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Contrôle de l’émission spontanée dans les cavités à cristal photonique
Rémy Braive
To cite this version:
Rémy Braive. Contrôle de l’émission spontanée dans les cavités à cristal photonique. Physique
[physics]. Université Paris-Diderot - Paris VII, 2008. Français. �tel-00355107�
UFRdePHYSIQUE
ECOLEDOCTORALE: Constituantsélémentaireset systèmecomplexes(ED381)
THÈSE
présentéepourobtenirlegradede
Docteurdel'UniversitéParis7
Rémy BRAIVE
Soutenuele24Novembre2008
Contrôle de l'émission spontanée dans les
cristaux photoniques
devantlejurycomposéde:
IzoABRAM Directeurdethèse
Antonio BADOLATO
AlexiosBEVERATOS
Philippe BOUCAUD Rapporteur
DanielDOLFI Rapporteur
Carlo SIRTORI Président
Je voudrais en premier lieu remercier la Délégation Générale de l'Armement pour
avoir nancé mon travail de thèse eectué dansle groupe de Photonique etElectronique
QuantiqueduLaboratoire dePhotonique etNanostructures(Marcoussis).
Je remercie Jean-Yves Marzin pour m'avoir accueilli au sein de son laboratoire et
m'avoir ainsi permis de travailler dans des conditions idéales pour réaliser ce travail de
thèse.
JeremerciechaleureusementCarloSirtoripourm'avoirfaitl'honneurdeprésidermon
jurydethèse,ainsiquePhilippeBoucaudetDanielDolpouravoiracceptéde remplirles
rôlesde rapporteurs.UngrandmerciégalementàAntonioBadolatopoursaparticipation
en tantquemembrede mon jury.
Lathèsec'estévidemment unprojetsurtroisansquiévolueauldutempsmais c'est
aussi une magniqueexpériencehumaine.Cestrois années de thèsene pourront pasêtre
dissocié des deuxIsabelles (Robert et Sagnes) qui ne sont pas dans le jury mais qui ont
grandement participer et contribuer à ce travail de thèse. Je pense que l'on ne se rend
compte de la chance detravailler avectoi,Isabelle S., seulementlorsquel'on arrêtede le
faire. Comme danstouslesremerciementsdesthèsesdespersonnesayanttravailleravec
toi,je voudrais teremercier dem'avoirtant apportéen matière detechnologie,louerton
dynamisme ainsiqueton engagement. Merci pourlesretoursen voiture pluspratiqueset
nettementplusagréablesqueleDaniel Meyermaisaussimercidem'avoirprêtétavoiture
pourmepermettredeprolongermesexpériencestardives.IsabelleR.,mercidetonsoutien
et plusparticulièrement durant cettepériode pendant la quelle plusrien ne fonctionnait.
Un grand merci àAlexios poursa disponibilité, son envie d'aller plusloin, les méthodes
de travail qu'ilm'a transmises, son aide en optique etdansl'interprétationdesrésultats.
Merciaussiàtouslestroispourm'avoirdonnél'opportunitédetravaillerensalleblanche.
Aprèsy avoir pris goût, il estdicile de s'enpasser. Celaa étéune superbe expérience.
Sur ce point je voudrais aussi remercier Stéphane Laurent qui m'a transmis son envie
de travailler en salle blanche ainsi que ces connaissances sur la fabrication descristaux
photoniques.Merciaussidenepasm'avoirtransmistahantiseduH.F.,del'héliumetdes
araignées. Merci aussi de tabonne humeurdanslebureauD2-101. Jesais quecela aété
particulièrementdicileaveclaprésencedeMichondeSaintGermain.Jevoudraisquand
mêmeteremercierAdrienpourlespausesPaquitaagrémentéesdemusiqueclassique,pour
avoir servi à certains momentsde punching-ball. Je te demande cependant deuxchoses,
s'il te plait, arrête la semoule et brûle ta peau de mouton! Ce n'est pas bon pour toi et
surtout pour ton entourage. Merci du soutien de Richard durant la période de rédaction
de Michonde SaintGermain, pourlesséancesZapping +SAV deretourde déjeuneret
pour l'ensemble desmomentsde détentesmais aussi desnuits restés aulaboratoire pour
travailler.
Merci à mes parents de m'avoir soutenu pendant ces trois ans. Merci de m'avoir
convaincu au l du temps qu'il s'agirait de ma deuxième soutenance et que donc je
Etpuisbiensûrjeremerciemescolocataires,Iropourcesfameuxcocktailsetlachaleur
du Sud qu'elle a su apporter, Marion pour ton humeur râleuse, Marine pour toutes les
séries que tu m'as fait découvrir mais que nous n'avons toujours pas nit de regarder.
Merciàtouteslestroispourvostalentsde cuisinièresetspécialementdurantvospériodes
de régimesavec leslitres de soupes. Merci aussi àmes amis qui, malgréle fait qu'ilsne
fassent pas de thèse, m'ont permis d'avoir une vie en dehors de la thèse, de rencontrer
despersonnesd'autres horizonset decomprendremon emploi dutempsincertain.
Je remercie également tous les membres de l'équipe P.E.Q. sans qui les déjeuners
n'auraient pas eu la même saveur. Un grand merci à Tiany pour avoir imposer une
hygiène de vie au sein du groupeavec un déjeuner à midi pile. Merci à Mister K. pour
sonenseignementdescalemboursetdesjeuxdemotséquivoques,ilfauteectivementtrois
ans pour pouvoir tous les saisir avec toutes leurs subtilités. Merci à Sylvain pour avoir
partager et débattudes sorties ciné,heureusementJames Grayétait là pournous mettre
d'accord.
Merci àPhilippeLalanneetGuillaumeLecamp pour lessimulations toutparticulière-
mentsurlescavitésàdoublehétérostructureetles discussionssurle termede pertes
γ
quecesoit pourlesmicropiliersou bienpour lescristaux photoniques.
JevoudraisaussiremercierKarineMeunier,PascaleSenelartetJacquelineBlochpour
les emprunts répétés de la caméra streak sans quoi de nombreux résultatsde cette thèse
n'auraientpaspuêtreobtenus.MerciàAudreyMiardetAristideLemaîtrepourlesplaques
à boîtes quantiques. Ces résultats ont aussi été dépendant de la fabrication des cristaux
photoniquesdanslasalleblanchedulaboratoire.Jevoudraisremerciertouslesmembresde
lasalleblanchequi fontfonctionnercemagniqueoutilaujourlejour.Durantmathèse,
j'ai étéplus particulièrement amenéàtravailler avec Stéphane Guiletet Luc Le Gratiet.
Lagravureparplasmadescristauxphotoniques n'auraitjamais puêtreaussiclair sansle
tempspassé avec Stéphane pour m'expliquerlefonctionnement de l'I.C.P. et la physique
desplasmasetencoredésoléde nejamais êtrevenuaucoursduLundimidi. Etungrand
merciàLuc pourlesinsolations aumasqueurélectronique ainsi quesonfabuleuxaccent.
Merci aux Vendredi et auxveilles de départs en vacances qui apportent leurs lots de
résultatstoujours intéressants parfoisgéniaux maisaussi délicatsàinterpréter.
Enn merciàPatrick Hisope pourtoutela logistique desbidons d'hélium.
1 Les cavités à cristaux photoniques pour le contrôle de l'émissionspon-
tanée 15
1.1 Contrôledel'émissionspontanéeenrégimedecouplagefaible . . . 15
1.1.1 Processusd'émissionspontanéeencavité . . . 16
1.1.2 Modicationdeladynamiqued'émissionspontanée . . . 17
1.1.3 Redistributionspatialedel'émissionspontanée . . . 18
1.1.4 Dispositifsàémissionspontanéecontrôlée-Quelquesexemples . . 18
1.2 Lasersàémissionspontanéecontrôlée . . . 19
1.2.1 Equationsd'évolutionenprésenced'uncontrôledel'émissionspon- tanée. . . 20
1.2.2 Impactsurleseuillaser . . . 22
1.2.3 Impactsurladynamique . . . 25
1.2.4 Impactsurlescaractéristiquesspectrales . . . 26
1.2.5 Réalisationdelasersàémissionspontanéecontrôlée . . . 27
1.3 Lemilieuactif: unplandeboîtesquantiquesauto-assemblées . . . 28
1.3.1 Croissanceettopologie. . . 28
1.3.2 Spectresélectroniqueetoptique. . . 29
1.3.3 Lesbôitesquantiquespourlaréalisationdelasers . . . 29
1.3.4 Lesboîtesquantiquespourl'Electrodynamique QuantiqueenCavité 31 1.4 Lerésonateuroptique:lescavitésàcristauxphotoniquessurmembrane . 32 1.4.1 Stratégiesdeconnementdelalumière . . . 32
1.4.2 Microcavitésàcristauxphotoniquessurmembrane . . . 34
1.4.2.1 Diagrammedebandeet bandeinterditephotonique . . . 35
1.4.2.2 Cavitésàdéfautsponctuels . . . 37
1.4.2.3 Cavité àdoublehétérostructure . . . 38
1.4.3 Microcavitéset contrôledel'émission spontanée . . . 40
1.4.4 Microcavitéset eetlaser . . . 42
1.5 Conclusion . . . 44
2 Réalisationdecavitésàcristauxphotoniquesbi-dimensionnelssurmem- brane 45 2.1 Lesprincipalesétapesdefabrication . . . 46
2.2 Lithographieélectronique . . . 48
2.2.1 Principedefonctionnementd'unlithographieur. . . 48
2.2.2 Résinepositiveetrésinenégative . . . 50
2.2.3 Ecrituredesmotifs . . . 52
2.2.3.1 Préparationdumasque . . . 52
2.2.3.2 Limites defonctionnement . . . 54
2.2.4 Impactdelalithographieélectroniquesurlespropriétésoptiques . 55
2.3.1 GravuresC.C.P.-R.I.E. etI.C.P.-R.I.E.. . . 58
2.3.1.1 Mécanismesdegravureparplasma. . . 58
2.3.1.2 C.C.P.-R.I.E.versusI.C.P.-R.I.E. . . 59
2.3.2 Gravuredumasquedenitrure . . . 60
2.3.3 Gravuredusemiconducteur . . . 61
2.4 Gravurechimique/Sousgravure . . . 70
2.4.1 Réalisationdemembranessuspendues . . . 70
2.4.2 Evolutiondelastabilité delasous-gravureenfonctiondutemps . 71 2.5 Conclusion . . . 73
3 Eet laser dans lescavités à fortcouplage de l'émissionspontanée 75 3.1 Caractérisationdesmodesparphotoluminescence. . . 75
3.1.1 Principedelamesure . . . 75
3.1.2 Réponsespectraledescavitésàdoublehétérostructure . . . 76
3.1.3 Longueurd'onded'excitationetdissipationthermique . . . 78
3.2 Caractérisationdel'eetlaser . . . 79
3.2.1 Intensitéintégréeenfonctiondelapuissancedepompe . . . 79
3.2.2 Largeur spectrale de la résonance en fonction de la puissance de pompe . . . 82
3.2.3 Longueurd'onde de larésonancelaser enfonction de lapuissance depompe . . . 83
3.2.4 Fonctiondecorrélationdesecondordreenfonctiondelapuissance depompe . . . 84
3.3 Conditionsd'observationdel'eetlaser . . . 86
3.3.1 Position spectralerelativeentrelemilieuàgainetlarésonance . . 86
3.3.2 Delanécessitéd'unconnementspatialet temporel . . . 87
3.4 Evolutiondescaractéristiqueslaserenfonctionde
β
. . . . . . . . . . . . 893.5 Conclusion . . . 91
4 Dynamique d'un nanolaser à cristalphotonique 93 4.1 Bandepassantedemodulationdirecteetmicrocavité . . . 93
4.1.1 Modulationindirecteet directe . . . 94
4.1.2 Vitessemaximaledemodulationd'unlaseràboîtesquantiques . . 94
4.1.3 Vitessemaximaledemodulationd'unlaseretmicrocavité . . . 95
4.2 Réponsetemporelleàune excitationimupsionnelle . . . 96
4.2.1 Dispositifexpérimentaldemesure . . . 96
4.2.2 Accélérationdel'émissionspontanée . . . 97
4.2.3 Dynamiqueaupassageduseuil . . . 100
4.2.4 Modulationdirectedelacavité . . . 104
4.2.4.1 Réponseàunedoubleexcitation . . . 104
4.2.4.2 Bandepassantedemodulationdirecte . . . 109
4.3 Réponsespectraleàuneexcitationimpulsionnelle. . . 109
4.3.1 Largeurderaie etfacteurdeHenry. . . 109
4.3.2 Dérivedynamiquedelafréquencelaser-Chirp . . . 111
4.4 Conclusion . . . 115
photonique- Quelquesperspectives 117
5.1 Sourcespourl'informationquantique . . . 117
5.1.1 Etatsàunphoton . . . 118
5.1.2 Etatsintriqués . . . 118
5.1.2.1 Etatsintriquésentemps-position. . . 119
5.1.2.2 Etatsintriquésenpolarisation . . . 120
5.1.3 Limitesactuelles . . . 121
5.2 Nanosourcespourl'optoélectronique . . . 125
5.2.1 EetlaserdanslabandeCdestélécommunicationsenrégimecontinu etàtempératureambiante . . . 127
5.2.2 Eet laser danslabande Cdes télécommunicationsenrégime im- pulsionneletàtempératureambiante . . . 129
5.2.3 Versunpompageélectriqueetune ecacitéaccruedecollection . 131 5.3 Conclusion . . . 135
5.4 Passivationdescouchesrichesenaluminium. . . 139
5.4.1 ChimieCl
2
/N2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1415.4.2 ChimieàbasedeHBr . . . 141
5.5 Gravureprofonde . . . 146
5.5.1 Unequestiondemasque . . . 146
5.5.2 Optimisation des paramètresplasma: gravure profonde de micro- piliers . . . 147
5.5.3 Optimisation des paramètres plasma: structures périodiques pro- fondes . . . 150
Bibliography 153
1/τ sp
Tauxd'émission spontanée;α H
FacteurdeHenry;¯
p
Nombremoyendephotonsdanslacavité;β
Fractiondel'émission spontanéeémiseparledipoledanslemodedelacavité;∆ω c
Largeurdumodedelacavité optique;η i
Fractiondesporteursinjectésqui relaxentverslestransitionsoptiquesutiles;Γ
Tauxdedéclin donnéparlarègled'ordeFermi;γ
Modicationdel'émission spontanéedanslesmodesautresqueceluilaser;Γ 0
Tauxd'émission spontanéeenl'absencedecavité;Γ conf
Facteurdeconnement;Γ c
Tauxd'émissionspontanéelorsquel'émetteurestisolédanslerésonateuroptique;Γ l
Tauxd'émission spontanéeverslesmodesautrequelemodelaser;ω c
Fréquencedumodedelacavitéoptique;ω e
Fréquencedepulsationdel'émetteur monochromatique;ω R
Fréquencederésonance;τ P
Duréedeviedesphotonsdanslacavité;ξ
Nombredephotonsdanslemodelaserauseuildetransparence;a
Gaindiérentiel;F F ano
FacteurdeFano;F p
FacteurdePurcell;g
Gainparunité delongueur;g (2) (τ)
Fonctiondecorrélationdusecondordre;N
Densitédeporteursdechargespiégéssurlestransitionsoptiquesutiles;n
Indice deréfraction;N th
Densitédeporteursauseuillaser;N tr
Densitédeporteursàlatransparence;P
Densitédephotons;Q
Facteurdequalité;R st
Tauxd'émissionstimulée;T 0
Températurecaractéristique;T 1
Temps d'émissiond'unphoton;T 2
Temps decohérence;T 2 ∗
Temps dedéphasagepur;v g
Vitessedegroupe;V N
Volumedumilieuactif;V P
Volumedelacavité vuparlesphotons;D'unpointdevuefondamental,laréalisationdesourcescapablesdegénérerdesétats
quantiquesde la lumièreet l'étudene de leurs propriétés radiativessontdes outilsin-
dispensablespourmettreenoeuvretoutunorilèged'expériencessurlesconceptsfonda-
mentauxdelamécaniquequantique.Au delàdeces aspectsfondamentaux,lechampde
laphysiquequantiques'estconsidérablementélargipourdonnernaissanceaudomainedu
traitementquantiquedel'information: l'objetd'unteldomaineest l'utilisationpratique
des propriétésquantiquesdeparticules individuelles pour lamiseen ÷uvre defonction-
nalités de traitement de l'information dont l'ecacité surpasserait celles des systèmes
classiques. Parmi tousles protocoles théoriques proposés pour lamise en÷uvre detels
dispositifsdecommunicationetdelogiquequantique,certainscodentl'informationsurdes
états quantiquesde la lumière (photons uniques, photonsintriqués, photonsen nombre
contrôlé). De ce point de vue, les nanosourceslumineuses solides et intégrables d'états
quantiquesde la lumière, composants optoélectroniquesayantdes propriétés d'émission
contrôlées au niveau quantique, constituent un élément clé des futurs dispositifs tout-
optiquedetraitementdel'informationquantique.
D'autrepart, le fonctionnement des composantsoptoélectroniquesactuels, ainsi que
les caractéristiquesdes signaux qu'ils produisent, reposent sur les principes de la phy-
siqueclassique. Ceciest dûàleurtaille relativementgrande (supérieure àlacentaine de
nanomètres)qui induitdeseetsdemoyenne,eaçantlesmanifestationsquantiquesdes
phénomènes sous-jacents.Néanmoins, laminiaturisation constante et l'augmentation de
lasensibilité desdispositifs permettent d'accéderàdesdimensionsqui laissententrevoir
la possibilité que des eets quantiques se manifestent dans le fonctionnement des com-
posantset danslescaractéristiquesdessignaux.Un exempleest l'eetlaser enprésence
d'un contrôle de l'émission spontanée.L'étude du fonctionnementde telles nanosources
contribueraàunemeilleurecompréhensiondesphénomènesphysiquesquantiquesquiin-
terviennent à desdimensions proches de lalongueur d'onde. La prise encompte de ces
phénomènes quantiques permettrait, d'une part, de contourner leurs eets indésirables
(tels que le bruit" introduit par l'incertitude quantique) et, d'autre part, de les ex-
ploiter pour mettre en place des procédés de traitement de l'information basés sur des
phénomènesquantiques.
Cetravaildethèseportesurlaréalisationdenanosourceslumineusesultimesàl'état
solidemettantenjeudeseetsdecontrôledel'émissionspontanée.Lasourcedéveloppée
est constituéede boîtes quantiquesautoassembléesInAs/GaAscouplées au mode d'une
cavitéàcristalphotonique.Cettesourceprésenteuneetlaserenprésenced'uneaccélé-
rationdeladynamiqued'émissionspontanéepardeseetsdecavité.
Cemanuscritestdiviséencinqchapitres.
Lepremierchapitreestuneintroductionàl'électrodynamiquequantiqueencavitédont
nousdétailleronslesconceptsfondamentaux.Nousdétailleronsl'impactdelaprésencede
la cavité surl'émission laser en présencede tels eets. Diérentes géométries de cavités
lescavitésàcristauxphotoniques.
Dans le deuxième chapitre,nous discuterons endétail de la fabrication des cristaux
photoniquesenreprenantchronologiquementlesdiérentes étapes.Pourchacuned'elles,
nousprésenteronslesaméliorationsquiontétéapportéespourrépondreauxcritèrespré-
sentés dans le chapitre précédent. Nousnous attarderons sur lesétapes delithographie
électronique et de gravure sèche pour lesquelles une attention toute particulière a été
portée.
Avecles améliorationstechnologiques présentées dansle secondchapitre,nousavons
pu réaliser des cavités laser à émission spontanée contrôlée. Nous préciserons quelques
unes des conditions pour observerun tel eet. Nous présenterons ensuite les propriétés
statiquesdetelscomposantsetmettronsenévidencelepassageprogressifduseuillaseren
fonctiondelapuissanced'excitation. Nousmontreronsquelescaractéristiquesstatiques
aupassageduseuilsontfortementdépendantesdespropriétésoptiquesdelacavité.
Danslequatrièmechapitre,nousétudieronslecomportementdynamiquedecescavités.
Grâceàcesmesures,nouspourronsremonterauxfacteursdemériteconventionnellement
utiliséspourleslasers(bandedemodulationdirecte,facteurdeHenry
. . .
, chirp,...)Dans le cinquième et dernier chapitre, nous discuterons des pistes de prolongement
envisagéesàl'heure actuelleainsiquedeleurfaisabilité danslesdomainesdel'optoélec-
troniqueet de l'information quantique. Le principal dé dans le domaine de l'optoélec-
troniqueest l'améliorationdelacollectiondesphotonsémisparlacavité et lepompage
électrique des structures. Pour l'information quantique, nous étudierons les limites ac-
tuellesdel'utilisation detelles sources.
Les cavités à cristaux photoniques
pour le contrôle de l'émission
spontanée
La mise en oeuvre du contrôle de l'émission spontanée et son exploitation dans les
dispositifsoptoéléctroniquesainitiéetconsidérablementorientélestravauxsurlescristaux
photoniques. Dans sonarticle fondateur[1], E. Yablonovitch motivait le développement
de structures photoniques tridimensionnelles avec une bande interdite complète par la
possibilité d'inhibertotalement l'émission spontanée dans cette plage spectrale.Peu de
temps après, dès 1991, il proposait le concept de diode électroluminescente monomode,
constituée parundéfaut dans uncristal photoniquetridimensionnel[1]. Déjà, lechamp
de la recherche sur la modication et le contrôle de l'émission spontanée s'élargissait
versl'exploitationd'eetsd'électrodynamiquequantiqueencavité(EQC)danslamiseen
oeuvredenouveauxdispositifspourlaphotonique.
Dans ce chapitre, nous reviendrons sur quelques éléments de la théorie du contrôle
de l'émission spontanée et donnerons quelques exemples de leur impact possible dans
l'ingénieriedenouveaux dispositifsoptiques.Nousétudieronsplusparticuliérementdeux
domainesd'applications:lessourcespourl'informationquantiqueetleslasersàémission
spontanéecontrôlée.Nousdétailleronsensuitelesingrédientsessentielspourl'observation
d'eetsd'EQCdanslessemiconducteurs,tantdupointdevuedumatériauémetteurque
dupointdevue durésonateuroptique.Nousdécrirons ennlesdiérentes stratégiesde
connementdelalumière danslessemiconducteurs,enmettant l'accentsur lescristaux
photoniques.
1.1 Contrôle de l'émission spontanée en régime de cou-
plage faible
Il ne s'agit pas ici de proposer une description complète de la théorie de l'émission
spontanéeet desamodicationenprésenced'unemicrocavité.Nousreviendronssimple-
mentsurquelquesnotionsfondamentalesquinousserontutilesparlasuite.Pourplusde
détails,onpourraseréférerà[2].
L'émissionspontanéede lumièreconsisteen lalibérationspontanéedel'énergie d'un
dipôleémetteursousformedephotons,enabsencedeperturbationextérieure.Ellenepeut
êtreenvisagéeaprioriquedansuncadreoùlamatièreetlalumièresonttraitéesdema-
nièrequantique.Elleestalorsdécritecommeuneémissiondéclenchéeparlesuctuations
quantiquesduchampélectromagnétiqueduvide [2]. Cettedénition nousindiqued'une
partquel'émissionspontanéen'estpasunepropriétéintrinsèquedel'émetteur,encesens
qu'ellen'estpasuniquementtributaire delatransition radiativeétudiée :elledépend de
l'interactionentrel'émetteuretsonenvironnement.D'autrepart,lamécaniquequantique,
endécrivantl'émission spontanéecommerésultantdel'interactionrayonnement-matière,
nous donne les clés d'un contrôle de l'émission spontanée : la structuration modale du
champ duvide par laprésence d'un miroir ou d'un résonateurrésulteraen une modi-
cationdespropriétésd'émissionspontanéed'unémetteurponctuelplacéauvoisinagedu
miroiroudanslacavité.
Deux régimes decouplagepeuventalors exister.Danslerégime dit decouplagefort,
l'émission spontanée devient réversible : le photon émis dans le mode de la cavité est
réabsorbéparl'émetteuravantderelaxerhorsdelacavité.Onobservealorsunéchange
périodique d'énergie entre l'émetteur et le mode de cavité et les états propres du sys-
tèmedeviennentdesétatsmixtesémetteur
−
champ,appelésatomeshabillés enphysiqueatomiqueoupolaritonsenphysiquedessemiconducteurs.Dans cerégime,lemodedela
cavité doit d'abord être considéré commeun étatdiscret de photon en interaction avec
unémetteurdiscret.Leseetsd'unecavitéet d'unémetteur présentantune largeurnon
nulleapparaissentalorsuniquementcommedessourcesd'amortissementdanscenouveau
système.Ainsi,pourétablircesnouveauxétatspropres,ilfautentreautresqueletemps
d'échappement des photons et la durée de vie du dipôle soient bien plus longs que la
période des oscillations de l'énergie entre les deux états, dites oscillations de Rabi. En
revanche, dans le régime de couplage faible, l'émission spontanée reste irréversible : le
photonest émisdanslemodedecavitépuissecoupleàdesmodespropagatifshorsdela
cavité.Dans cecontexte,lesystème peutalorsêtredécrit commeunémetteur discretse
couplantàuncontinuumdemodesduchampélectromagnétique.Celaimpliquequelalar-
geurnaturelle
~ ∆ω e
acquiseparl'émetteurest trèsfaibledevantlalargeurducontinuumduchamp
~ ∆ω C
1 :∆ω e ∆ω C
(1.1)Le respect de cette condition sut pour armer que nous sommes en régime dit de
couplage faible. Dans ce contexte, la présence de la cavité a notamment pour eet de
modier ladynamique d'émissionspontanéedel'émetteur (inhibitionouaccélérationde
l'émissionspontanée).
Dans les expériences qui vont suivre, le régime de l'interaction lumière-matière sera le
régime de couplage faible. Les émetteurs seront des boîtes quantiques d'InGaAs/GaAs
refroidiesà4K.Leurlargeurnaturellesedécomposecommelasommedelalargeurnatu-
relledudipôle associéeautaux d'émissionspontanéeet lalargeurdue àl'élargissement
homogène.Elle estde l'ordrede quelquesdizainesde
µ
eV àbassetempérature[3].Pour les résonateursoptiques utilisés dansnos travaux,les largeursde raie des modes~ ∆ω C
serontdel'ordredequelquescentainesde
µ
eV. Au regarddecesordres degrandeur,onconstate quela conditionénoncéeci-dessus
∆ω e ∆ω C
serabien satisfaite : lerégimedecouplagelumière-matièreseradonc,dansnosexpériences,lerégimedecouplagefaible.
Nouslimiteronsparlasuitenotreproposàcerégimeuniquement.
1
Entouterigueur,ilconviendraitd'adjoindre unesecondecondition:ledéplacementenénergie
δω e
duspectrerayonnéparl'émetteurdûàlaprésencedelacavitédoitaussiêtretrèsfaibledevantlalargeur
ducontinuumduchamp
~ ∆ ω C
.Considérons dans unpremier temps le cas d'un dipôle émetteur ponctuel isolé dans
unecavité optiquemonomodededimensiondel'ordredelalongueurd'onde.L'émetteur
monochromatiquedepulsation
ω e
estdécritparundipôleélectriqued ~
associéàlatransi-tionoptiqueetestplacéen
r ~ e
.Lemodedelacavitéoptiquedepulsationω c
etdelargeur∆ω c
estcaractérisé parsonfacteurdequalitéQ = ω c /∆ω c
etsonvolumemodalV
:V =
´´´ d~r 0 r (~r) k ~u(~r) k 2
max( 0 r (~r) k ~u(~r) k 2 )
(1.2)où
0
est la permittivité du vide etr (~r)
la permittivité relative du matériau formant lacavité en~r
. Levecteur~u(~r)
est la dépendance spatiale duchampélectrique classiquedanslacavité (
~u(~r)
estnormaliséà1àsonmaximum).Onseplace danslasituationoùlarésonancede lacavité est beaucoup pluslargespectralementque l'émetteur.Dans ce
contexte,sil'émetteuraétépréparédanssonétatexcitéà
t = 0
,saprobabilitédeprésence dans l'étatexcitéévolueselone − Γt
oùΓ
est letauxdedéclindonné parlarègled'ordeFermi.Nousnoterons
Γ 0
letauxd'émission spontanéeenabsencedecavité etΓ c
letauxd'émissionspontanéelorsquel'émetteurest isolédanslerésonateuroptique.Laprésence
delacavitéoptiquemodiealorsladynamiqued'émissionspontanéedel'émetteurselon
[4]:
F = Γ c
Γ 0 = F p | ~u(~r em ).~ d | 2
| d ~ | 2
1
1 + (2Q/ ~ ω c ) 2 ( ~ ω − ~ ω c ) 2
(1.3)Danscetteéquation,
F p
,appelé facteurdePurcell,s'exprimecomme:F p = 3 4π 2
Q
V /(λ e ) 3
(1.4)où
λ e
estlalongueurd'onded'émissiondudipoledanslacavité optique.L'équation 1.3 nous indique trois principales contributions à la modication de la dy-
namique del'émission spontanée.Lepremierterme
F p
estliéauxcaractéristiquesintrin- sèquesdelacavité(Q
,V
),tandisquelesecondetletroisième,toujoursinférieursàl'unité,illustrentle caractèrerésonantducontrôledel'émission spontanée.Lesecond terme dé-
pendde l'amplituderelativeduchampàl'emplacementdel'émetteur etde l'orientation
du dipôle de la transition par rapport au champ de la cavité. Le troisième correspond
audésaccordspectraldel'émetteur parrapport aumodedelacavité.Noustrouvonsici
lesclésd'uncontrôledeladynamiquedel'émissionspontanée,aussibienl'inhibitionque
l'accélération.L'inhibitionalieulorsqueledipôleémetteurestplacéàunnoeudduchamp
électriqueet
/
ouestspectralementhorsrésonanceaveclemodedecavité.Danscedernier cas,l'amplitudedel'inhibition del'émissionspontanéeestproportionnelleà1/(QV )
.Enrevanche, l'exaltationmaximaledutauxd'émission spontanée est obtenuelorsque ledi-
pôleémetteurestnonseulementcolinéaireauchampélectriquemaisaussispectralement
etspatialementenrésonanceaveclemodedelacavité.L'amplitudedel'accélerationdela
dynamique d'émissionspontanée est alorsproportionnelle à
Q/V
. Toutd'abord observéenphysiqueatomique, l'inhibitiontoutcommel'accélérationdel'émissionspontanéeont
étéobservéesdanslessemiconducteurs,àpartirdeboîtesquantiquesisolésdansdescavi-
tésmicropiliers,desmicrodisquesoubiendescavitésàcristauxphotoniques.L'amplitude
deseetsobservés,certesmodestesencomparaisonauxexpériencesdephysiqueatomique
[5,6], restesignicative,avecune accélérationd'unfacteur 10[7] et uneinhibition d'un
facteur 5environ[8,9].
Defaçonplusréaliste, ledipôle électriqueassociéàla transitionoptiqueest souvent
orienté de manière aléatoire et l'amplitude de la modicationde l'émission s'en trouve
le plan duchamp électriquedu mode, ce qui serale cas dans nosexpériences). D'autre
part,lemodeoptiqueauquelsecoupleledipôleémetteurpeutêtredégénéré
g
fois.Danscecontexte,letauxd'émissionspontanéeestmodié commesuit:
F = Γ c
Γ 0
= g
3 F p | ~u(~r em ) | 2 1
1 + (2Q/ ~ ω c ) 2 ( ~ ω − ~ ω c ) 2
(1.5)Enn, nousn'avonsconsidéréque lecasd'unecavité monomode.Or,d'autresmodes de
photonsdusystèmeexistentàlapulsation
ω e
et présententunedépendancespatialenonnulle àla position de l'émetteur,ils sont alorssusceptibles d'être peuplés. Notons
Γ l
letauxd'émissionspontanéeverscesmodes.D'aprèslarègled'ordeFermi,lesprobabilités
dedésexcitationdanslesdiérentsétatsnauxs'ajoutent,desortequeletauxd'émission
spontanéetotal
Γ
s'écrit:Γ
Γ 0 = Γ c + Γ l
Γ 0 = F + γ
avecγ = Γ l
Γ 0
(1.6)
1.1.3 Redistribution spatiale de l'émission spontanée
Outre une modication de ladynamique d'émissionspontanée, la présence de lacavité
modiesondiagrammederayonnement.En eet,considéronsunémetteurponctuelcou-
plé àune cavité monomode.Comme nousl'avonsindiquéprécédemment,l'émetteur est
susceptibledesecoupleràd'autresmodesduchampquelemodedelacavité,telqu'un
continuum de type espace libre. On doit donc en toute rigueurdécomposer le champ
électromagnétiqueen incluantle mode dela cavité
~u(~r)
auquels'ajouted'autresmodesde dépendance spatiale et spectrale non nulle sur le site de l'émetteur. Notons, comme
précédemment,
F = Γ c /Γ 0
lamodicationdel'émissionspontanéeparlemode delaca-vitéet
γ = Γ l /Γ 0
lamodicationdel'émissionspontanéeparcesautresmodes.Onpeutalors,enbonneapproximation,exprimerlaprobabilitédetrouveràl'instant
t
lephotondanslemodedelacavitépar:P (c, t) = Γ c
Γ c + Γ l
(1 − e − Γt ) = F
F + γ (1 − e − Γ t )
(1.7)alorsquelaprobabilitédeletrouveràl'instant
t
danslesautresmodesestdonnéepar:P (l, t) = Γ l
Γ c + Γ l (1 − e − Γt ) = γ
F + γ (1 − e − Γt )
(1.8)Onendéduitquelafraction
β
d'émissionspontanéeémiseparledipôleémetteurvéhiculéeparlemodedelacavités'exprimecomme:
β = P (c, t)
P (c, t) + P (l, t) = F
F + γ
(1.9)Cette expression traduitle couplagepréférentielde l'émission spontanée au mode de la
cavitéenrégimedeforte exaltationdutauxd'émissionspontanée.
1.1.4 Dispositifsàémissionspontanéecontrôlée-Quelquesexemples
Ilnes'agitpasicid'établirune listeexhaustivedespossibilitésouvertesparl'EQCdans
l'ingénieriededispositifspourletraitementdel'informationquantiqueoulaphotonique.
crit et nous prendrons ici simplement deux exemples : les sources de photons uniques
indiscernablesetleslasers.
Lagénérationdephotonsuniquesreposeengénéralsurl'excitationimpulsionelled'un
émetteurquantiqueuorescentindividuel. Celui-ci,initialementdanssonétatfondamen-
tal, est portédans son étatexcité parl'impulsion excitatrice.Il émetensuite spontané-
ment,ensedésexcitantverssonétatfondamental,unphotonet unseulàl'énergiedela
transition.La plupartdes réalisationsexpérimentalespourproduire desphotonsunpar
un sont des variantes de cette idée de base et utilisent une grande variété d'émetteurs
quantiquesindividuels, telsque desatomes individuels [10,11], des ionspiégés [12], des
molécules àcolorant[13,14,15], descentrescolorés[16, 17,18]oubiendesboîtesquan-
tiquesen semiconducteurs[19, 20,21]. Lesboîtesquantiquessontdesnanostructuresen
semiconduteurs dans lesquelles les porteurs de charge sont connésdans lestrois direc-
tionsdel'espacesurdesdistancesinférieuresàlongueurd'ondedeDeBroglieauvoisinage
dugap.Electronset trousressententfortementleseetsduconnementtridimensionnel
et adoptent des niveaux discrets d'énergie. Les boîtes quantiques, considérées en tant
qu'objet quantique unique,suscitentungrandintérêtdepuis quelquesannées et ont été
utiliséespourlagénérationdephotonsuniques [19,20, 21].Qu'enest-ilcependantdela
puretéspectrale deces photons?Ces photonssont-ilsindiscernables 2
?Les boîtes quan-
tiques utilisées comme sources de photons uniques sont situées dans un environnement
aveclequelellesinteragissentfortement(collisionsaveclesphonons,interactionsélectro-
statiques...) sibien quedes uctuationsaléatoiresdesniveaux d'énergie apparaissentau
cours dutempsavec untempscaractéristiquedonnéparletemps dedéphasagepur
T 2 ∗
.Ce temps
T 2 ∗
(de quelquesdizainesà quelquescentaines de psau plus),est usuellement bien plus courtque lesduréesT 1
d'émissiond'un photon(de l'ordrede1.5 ns) [22, 23],desortequelalumièrerayonnéeparlesboîtesquantiquesprésenteunélargissementspec-
tral (donnépar
2 ~ /T 2 = 2 ~ /T 2 ∗ + ~ /T 1
) qui n'est paslimité par la duréede vie. Ainsi,deux photonsuniquesséquentiellement émispar une boîte quantiquesont marqués en
énergie par les mécanismes déphasants dus à l'interaction avec l'environnement et sont
donc a priori discernables. Cependant, le régime où le temps de cohérence est dominé
par la durée de vie (i.e.
T 2 ' 2T 1
) est accessible par l'exploitation de l'accélération de l'émission spontanée, eninsérantlaboîte quantique dansune microcavité (telle quedescavitésmicropilierouàcristauxphotoniques).Lescavitésoptiquespermettentderéduire
laduréed'émissionspontanéed'unfacteur20à30,demanièreàcequ'elledevienneplus
courtequeletempscaractéristiquedesuctuationsdel'environnement,augmentantainsi
l'indiscernabilitédesphotonsséquentiellementémis[24,25,26].Detellessourcessontdes
briquesindispensablesdansledéploiementdedispositifsdedistribution declé quantique
incluantdesrelaisquantiques.
Outredans ledomaine del'information quantique,lamise enoeuvre d'eets d'EQC
pourrait jouerunrôle sur lesperformancesde dispositifsoptoélectroniques.Nousallons
étudier plusendétail l'impactdu contrôlede l'émission spontanéesur leslasersdans le
paragraphesuivant.
1.2 Lasers à émission spontanée contrôlée
Dansunlaser,l'émissionspontanéedanslemodelaserjoueunrôleclefpuisqu'ellesert
à déclencherl'émission stimulée,tandis que l'émission spontanée dans les autres modes
2
Onditdedeuxphotonsqu'ilssontindiscernables,danslamesureoùnileurspropriétésintrinsèques
(polarisation, énergie,proltemporel..)nileurstrajectoires permettentdelesdistingueraprèsqu'ilsse
soientcroisés.
sionparlatranche,employésparlestélécommunicationsoptiques,lafraction utile
β
del'émission spontanée véhiculée dans le mode laser est très faible, de l'ordre de 10 -5
, et
lecourantinjectépourpasser leseuillaser estd'autantplusélevé. Augmenter
β
devraitdoncpermettrederéduirelecourantdeseuildeslasers.Unestratégiepouraugmenter
β
dansunlasermonomodeestl'exploitationdel'accélérationdel'émissionspontanée:dans
cerégime,lafraction
β
d'émissionspontanéecanaliséedanslemodeutileducomposantdevient
β = F/(F + γ)
;uneaccélérationimportantedeladynamiqued'émissionsponta- néedu milieuactifinduit donc uncouplagepréférentielde l'émission spontanéedans lemodelaser.Parallèlement,plusieurspropositionsindiquentqueleseetsdemodications
de l'émission spontanée devraient permettre d'améliorer les performances des lasers en
termedefréquencedefonctionnement[27].
Danslalimiteultime
β = 1
oùtoutel'émissionspontanéeseraitcoupléeaumodelaser,onparlealorsdelasersansseuil,bienqu'ilexistenéanmoinsdanscetypedecomposant
deuxrégimesdefonctionnementdiérents,l'undominéparl'émissionspontanéeetl'autre
dominéparl'émissionstimulée.
Ces lasersàémissionspontanéecontrôléeontfait l'objetdenombreusesétudesthéo-
riquesdanslesannées1990[27,28]etontfortementmotivélesétudesdeseetsdeQED
danslessemiconducteurs.Depuis,quelquesréalisationsexpérimentalesontpuconrmer,
dumoinsqualitativement,lesattendusthéoriques.Andemieuxcernerl'impactdeseets
de contrôle de l'émission spontanée sur les caractéristiquesdes lasers, revenons plus en
détailssurleséquationsd'évolutiondécrivantlefonctionnantlaser.
1.2.1 Equations d'évolution en présence d'un contrôle de l'émis-
sion spontanée
Ladescriptionadoptéedanscettepartieestdestinéeàdégagerlesparamètresélémen-
tairesqui ontune inuencesur lefonctionnementlaser. Nousemploieronspourcelaune
approches'appuyantsurdesargumentsphénoménologiques.Ilestalorspossiblededécrire
l'évolutiondespopulationsdeporteurset dephotonscommeunsystème couplé[29].
Dans nos expériences, le milieu actif sera formé d'un plan de boîtes quantiques se-
miconductrices d'InGaAs dans une matrice de GaAs refroidies à 4K. En première ap-
proximation, le spectre des états électroniques des structures à boîtes quantiques peut
se décomposer en trois domaines : la matrice de GaAs massif, le puits bi-dimensionnel
ou couche de mouillage en InAs sur lequel repose la boîte et enn la boîte elle-même.
La matrice de GaAs est caractérisée par une densité d'états tridimensionnelle. Dans le
puitsquantiqueultra-minced'InAs(oucouchedemouillage),l'invariancepartranslation
dansleplandescouchesdonnelieuàunquasi-continuumbi-dimensionnel pourlesétats
électroniquesdélocalisésdanslacouchedemouillage.Enn,àl'intérieurdelaboîtequan-
tique,le connementdes électronsdanslestrois directionsde l'espacesetraduitparun
spectrediscretdesétatsélectroniques.L'excitationoptiquenon-résonantes'eectue dans
la couche de mouillage. La relaxation des porteurs depuis la couche de mouillage vers
lesboîtes quantiquesest trèsecaceet s'eectuesurdes échellesdetemps del'ordrede
quelques dizaines de ps. Après cascade non-radiative des porteurs injectés, il y a ainsi
créationdepairesélectron-trousurlestransitionsoptiquesdiscrètesdelaboîtes.Ilexiste
plusieurseetsquicontribuentàréduirelafractiondeporteursinitialementinjectésdans
lacouchedemouillage qui relaxentdanslesboîtes. Parmi ceseets, lesprinciapux sont
la duréede vie nie des porteurs dans la couche de mouillage et les mécanismesde re-
combinaisons non-radiatives dans la couche de mouillage (notamment auxinterfaceset
plusparticulièrementsur lessurfaces libres).Dufait deleur dispersionen taille,chaque
boîtequantiquepossèdeuneénergiedetransitiondistincteavecuncertainélargissement
noterons
η i
lafraction deporteursinjectésquirelaxentverslestransitionsoptiquesuti- les etN
ladensitéde porteurs dechargepiégés surlestransitions optiquesutiles, i.e.couplées aumodelaser. Les variationsdeladensité deporteurs serontalorsgouvernées
parquatresprocessus:
La créationde porteurs de charges parl'excitation (optique ou électrique dans la
couchedemouillage);
L'émission spontanée de lumière par recombinaison radiative des porteurs piégés
danslaboîtes;
Lesrecombinaisonsnon-radiativesdesporteurspiégés;
L'émissionstimuléedelumièreparrecombinaisonradiativedesporteurspiégés.
Ainsi,l'equationd'évolutiondesporteurspeuts'écriredelamanièresuivante:
dN dt = η i I
qV N − N
τ nr
+ N τ sp
− R st
(1.10)où
η i I/q
est le nombred'électrons injectéspar secondedans lazone activeetV N
est levolumedumilieuactif.
R st
désigneletauxd'émissionstimulée.Les photonssont créésparémission spontanéeet stimulée, àpartirdesporteursexcités
utiles danslacavité,tandisqu'ilssontconsomméssoitparabsorptionsoitparéchappe-
menthorsdelacavité optique.Cependant,levolume
V P
delacavité vuparlesphotonset celui
V N
vu par lesporteurs sontdiérents puisque l'espace dans lequel les photonspeuvent évoluer librement est bien plusimportant que pour les porteurs connés de la
zone active. Ainsi, en première approximation, le nombre de photons créé par unité de
volume(par émissionspontanée et stimulée) sera diminuéd'un facteur
V N /V P
. Ce rap-port desvolumesd'occupation est généralementappelé lefacteur deconnement
Γ conf
.D'autrepart, seuleune fraction
β
del'émission spontanée est coupléeau mode utiledulaser. Ainsi, si onnote
P
la densitéde photonsvéhiculésdans le mode laser, l'équationd'évolutiondesphotonspeuts'écrire:
dP
dt = Γ conf R st + Γ conf β N τ sp − P
τ P
(1.11)
où
τ P
estladuréedeviedesphotonsP
danslacavité.Dansceséquations,leterme
R st
estlegainnetdephotons.Sil'onconsidèreunedensitéde photons
P
entrant dans une portion dezone actived'épaisseur∆z
, on obtient alorsune augmentation
∆P
deladensitédephotons,quipeuts'exprimerenfonctiondugainparunitédelongueur
g
:P + ∆P = P e g∆z
(1.12)Si
∆z
estsusammentpetit,exp (g∆z) ≈ (1 + g∆z)
. Enutilisantaussilefaitque∆z = v g ∆t
, oùv g
est la vitesse de groupe, on trouveque∆P = P gv g ∆t
. Onobtientainsi leterme decréationdephotons
∆P/∆t
parémissionstimulée:R st = v g gP
(1.13)Dans le semiconducteurs, le gain
g
est égal, en premièreapproximation, àa(N − N tr )
,où
a = ∂g/∂N
est legaindiérentieletN tr
est ladensitéde porteursàlatransparence.Ainsi,onpeutréécrireleséquationd'évolutiondespopulationsdephotonsetdeporteurs
parunitédevolumesouslaformedeséquationscoupléessuivantes:
dN
dt = η i I qV N − N
τ nr − N
τ sp − v g a(N − N tr )P
(1.14)dP
dt = Γ conf v g a(N − N tr )P + Γ conf β N τ sp − P
τ P
(1.15)
danslescavités lasersmaisprésentede nombreuseslimitations.Nousn'en mentionerons
iciquequelques unes.Toutd'abord,nous avonsconsidéréuntauxd'émissionspontanée
1/τ sp
constantpourtouslesporteurs.Ordufaitdeleurdistributionspectraleetspatiale aléatoire,lesboîtesprésenterontdesdésaccordsspectrauxetspatiauxdistinctsparrapportaumodelaser etne subirontpasavec lamême amplitudel'accélérationdeleur émission
spontanéeparlacavité.Nousnouscontentonsicidemoyennercesdiérencespouraboutir
àuntauxd'émissionspontanéemoyen attribué àtoutes lestransitionsoptiquesutiles.
Parallèlement,nousnégligeonsicileseetsdutauxderemplissagedesboîtesetl'impact
de la saturation des transitions optiques utiles à forte puissance. Enn, la capture des
porteurs par les boîtes quantiques est prise en compte mais pas le phénomène inverse
d'émissionthermoioniquedesboîtesquantiquesverslesbarrières. Defaçongénérale,les
eetsthermiquesnesontpasintroduits,alorsquel'échauementdesstructuresmicrolaser
estsouventnonnégligeable.
1.2.2 Impact sur le seuil laser
Avant de décrire l'impact du contrôle de l'émission spontanée sur le seuil laser, il
convient de dénir le seuil d'un laser. La dénition classique conventionnelle du seuil
correspond au tauxde pompage telque legain netdu mode parémission stimuléesoit
égalauxpertesoptiquesdelacavité.Une autreapproche,ditequantique,dénit leseuil
commelavaleurdepompetellequelenombredephotonsmoyensdanslemodelasersoit
égalà1[27].
Dans les lasers conventionnels macroscopiques, dans lesquels la fraction d'émission
spontanéedans lemodelaser est trèsfaible, ces deux dénitions coincident. Eneet, la
dénition classique duseuil se traduitalors par l'égalité
1/τ P = Γav g (N th − N tr )
, oùN th
estladensitédeporteursauseuillaser.Ladénitionquantiqueduseuilquantàelleimpose
P V P = 1
.Or,enrégimestationnaire,l'équationd'évolutiondesphotonsdevient:0 = (Γv g a(N − N tr ) − 1 τ P
)P + Γβ N τ sp
(1.16)
En négligeant la contribution de l'émission spontanée (
β << 1
), le passage du seuil(
P V P = 1
) se traduitalors à nouveau parl'égalité :1/τ P = Γav g (N th − N tr )
. Le seuilausensclassique coïncidedoncavecleseuilausensquantique.En revanche,dansles
lasers à fort
β
, les approximationsprécédentes ne sont plus valables : on ne peut plus négliger l'impact de l'émission spontanée dans l'estimation du seuil et il apparaît alorsunedivergenceentrelesdeuxdénitions. Eneet,laconditiongain
=
pertes quidonneleseuil ausensclassique,revientànégligerlacontribution del'émissionspontanéedans
l'équation 1.16. Or en présence d'un contrôle de l'émission spontanée et d'un couplage
ecacedel'émissionspontanéeaumodelaser,cette approximationn'estplusvalable.La
dénitionclassiqueduseuilnepeutdoncplusêtreappliquée.
Déterminons alors la densité de porteurs et le courant d'injection au seuil suivant la
dénition quantiqueduseuil
P V P = 1
.En régimestationnaireet auseuil, ona:0 = η i I th
qV N − N th
τ nr − N th
τ sp − v g a(N th − N tr )
(1.17)0 = Γv g a(N th − N tr ) + Γβ N th
τ sp − 1 τ P
(1.18)
D'aprèslesrelationsd'Einsteinentrelescoecients
A
etB
,letauxd'émissionspontanéeest égal autauxd'émissionstimulée lorsque
P V P ' 1
. En regardde l'équation d'évolu-tiondes photons,onen déduit que
v g a = βV P /τ sp
. En résolvantlesystème d'équationsprécédent, onendéduit queladensité deporteurs
N th
et lecourantd'injection auseuil dénidansuncadrequantique(P V P = 1
)s'écrivent:N th = N tr
2 (1 + 1
ξ )
(1.19)I th = q 2η i βτ sp
((1 + τ sp
τ nr
+ β) + ξ(1 + τ sp
τ nr − β))
(1.20)où
ξ = N tr V N βτ P /τ sp
.Ceparamètreξ
peutêtreinterprétécommelenombredephotonsdans lemodelaser auseuil detransparence(
N = N tr
). Le tauxd'inversionauseuil est alorsdénicomme:N th − N tr
N th
= 1 − ξ
1 + ξ
(1.21)Lorsque
ξ > 1
,letauxd'inversionauseuilestnégatif:leseuilestatteintpourdesdensités deporteursN th
inférieuresàladensitédeporteursàlatransparenceN tr
.Onpeutdoncatteindre unrégime laser sans qu'il y ait pour autant inversion de population. Remar-
quons queladénition classique duseuil
1/τ P = Γav g (N th − N tr )
ne prévoit pasuntelrégime maisprédit au contraire que latransition versl'émission stimulée s'accompagne
nécessairementd'une inversionde population.Une stratégie possiblepourla réalisation
d'un tellaser sans inversionde population exploite les eets d'électrodynamique quan-
tique en cavité : l'insertion du milieuactif dans une microcavité optique monomode de
grand facteur de qualité apour eet de rallonger
τ P
qui est inversementproportionnel àQ
, deréduireτ sp
parl'accélération del'émission spontanéeet d'accroîtreβ
. Dansnosexpériences,
τ P
etτ sp
sontdumêmeordredegrandeur,environquelquesdizainesdeps;N tr V N
seradel'ordredequelquesdizainesàlacentaineetβ
del'ordredequelques10− 1
.Ainsi, il apparaîtque le paramètre sansdimensions
ξ
devrait être de l'ordre de 1voiresupérieurà1.
Outrelaréalisationdelaserssansinversiondepopulation,l'exaltationdutauxd'émission
spontanée et du couplage de l'émission spontanée au mode laser devrait permettre de
diminuerleseuildefonctionnementd'unlaser(ona:
∂I th /∂β <
0).Ceciestillustrésurlagure1.1 qui représente lenombrede photonsdanslacavité en fonctiondel'excitation
pour diérentes valeurs de
β
. L'expression analytique de ces caractéristiques peut être aisémentdéduite àpartirdusystèmed'équationsd'évolutiondephotonsetdesporteursenrégimestationnairesouslaforme:
η i I q = 1
βτ P
(p 1 + ξ
1 + p (1 + τ sp
τ P
+ βp) − βξp)
(1.22)oú
p = P V P
estlenombredephotonsdanslacavité.Ilapparaîtnettementquelatransitionautour de
P V p = 1
alieu pourdespuissanced'excitationréduitelorsqueβ
augmente.Afaible
β
, cepassagedepuisl'émissionspontanéeversl'émission laserest marquéparuneforte non-linéarité sur lenombre dephotons, qui s'accroîtfortementau dessusdu seuil.
Cette transitiondevientde moins enmoins abrupte lorsque
β
augmente: le passageduseuil est moins marqué dans les lasers à fort
β
par rapport aux lasers conventionnels.Lorsque l'on trace les caractéristiquesdu laser en échelle logarithmique (voir Fig. 1.1),
le passagedu seuil se traduit par une marche abrupte et nette dans la caractéristique
du laser de faible
β
. En revanche, lorsque lecouplage de l'émission spontanée au modelaser devient plus ecace, l'amplitude de cette marche diminue et le passage du seuil
s'étale sur une plage de puissance d'excitation plus importante. Dans la limite ultime
β = 1
, lacaractéristique dulaser en échellelogarithmique suit une droite : il n'y apas de saut d'ecacité de conversiondes photons de pompe en photon émis par la cavité.Cettecaractéristiqueparticulièreaconduitàlanotiondelasersansseuil [30],bienque
toujours dénirun courantde seuil d'aprèsl'équation 1.20.A une puissance de pompe
en dessous du seuil, le nombre moyen de photon émis est inférieur à 1, de sorte que
le processus dominant est l'émission spontanée. Les photons émis sont incohérents. Par
contre,pourunepuissancedepompenettementsupérieureàlapuissanceseuil,lenombre
dephotonsdevientsupérieuràl'unité.Danscecas,lesphotonsémisparémissionstimulée
sontcohérents.Cetteremarqueaconduitdanslesannées90àunenouvelledénitiondu
seuil,qui s'appuiesurlacohérence desphotonsémis[28].
.
Fig.1.1Courbes caractéristiques(nombrede photons en fonctionde l'excitation) pour
diérentesvaleursde
β
.Danscessimulations,nousavonssupposéN tr V N =
60,τ P =
4ps,τ sp =
80psetτ nr =
10ns.Dans cetteapproche[28], leseuil estdéterminéàpartirdelafonction decorrélation
desecondordredusignalet parlefacteurdeFanorespectivementdénispar:
g (2) (0) = p ¯ 2 − p ¯
¯
p 2
(1.23)F F ano = p(g ¯ (2) (0) − 1)
(1.24)où
p ¯
estlenombremoyendephotonsdanslacavité.Ons'appuiedoncicisuruneanalysestatistique dusignalémis parle composantet le paramètre
g (2) (0)
mesurelacohérencedusignalémis.Pourunelumièrethermiqueouchaotique,
g (2) (0) = 2
etpourunesourcePoissonienne (cohérente),
g (2) (0) = 1
. Ainsi, pour un laser opérantbien en dessous duseuilsurunétatthermiquefaiblementexcité(
p ¯ ' 0
),lafonctiondecorrélationdesecond ordreg (2) (0)
vaut2et lefacteur deFanoF F ano
tendvers0.Lorsqueledispositif opèrebien audessusduseuil,
g (2) (0)
vaut1et lefacteurde FanoF F ano
tendde nouveauvers0. En revanche, dansles lasers conventionnels, lepassagede seuil se traduitpar unpic
étroitdufacteur deFano enfonctionde lapuissancede pompeet une chuteabruptede
g (2) (0)
qui passede lavaleur2à1auseuil. Ces uctuations importantesdans larégion duseuil sontreprésentativesd'unetransitiondephase.Lorsquelecouplagedel'émissionspontanéeverslemodelaseraugmente,cepicdufacteurdeFanodiminue(sonamplitude
estproportionnelleà
1/ √
β
)etalieusuruneplagedepuissanced'excitationplusétendue (cetteplagedepuissancecorrespondantaupassageduseuilestproportionnelleà√ β
).Demême, laréductionau passagedu seuilde lafonctionde corrélationdesecond ordre en
fonctionde lapuissancedepompen'estplusabruptemais s'eectuede façonpluslente
surundomainepluslargedepuissance.Onpeutmontrerquecette dénitionstatistique
du seuil à partirdu facteur de Fano peut ne pas coïncideravec la dénition quantique
unphotondanslemodelaser, etcenotammentlorsque
τ P >> τ sp
[28].Nousneseronspas danscette congurationet pourrons doncapriori utiliser ces deuxdénitions pour
caractériserleseuildenoslasers.
1.2.3 Impact sur la dynamique
La mise en oeuvre d'eets QED dans leslasers laisse aussi entrevoir lapossibilitéd'ac-
croîtrelabandedemodulationdirecteducomposant,àlafoissousleseuiletaudessusdu
seuil[27].Sousleseuil,lavitessedemodulationestlimitéeparladuréedeviedel'émission
spontanée;enexaltantletauxd'émissionspontanéepardeseetsdecavité,onpeutdonc
accroîtrecettevitessedemodulation.Lalimite ultimeseraalorsdonnéeparletempsde
capture des porteursdans le milieu actif. En revancheau dessus duseuil, plusieurspa-
ramètrespeuventaecterlabandedemodulationdirecte;parmilesparamètrespouvant
limiter, citonsletauxdedéclindelacavité oubienletauxd'émissionstimulée.Lalimi-
tationàdesmodulationsrapideproviendraprincipalementduprocessuslepluslent.An
de mieux cernerl'impactdes diérentsparamètres,dérivonslafréquencede modulation
directedulaseràpartirdeséquationsd'évolutiondesporteursetdesphotons.
Quand on veut connaître le comportement dynamique d'un laser lorsqu'on impose
une légèreperturbation ausystème(telle qu'unemodulation ducourantd'injection), on
doitmener l'analysedesequations d'évolutionen conservantlesdérivéesparrapportau
temps. Une résolution analytique complète d'un tel système d'équations ne peut être
faite et il est doncnécessaire deprocéder àquelquesapproximations.Noussupposerons
quelesvariationsinduites parlaperturbationsur lesdensitésdeporteurset dephotons
parrapportàleurétatstationnaire,sontfaibles. Nousconsidéreronsd'autrepartqueles
variablesdépendantesdutempssont
I
,N
,P
etg
.Nousécrironsalorscesvariablescommelasommed'uneconstante(valeuratteinteenrégimestationnaire)etd'unepartievariable
de faible amplituderelativepar rapport à la partie constante stationnaire.Ces seconds
termesvariablesetfonctiondutempsserontnotées:
dI (t)
,dN(t)
,dP (t)
etdg(t)
.Danscecontexte,leséquationsd'évolutiondesdensitésdeporteursetdephotonss'écrivent[29]:
d( dN
dt ) = η i
qV N
dI − ( 1 τ sp
+ 1 τ nr
)dN − v g gdP − v g P dg
(1.25)d( dP
dt ) = (Γv g g − 1
τ P )dP + Γv g P dg + Γ β
τ sp dN
(1.26)Enrevenantàl'expressiondugain
v g g = βV P (N − N tr )/τ sp
,onpeutexprimerdg
commeβV P dN/τ sp
. De plus, en régime stationnaire,(Γv g g − 1/τ P )P = − ΓβN/τ sp
. En tenantcompte decesdeuxégalités,onpeutré-exprimerleséquationsdiérentielles précédentes
sousformematricielledelafaçonsuivante:
d dt
dN dP
=
γ N N γ N P
γ P N γ P P
dN dP
+ η i
qV N
dI 0
(1.27)