Propriétés et structure des couches minces de composés semiconducteurs

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Propriétés et structure des couches minces de composés semiconducteurs

C. Paparoditis

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C. Paparoditis. Propriétés et structure des couches minces de composés semiconducteurs. Journal de

Physique, 1964, 25 (1-2), pp.226-232. �10.1051/jphys:01964002501-2022601�. �jpa-00205744�

la largeur ^de 1’ensemble de la bande (pi, s), car, transparent qu’au dela de ^{24 e’V. Nous avons} 6gale- d’après ^{les travaux de} Rustgi ^{et coll.} [3], ^{le coef- ment} i-epr6sent6, par des arrondis ^sur la droite de ficient d’absorption ^{d6crolt lentement vers les notre} schema, ^{la forme} supposee ^{de la} distribution

grandes energies, le tellure ne devenant nettement des niveaux d’énergie ^dans chaque ^bande.

BIBLIOGRAPHIE [1] LISICA (M. P.) ^{et CVELIH} (N. G.), Optika i Spektr.,

1958, 4, ^373.

[2] ROBIN-KANDARE (S.), ^{Thèse, Paris, 1959.}

[3] ^RUSTGI (O. P.), ^WALKER (W. C.) et WEISSLER (G. L.),

J. Opt. ^{Soc. Am.,} 1961, 51, 1357.

[4] ^HULBURT (E. O.), Astrophys. J., 1915, 42, 205.

[5] ^SABINE (G. B.), Phys. Rev., 1939, 55, 1064.

[6] ^HODGSON (J. N.), J. Phys. ^Chem. Solids, 1962, 23,

1737.

[7] ^APKER (L.), ^TAFT (E.) ^{et DICKEY} (J.), Phys. ^Rev., 1948, 74, 1462.

[8] ^REITZ (J. R.), Phys. Rev., 1957, 105, 1233.

[9] ^GASPAR (R.), ^Acta Phys. Hung., 1957, 27, ^289.

[10] ^GIVENS (M. P.), ^KOESTER (C. J.) ^{et GOFFE} (W. L.), Phys. Rev., 1955, 100, 1112.

PROPRIÉTÉS ET STRUCTURE DES COUCHES MINCES DE COMPOSÉS SEMICONDUCTEURS Par C. PAPARODITIS,

Laboratoire de Magnétisme ^{et de} Physique ^du Solide, ^{C. N. R.} S., Bellevue.

Résumé.

On décrit les propriétés de couches minces de InSb, InAs, HgTe, Ag2Te : largeur

de bande interdite identique ^{à celle du} monocristal ; ^mobilité électronique ^{2 à 20 fois} plus ^{faible ;}

concentration électronique ^~ 1017 cm-3 dénotant une stoechiométrie très exacte. On décrit aussi et on explique la structure sphérolitique, ^très ordonnée, des couches de Ag2Te, ainsi que ^ses modi- fications en fonction de divers paramètres, ^{notamment un} champ électrique appliqué ^{en cours de}

croissance.

Abstract. --- ^The properties of thin films of InSb, InAs, HgTe, Ag2Te ^are described : the energy gap equals that of the single crystals ; the electron mobility ^{is 2 to 20 times} lower ; ^{the électron} concentration is ~ 1017 cm-3, pointing ^{to a} very precise stoichiometric composition. ^The sphero- litic, highly ordered structure of the Ag2Te ^{films is also} described and explained, ^{as well as its}

modifications as a function of several parameters, including ^{an electric field} applied during growth.

LE JOURNAL DE PIIYSIQUE ^TOME 25, JANVIER-FEVRIER 1964,

Les materiaux semiconducteurs foi-ment une

classe qui prend actuellement unc tres grande

importance. ^{Ils sont} habituellement étudiés sous

forme massive ; ^{mais la} preparation de couches minces de ces mat6riaux retient de plus ^en plus

Inattention. Elle soul6ve un probl6me de cristal- lisation et un problème ^de stoechiometrie. ^{La cris-}

tallisation a fait l’objet ^de quelques travaux ; ^bien que les’ mecanismes intimes de nucleation et de croissance soient ^encore imparfaitement connus, des couches monocristallines de plusieurs ^mat6riaux

ont ete obtenues [1, 2]. L’exactitude de la stoechio- m6trie peut ^etre contr6l6e de façon particuli6-

rement precise ^{par des mesures d’effet} Hall, ^sur-

tout dans les mat6riaux a haute mobilite.

Les proprietes des semiconducteurs sont, pour la

plupart, ^{sensibles a la} structure, ^et dependent

aussi de la concentration d’electrons libres. 11 s’ensuit que la mise ^{en oeuvre} de techniques ^de

preparation ^de plus ^en plus perfectionnees ^et

1’6tude des proprietes des couches minces doivent

se d6velopper ^de pair, ^{et tirer} parti 1’une de 1’autre.

Nous avons prepare des couches minces de

quatre composes binaires : InSb, InAs, HgTe, Ag2Te, par evaporation ^sous vide ; ^on peut, ^a

cette fin, 6vaporer ^soit les éléments 1.:=3 J, ^{soit le} compose prealablement ^forme [4, 5J : ^{cette der-}

nière technique ^{a ete retenue dans la} pr6sente

6tude qui porte ^{sur les} propri6t6s 6lectriques ^et

structurelles de ces couches.

1. Preparation ^et propri6t6s 6lectriques.

_a) EVAPORATION ^DU COMPOSE.

Ia’evaporation ^d’tlJl compose ^{est le} plus ^souvent accompagnée ^d’une

dissociation plus ^{ou moins} importante suivant que la difference des tensions de vapeur des composants

est plus ^{ou moins} grande. ^La composition ^des gaz

en 6qiiilibre ^{avec la} phase liquide ^{a été observe}

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2022601

227

par spectrom6trie ^{de masse} [0] ; ^{on a} parfois ^etudie

les propri6t6s des condensats des différentes frac- tions distillees au cours de 1’6vaporation [7].

En 6vaporant ^le compose jusqu’a epuisement de

la charge ^du creuset, ^on obtient, ^en g6n6ral, ^un

condensat de composition ^non homogene. ^L’homo- g6n6it6 peut etre restitu6e par ^un recuit ult6rieur

sous atmosphere ^neutre.

Compte ^{tenu d’une} probable difference dans les coefl’icients d’accommodation des dinerentes parti-

cules gazeuses, ^sur Ie support, nous avons choisi de maintenir ce dernier a la temperature ^ambiante.

Le vide dans lequel nous avons opere ^{est de}

10-5 mm Hg, la vitesse d’évaporation ^{6tant com-} prise ^{entre 5} Å/s ^{et 60} A/s.

b) ^{RÉSULTATS DES MESURES} ÉLECTRIQUES.

InSb.

L’épaisseur des couches 6tudi6es varie entre 200 A et 2,6 u. La temperature de recuit la

plus ^favorable varie, ^avec 1’epaisseur, ^{entre 250 °C}

et 360 OC. Avant le recuit, ^la conductibilit6 elec-

trique pr6sente ^{un caract6re} m6tallique ^{et le coef-}

ficient de Hall est pratiquement 6gal ^{a zero. Par} contre, ^des temperatures de recuit tres 6lev6es

risquent d’altérer les couches par evaporation. ^La

FIG. 1.

figure ¹ represente la variation du coefficient dc

Hall, ^avec la température, pour quatre 6chantillons

d’6paisseur ^{variable recuits a la} temperature ^de

280°C. Us ^{sont tous de} type ^{n. A la} temperature

ambiante, le coefficient de Hall est voisin de 200 cm3/A . s pour ^une epaisseur ^{de 900} A, ^de

100 cm3/A . s pour ^une epaisseur ^{de 1 500 A et de}

50 cm3 jA. s pour ^une epaisseur ^{de 2 100 A. La}

concentration de porteurs ^de charge ^« apparente ^»

est voisine ^{de n ==} 7,5 ^X 1015 cm-3 a 200 oK,

pour 1’echantillon de 900 A d’épaisseur, ^{et semble}

encore d6croitre avec la temperature. ^{Pour des} 6paisseurs plus grandes, n ^{croit avec} 1’epaisseur ;

pour l’échantillon de ² 100 A d’épaisseur, ^{le coef-}

ficient de Hall passe par ^un maximum a 200 OK, puis ^{d6crolt aux} temperatures inférieures. Pour les

6paisseurs sup6rieures, le maximum se d6place ^vers

les temperatures plus elevees : ainsi pour ^une couche de 2,6 V. d’épaisseur ^{recuite a 360} OC, ^le maximum se situe a 400 °K.

Les valeurs de I’energie d’activation obtenues ^en mesurant la pente ^{des courbes} qui representent

RH T3/2 en fonction de 1 /T ^sont voisines de 0,26 eV,

valeur de 1’energie de la bande interdite au zero

absolu, ^{obtenue sur le} compose massif (fig. 2).

FIG. :!.

La figure ^{3 montre} la variation de la mobilite de Hall, iH, ^avec la temperature pour trois échan- tillons d’epaisseur respectivement 6gale ^{a 900} A,

2 100 A et 2,6 p., ^{recuits 4} 270°C. Aux basses tem-

peratures, ^{iH suit une loi} voisine de T5.5. Aux tem-

p6ratures sup6rieures ^{a la} temperature ambiante,

uH croit avec 1’6paisseur. ^{Un deuxi6me recuit 4}

360°C de la couche de 2,6 u d’épaisseur permet d’augmenter la mobilite. La valeur de celle-ci a la

temperature ambiante varie avec 1’epaisseur ^entre

200 et 800 cm2fV.s. Pour les couches les plus

6paisses, ^{la mobilite à 600 OK} peut rlépasser

2 000 cm2/V . s.

FTG. 3.

InAs.

La temp6rature de recuit ]a plus ^favo-

rable peut ^{varier avec} 1’6paisseur ^{entre 350 °C et}

420 OC. Les couches sont de type ^n.

Contrairement aux couches de InSb, ^aucune

anomalie n’est apparue, ⁿⁱ dans le comportement

de 1’effet Hall ni dans celui de la mobilite de Hall.

FIG. 4.

Des concentrations de porteurs ^de charge ^de

3 X 1017 cm-3 ont ete obtenues, ^a partir ^{d’un com-} pose massif moins pur. ^La mobilite de Hall la plus

6lev6e a ete obtenue dans un 6chantiilon de 2,3 u d’épaisseur ^{et vaut 2 800} cm 2/V. s.

HgTe. - ^Le comportement ^{habituel du} compose

massif est restitu6 apr6s ^un recuit a 225 °C. Les couches sont de type ^{n. La} figure ^{4 montre la}

variation du coeflicient de Hall ^{avec la} temp6-

rature. L’accord est parfait ^{avec les meilleures}

valeurs obtenues sur le compose massif intrin-

s6que [8, 9]. ^{La courbe} representant ^{RH T3/2 en}

fonction de 1/T ^{a une} pente qui correspond ^{a une}

bande interdite tres 6troite (0,01 eV). ^La figure ⁵

FIG. 5.

repr6sente la variation de la mobilite de Hall en

fonction de la temperature. ^Le comportement ^est identique a celui du compose ^massif. N6anmoins,

la mobilit6 est, dans les couches minces, ^inférieure

d’un ordre de grandeur : ^{1 000 a 2 000} cn12/V. s ^à

300 oK. Des mobilites de 2 500 cm 2/V. s ^{ont 6t6}

obtenues a 200 OK.

Ag2Te.

Contrairement aux autres compos6s,

les -couches minces de tellurure d’arTgent ^{non re-}

cuites présentent ^les caractéristiques du materiau massif [4, 10]. ^{Elles sont toutes de} type ^{n. A la} temperature ambiante le coefficient de Hall est

compris ^{entre 3 et 6} cm3jA. s ; ^la largeur ^{de la}

bande interdite est de 0,025 eV ; la mobilite est voisine de 2 000 cm2/V. s. ^Une brusque ^modifi-

cation des propri6t6s 6lectriques ^{a 149 °C accom-}

pagne la transformation de la phase (stable ^a

basse temperature) ^en phase ^a (stable ^{a haute} temperature).

Un recuit ult6rieur a ^une temperature superieure

a la temperature ^de transformation ameliore encore

la puret6 ^et la mobilite des couches. La concen-

tration de porteurs ^de charges ^la plus ^faible qui

ait ete obtenue est n 1017 cm-3 ; la mobilite la

plus 6lev6e, ^{3 600} cm 2/ /V . s. ^La condensation sur un support ^{maintenu a 115°C a} permis ^d’obtenir

des mobilites, ^{a la} temperature de I’azote liquide, supérieures à ^{8 000} cm2 jV . s.

c) DISCUSSION.

L’évaporation ^du compose ^et

la condensation de la vapeur ^{sur un} support ^froid doivent, ^en general, ^{etre suivies} d’un recuit pour conduire a la composition stoechiométrique. ^Ceci

est particulièrement vrai pour les composes ^tels

que ^ceux du groupe III-V qui ^{subissent une disso-}

ciation lors de la fusion dans le creuset. Le recuit

permet ^{alors d’obtenir le} compose ^{avec une compo-}

sition stoechiometrique tres exacte (h ^10-6 pr6s).

Néanmoins, ^{les mobilit6s sont nettement inf6-}

rieures a celles du compose ^{massif : ceci est en} rapport ^{avec la structure} microcristalline des couches. La mobilite croit avec l’épaisseur ^{de la}

couche et, pour l’intervalle d’epaisseurs ^interes-

sant ce travail (limite supérieure ~ 2,6 u), ^les valeurs des ^{mobilites obtenues ne diffèrent} pas essentiellement de celles obtenues par d’autres m6thodes [3]. ^{Nous avons constate} l’apparition ^de

deux ^« anomalies » dans les couches de InSb :

1) ^une puret6 apparente ^d’autant plus grande que

1’epaisseur ^est plus faible ; 2) ^une d6croissance simultan6e de RA et de _uH ^aux basses temperatures.

Nous avons propose anterieurement une expli-

cation [4] : ^{des 6tats de} surface, dont la densite

ou la position ^{varierait avec la} temperature, pro- duiraient une inversion de type superficielle, ^con-

duisant a un abaissement du niveau de Fermi.

C’est en ce sens que la purete ^{mesuree aux basses} temperatures ^n’est qu’ ^cc apparente ».

Les couches minces de tellurure d’argent pr6-

sentent avant tout recuit, ^les proprietes ^caract6- ristiques du semiconducteur massif A92Te - p ;

d’autre part, la mobilite electronique y est tres 6lev6e. Ceci permet d’avancer que ^ces couches sont

particulièrement bien cristallisees : c’est ^ce _que 1’etude qui ^{suit a} permis ^{de verifier.}

2. Cristallisation et structure des couches ^minces de tellurure d ’argent,

^{Les couches ont ete obser-}

v6es et 6tudi6es au microscope polarisant. ^Cette

6tude s’est montrée particulièrement ^fructueuse grace ^{a la} birefringence ^{et au} pl6ochrofsme ^du

tellurure d’argent ^de phase p (orthorhombique).

Nous pr6sentons, ci-apres, ^les observations les

plus importantes, effectu6es en majeure partie par transmission de lumi6re blanche a travers la pre- paration ^{et en} position ^{croisee du} polariseur ^{et de} I’analyseur.

a) ^{LA STRUCTURE} SPHÉROLITIQUE.

^Conden-

sees sur un support ^en verre, a la temperature ambiante, les couches minces de tellurure d’argent présentent ^{une structure} qui ^{varie avec} 1’epaisseur.

Aux 6paisseurs inf6rieures a 350 A, ^{les couches}

sont cristallisees, ^a grain ^{tres fin.}

Entre 350 A et 750 A environ, _apparait ^une

structure organis6e ^en grands ^domaines polygonaux

de type sph6rolitique (fig. ^6).

FIG. 6.

A partir ^{de 750} Å, la structure sph6rolitique ^est progressivement recouverte d’une couche micro- cristalline. Au-dessus de 1 500 A, quand ^toute

structure a disparu, ^{la couche se} plisse ^{et se d6tache}

du support.

Une 6tude minutieuse de la structure sphero- litique ^{nous a} permis ^de verifier que le sph6rolite, qui peut ^atteindre plus ^de 100 p., ^de diam6tre, ^est

constitue d’un germe central ^et de fibres radiales.

En position ^{croisee, on voit} apparaitre, ^{autour du}

germe, ^une Croix de Malte (fig. 7), qui ^{divise le} sph6rolite ^{en quatre} quadrants, chaque paire ^de quadrants opposes ^{au sommet} ayant ^{une colo-}

ration différente. La rotation de la preparation ^fait

passer les fibriles d’un quadrant ^a l’autre, l’aspect general ^du sph6rolite ^ne changeant pas. On peut

ainsi assigner ^au sph6rolite ^une sym6trie ^circulaire

a caract6re uniaxe. Le germe, ^au contraire, pr6-

senate ^une sym6trie binaire. Prenant la f ori-ne

FIG. 7.

(rune lamelle simple ^ou double, ^{il se} developpe parfois ^{aux deux} extrémités avec une alternance

p6riodique de couleurs : ceci nous a permis ^de

reconnaitre dans la region ^du germe, le d6velop- pement du feuillet double de Popoff.

b)- ^{LA STRUCTURE} DENDRITIQUE.

Des forces a

longue distance doivent etre responsables ^{de la for-}

mation d’edifices aussi importants que les sphero-

lites. Pour verifier si ces forces pouvaient ^etre d’origine electrique, nous avons evapore ^{du tellu-}

rure d’argent ^{sur un} support ^{en verre, en} presence

d’un champ electrique : ^une tension de 100 volts est appliqllée ^entre deux electrodes d’or distantes de _{5 mm,} préalablement evaporees ^{sur la surface}

du support.

a) ^En presence ^d’un champ 6lectrique continu,

on observe une structure dendritique ^fibreuse (fig. 8), compos6e ^{d’une nervure centrale et de}

branches lat6rales dont les fibriles s’epanouissent

en éventail. La nervure centrale est parall6le ^au champ 6lectrique ^et dirigêe ^{dans le sens cathode-}

FIG. g,

anode. Le dendrite prend ^le plus g6n6ralement

naissance au bord de la cathode, ^de preference, ^aux protuberances ^de celle-ci ; ^mais parfois ^il peut ^se d6velopper ^a partir ^d’une impuret6 ^{situ6e entre les}

deux electrodes. L’observation visuelle en cours de croissance a permis ^de pr6ciser le mode de crois-

sance des dendrites. Ceux-ci ne se developpent qu’à partir ^d’une epaisseur minimum sensiblement infé- rieure a 350 A, ^et leur duree de croissance peut

varier entre quelques dixi6mes de secondes et

quelques secondes selon les conditions : vitesse

d’evaporation, ^{intensite du courant} 6lectrique ^tra-

versant la couche, ^{etc... On} peut ^observer que le front d’avance de la structure dendritique ^{est cons-}

titue par ^{une zone} liquide.

p) ^En presence ^d’un champ 6lectrique alternatif,

on observe diff6rents motifs pr6sentant ^une sym6-

trie par rapport ^{a un axe} perpendiculaire ^au champ dectrique ^et passant par le ^centre de 1’edifice

(fig. 9). L’achèvement de tels edifices a lieu en des

FIG. 9.

temps extr6mement courts (quelques fractions de

seconde).

L’étude de ces organisations ^{souvent macro-} scopiques (plusieurs millimetres, ^voire centimetres)

nous a permis de conclure que le dendrite ^{est une} excroissance sph6rolitique ^{a direction} privilégiée :

le champ 6lectrique favorise la croissance des fibriles parall6lement ^{a sa} propre direction. La croissance du dendrite semble toujours proc6der

par nuel6ations successives (nucleation secondaire):

ceci explique l’apparition ^{de zones color6es} p6rio- diques ( fig. 8), ^et peut ^{etre en relation avec une}

6ventuelle rotation h6licoidale des molecules le

long des fibriles.

Nous avons propose [4, 10], pour expliquer ^la

croissance dendritique, ^{un mecanisme base sur l’in-}

teraction du champ 6lectrique ^avec des unites

structurales ayant ^{un moment} 6lectrique perma-

nent. Ce processus, ^{tout a} fait different d’un trans-

port électrolytique, ^serait d6clench6 par l’appa-

rition locale de champs 6lectriques ^{intenses dus a la} polarisation interfaciale : la rotation des unites structurales d6gage alors, par frottement, ^suffi-

samment de chaleur pour produire ^{unes fusion}

locale.

c) FACTEURS INFLUENÇANT ^LA NUCLEATION ^ET

I,A CROISSANCE (temperature ^du support, impuret6s

effets de bord, angle d’incidence du f aisceau mole-

culaire, etc...).

cx) ^{Si le} support est h moins de

20 oC,. ^la

couche presente ^une resistivite anormalement

grande. ^Elle cristallise sous forme de losanges ^ou

d’étoiles à quatre branches (fig. 10).

FIG. 10.

Aux environs de - 10 OC, ^{nous avons} pu obser-

ver I’apparition ^de spherolites ^{a anneaux circu-}

laires (fig. 11). ^{On peut penser} que l’insertion

d’argent métallique exe6dentaire, ^{du a une} ]6g6re

dissociation du tellurure d’argent, provoque ^une

FIG. 11.

dilatation de la couche, qui ^se d6tache du support

et forme des gradins circulaires concentriques.

Les temperatures ^de support ^6lev6es (mais ^infé-

rieures a 160 OC) favorisent la croissance sphero- litique. ^{Celle-ci est encore visible} jusqu’a ^une epaisseur ^{de 3} 000 A environ, ^{sur un} support port6

a 115 OC et la mobilite 6lectronique de la couche est alors maximum.

p) ^Les impuret6s favorisent la nucléation: Une mince couche d’argent 6vapor6e ^{sur le} support, pr6alablement 4 celle du tellurure d’argent, ^a per- mis de d6clencher la croissance. sphérolitique à partir ^d’une epaisseur ^{de 250 A} environ, ^{au lieu} de 350 A.

y) L’évaporation ^{a travers une} grille plac6e ^a 0,5 ^mm au-dessous du support ^a permis ^d’obtenir

des couches en formes de petits ^{carr6s de} 120 pL ^de

cote. 11 a été constate que les bords 6taient des sites favorables _pour l’apparition de germes. Les fibriles

se developpent radialement vers la region ^centrale

de la couche, ^a partir des germes, mais toujours perpendiculairement ^aux bords, ^{dans la} region ^la plus ^{mince de} la couche situ6e dans la p6nombre.

8) ^Des observations pr6liminaires permettent ^de

penser que, meme pour ^une orientation du faisceau moleculaire tres peu 6cart6e de la normale ^au

support, ^les fibriles croissent de façon privil6gi6e

dans la direction de la projection ^du faisceau inci- dent sur le support.

FIG. 12.

La figure ¹² repr6sente ^{deux carr6s de couches}

voisines et illustre bien l’importance d6terminaiite de ces effets. L’épaisseur ^{est de 450 A. Dans les}

coins des carr6s, ^de 1’argent métallique ^{a ete eva-} pore ; ^{aussi n’est-il pas} surprenant ^{de constater une}

nucleation privil6gi6e ^{dans ces sites. La similarité}

de configuration de la cristallisation (notamment

des joints ^de sph6rolites) d6montre l’influence reci-

proque ^a longue ^{distance des sites de} nucléation ct

leur cooperation ^{toute autre} qu’aleatoire.

Conclusions.

Des couches minces de compos6s

semiconducteurs ayant ^les propri6t6s essentielles du materiau massif ^ont ete obtenues par 6vapo-

ration sous vide des composes InSb, InAs, HgTe, Ag2Te : ^la largeur ^{de bande} interdite. est celle du

monocristal ; ^la stoechiom6trie exacte est atteinte a 10"s près.

La croissance sph6rolitique observ6e dans les couches minces de tellurure d’argent produit ^de grands edifices structurels ordonnes (de ^{l’ordre de}

100 u). ^Une propriete ^{sensible a la} structure, ^comme

la mobilite électronique, pr6sente ^{alors une valeur} comparable ^a celle du monocristal. ^« La contri- bution de forces d’origine électrjque, prohablement

due au dipole electrique ^des microcristaux de tellu-

rure d’argent, semble etre pr6pond6rante ^{dans la}

formation du sph6rolite. ^{» Un} champ electrique applique ^{en cours de} croissance permet ^de modifier

la structure sphérolitique, ^ce qui ^{ouvre une voie}

nouvelle pour 1’etude des m6canismes de nuclea- tion et de croissance cristallines.

Discussion

M. HARRIS. - What is the order of magnitude ^of

electric fields applied to ^the substrate ?

M. PAPARODITIS.

La distance entre electrodes est de 5 mm. La tension appliquee ^{est de 100 V.}

BIBLIOGRAPHIE [1] ^Proc. Conference on the Structure and Properties ^of

Thin Films, ^{Ed. Newkirk,} Vermileya ^and Neuge- bauer, Bolton Landing (J. Wiley, ^New York,1959).

[2] ^Proc. Conference on Single Crystal ^Thin Films, Blue Bell, May ^{1963, à} paraître.

[3] ^GÜNTHER (K. G.),

Compound Semi-Conductors.

Vol. 1. Preparation ^and Properties ^{of the III-V} Compounds ",. ^Ed Willardson and Goering (Rein-

hold Publ., ^New York,1962 ) .

[4] PAPARODITIS (C.), ^{J. Rech.} CNRS, ^décembre 1963, 63,

à paraître.

[5] PAPARODITIS (C.),

Compound Semi-Conductors.

Vol. 1. Preparation ^and Properties ^{of the III-V} Compounds ". Ed. Willardson and Goering (Rein-

hold Publ., ^New York, 1962).

[6] GOLDFINGER (P.),

Compound Semi-Conductors.

Vol. 1. Preparation ^and Properties of the III-V

Compounds ^". Ed. Willardson and Goering (Rein-

hold Publ. New York, 1962).

[7] ^KUROV (G. A.), ^Zh. Tekh. Fiz., 1957, 27, 2181 ; ^Sov.

Phys. ^Solid State, 1959,1 151.

[8] ^RODOT (H.), QUILLIET (A.) ^{et RODOT} (M.), ^Proc.

Conference on the Physics ^of Semiconductors,

Exeter (Publ. Institute of Physics, ^{London, 1962).}

[9] ^HARMAN (T. C.), ^LOGAN (M. J.) et GOERING (H. L.),

J. Phys. ^Chem. Solids, 1958, 7, ^228.

[10] PAPARODITIS (C.), ^J. Physique Rad., 1962, 23, 411.

[11] ^BROCKDALE (E.) ^{et SENECAL} (G.), J. Appl. Phys.,

1962, 33, ^2526.