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Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics

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Academic year: 2021

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Texte intégral

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HAL Id: hal-00994378

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994378

Submitted on 21 Jul 2014

HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.

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Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics

S.D. dos Santos, Bogdan Cretu, V. Strobel, Jean-Marc Routoure, Régis Carin, J.A. Martino, M. Aoulaiche, M. Jurczak, E. Simoen, C. Claeys

To cite this version:

S.D. dos Santos, Bogdan Cretu, V. Strobel, Jean-Marc Routoure, Régis Carin, et al.. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, Elsevier, 2014, 9 p. �10.1016/j.sse.2014.04.034�. �hal-00994378�

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