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Étude des propriétés physiques et nouvelle modélisation SPICE des transistors FLIMOS de puissance

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Academic year: 2021

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Figure I.5 : Coupe schématique d’un transistor VDMOS up-drain.  I.2.2.3. Le transistor LUDMOS
Figure I.8 : Cas de la jonction infinie en non limitation "Non Punch Through" (NPT)
Figure I.13 : Limite du silicium, R on .S/V DBR , dans le cas des composants unipolaires verticaux
Figure I.14 : Coupe schématique d’une cellule d’un transistor CoolMOS.  I.4.2. Composants MOS à îlots flottants : le transistor FLIMOS
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