalanche Redresseur rapide

• •

63 BYX48 Si Redresseur

•

63 64 BYX49 BYX50 Si Si Redresseur Redresseur rapide

• •

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94 CQY24A AsGaP Voyant rouge

•

94 CQY25 GaAsP Afficheur numérique solide

•

94 CQY25A GaAsP Afficheur numérique solide

•

96 CQY49 B AsGa Diode électroluminescente

•

96 CQY49C AsGa Diode électroluminescente

•

96 CQY50 AsGa Diode électroluminescente

•

96 CQY52 AsGa Diode électroluminescente

•

94 CQY53 AsGaP Voyant rouge

•

C ~ Exploitation a

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94 CQY54 AsGaP Voyant rouge

•

96 CQY58 AsGa Diode électroluminescente

•

94 CQY61 B AsGaP Voyant rouge

•

103 CQY63 AsGa Ensemble de 9 diodes électrolum

•

103 45 45 45 45 45 ₉₄ 94 94 94 ₉₄ 94 94 ₉₆ 94 ₉₄ 94 _{94 44} 44 44 ₄₄ 44 44 44 44 _{44 44 44 44 44} 44 44 ₄₄ 45 45 45 45 45 94 94 94 CQY64 CQY79 _CQY81 CQY81 A CQY81 B CQY81 C CQY82 C CQY82 D _{CQY82 E} CQY84 CQY88 _CQY89 CQY94 _CQY95 CQY96 _{CQY97 CXY 11 A} CXY 11 B CXY 11 C _{CXY 13 0} CXY 13 F CXY 15 B CXY 15 C _{CXY 15 0} CXY 13 E _{CXY 15 E CXY 15 F CXY 16 A CXY 16 B} CXY 16 C CXY 16 0 _{CXY 16 E} CXY 17 A CXY 17 B CXY 17 C CXY 17 0 CXY 17 E CXY 18A CXY 18 B CXY 18 C CXY 18 0 CXY 18 E GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP GaAsP AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa _AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa AsGa _{AsGa AsGa} AsGa _AsGa AsGa AsGa AsGa GaP _GaP Ensemble de 12 diodes électrolum Voyant rouge Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Afficheur numérique solide Voyant rouge Diode électroluminescente Voyant vert Voyant vert Voyant jaune Voyant jaune Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à Diode à effet GUNN Diode à Diode à effet GUNN Diode à Diode à effet GUNN Diode à effet GUNN _{Diode à} Diode à _{Diodè à} Diode à Diode à effet GUNN Diode à effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet GUNN effet effet GUNN GUNN

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

106 F467 CdHgTe Détecteur Photoconducteui

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106 F 471 CdHgTe Détecteur Photoconducteur

•

105 F 523 Suif de triglyc Détecteur bolomètre

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106 106 106 106 ₁₀₆ 106 107 107 102 102 102 102 79 79 79 79 51 51 53 96 68 68 68 _{68 68} 68 ₆₈ 68 ₆₈ 68 F 584 F 787 _{F 788} F789 MDH38 OA47 OA90 OA95 OAP12 OF305 ORP10 ORP13 F 608 F 785 KLX01 KLX02 ORP60 ORP61 ORP69 ORP90 OS89110 OSB9210 OSB 9310 _{OSB 9410 OSM9110 OSM 9210} OSM9310 OSS 9110 _{OSS 9210} OSS 9310 CdHgTe CdHgTe CdHgTe CdHgTe CdHgTe CdHgTe AsGa AsGa AsGa Sbln Sbln CdS CdS CdS CdS Ge Ge Ge Ge Ge Commutation Détection Cellule photoconductrice Détecteur Photoconducteur Détecteur Photoconducteur Détecteur Photoconducteur Détecteur Photoconducteur Détecteur Photoconducteur Détecteur Photoconducteur Oscillateur Gunn à Oscillateur Gunn à Oscillateur Gunn Usage général Photodiode Détection Détecteur Photoconducteur Détecteur Photoconducteur Cellule photoconductrice Cellule photoconductriCellule photoconductrice Redresseur Redresseur Redresseur Redresseur Redresseur Redresseur Redresseur RedresseuRedresseur Redresseur r accord électrique accord électrique ce

• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

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