α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

HAL Id: jpa-00245618

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Submitted on 1 Jan 1987

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α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

M. Secoue, B. Guenais, A. Guivarc’H

To cite this version:

M. Secoue, B. Guenais, A. Guivarc’H. α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures

épitaxiées (composé métallique)/GaAs. Revue de Physique Appliquée, Société française de physique

/ EDP, 1987, 22 (8), pp.845-850. �10.1051/rphysap:01987002208084500�. �jpa-00245618�

03B1 Rh2As :

^un

^candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

M.

Secoue,

^{B. Guenais et} A. Guivarc’h

CNET

LAB/ICM/MPA,

^{route de}

Trégastel,

22300 Lannion

Cedex,

^France

(Reçu

^{le 16}

janvier

^1987,

accepté

^{le 5 mars}

1987)

Résumé. ²⁰¹⁴ Dans un bâti

d’épitaxie

par

jets

moléculaires Riber 2300, nous avons réalisé des

codépôts

^{de Rh et}

d’As sur des substrats de silicium

passivé

^{et de GaAs}

(100)

maintenus à des

températures

variant de 0°C à 330°C. Nous montrons

qu’il

^est

possible

de réaliser des couches minces

polycristallines

^de

03B1 Rh2As, composé métallique

^{de structure} cristalline très

proche

^{de celle} de GaAs. Ces couches

qui

^ne

présentent

pas d’orientation

préférentielle

^{sur un substrat}

amorphe,

^sont fortement texturées sur GaAs

( [100 ] Rh2As// [100]

GaAs).

Leur faible résistivité

(~

²⁵

03BC03A9cm)

^est

compatible

^{avec une} utilisation en

micro-électronique.

Lorsque

les substrats de GaAs sont maintenus à une

température supérieure

^{à 200} °C lors du

codépôt,

l’interaction directe du Rh avec le substrat conduit à la formation du

composé

^RhAs.

Abstract. ²⁰¹⁴ In a MBE 2300 Riber set up, ^we carried out Rh and As

codepositions

^onto oxidized silicon and

(100)

GaAs substrates at temperatures

ranging

^{from 0 °C to 330°C. We} show that it is

possible

^{to obtain}

polycrystalline

thin films of

03B1 Rh2As,

^{a metallic}

compound

which exhibits the same

crystalline

^{structure like}

GaAs. These

layers,

which have no

preferential

orientation on an

amorphous

substrate, ^are

highly

^{textured on}

a GaAs substrate

( [100 ] Rh2As//[100] GaAs)

and exhibit a low

resistivity (~

²⁵

03BC03A9cm),

which is consistent with microelectronic device

applications.

^{For GaAs}

substrates,

^at temperatures

higher

^{than 200 °C the}

rhodium

directly

interacts with the substrate and leads to the formation of the RhAs

compound.

Classification

Physics

^Abstracts

73.40N

1. Introduction.

Les nouvelles

possibilités

offertes par les

composants

fondés sur les structures à couche

métallique

^enter-

rée et les études

physiques

^{sur les} multicouches métal/semiconducteur

(M/SC)

^{sont à}

l’origine

^des

nombreuses recherches faites en vue

d’épitaxier

^des

films

métalliques

^{continus sur} des substrats SC. Les travaux sur

l’épitàxie

^de siliciures sur silicium

[1, 2],

ont

déjà

^{conduit à la} réalisation de transistors à base

métallique

^enterrée

[3, 4].

^{La situation dans le}

domaine des semiconducteurs

composés

^{est moins}

avancée,

^{car le métal ou le}

composé métallique

^à

épitaxier

^{doivent être}

thermiquement

^stables

jusqu’à

500°-600 °C pour

permettre

^une

réépitaxie

^{du SC.}

Plusieurs solutions au

problème

^{ont été}

envisagées,

en

particulier

^{sur GaAs :}

- Le

dépôt

de couches de métaux

s’épitaxiant

sur GaAs tels que

Al, Ag

^{et Fe}

[5].

^{Mais la faible}

stabilité des structures formées et l’accord de maille

relativement médiocre n’ont pas

permis

^la

réépitaxie

du GaAs.

- Le

dépôt

^{de métaux} que ^l’on fait volontaire- ment

interagir

^{avec le substrat} dans le but d’obtenir par interdiffusion en

phase solide,

^des

composés

^du

type Mx(GaAs)y équivalents

^aux siliciures sur Si.

Les ternaires obtenus à ce

jour: Pd5(GaAs)2, Pd4GaAs [6], Ni2GaAs, Ni3GaAs [7, 8], Co2GaAs [9]

^{ne sont ni}

épitaxiés

ⁿⁱ

thermiquement

^{stables en}

présence

^{de GaAs}

(100).

^{La seule}

exception

concerne le

Ni2GaAs

^{sur GaAs}

(111).

- Le

codépôt

^{de silicium et} d’un métal pour obtenir un siliciure. Les siliciures

thermiquement

stables en

présence

^de

GaAs,

^étudiés

jusqu’à présent (CoSi, WSSi3, TaSi2 [10, 11])

^ne

s’épitaxient

pas ^sur le substrat. Leur utilisation pourra

cependant

^être

envisagée

^{comme celle de W}

[12],

^{sous forme de}

couches minces

(~ 100 A ) discontinues,

pour ^la réalisation de

composants

^{à base}

perméable.

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01987002208084500

846

Une autre voie

possible

consiste à

déposer

^un

composé métallique susceptible

^de

s’épitaxier

^{sur le}

semiconducteur. A notre

connaissance,

^{le seul travail}

de ce

type publié,

^{est celui} de J. R. Lince et R. S.

Williams

[13] qui

^ont

déposé AuGa2

^{sur GaSb}

(écart

de maille ~

0,5 %).

Notre démarche a

consisté,

^non

pas à ^{trouver un} semiconducteur

susceptible

^de

servir de substrat pour

l’épitaxie

^d’un

alliage

^connu,

mais au contraire à rechercher un

composé

^métalli-

que

capable

^de

s’épitaxier

^{sur le}

^GaAs,

semiconduc-

teur

composé

^le

plus

^{utilisé. Une étude}

bibliographi-

que ^a fait

apparaître

l’arséniure de rhodium

a Rh2As

comme un candidat

potentiel.

Cet arséniure à carac-

tère

métallique possède

^en

^effet,

^{sous la forme a,}

une structure de

type

^anti

CaF2

peu différente de celle de GaAs avec un

paramètre

de maille très voisin

(aGaAs

^{= 5.6528}

^A

^et

_aaRhzAs

⁼

^{5,6753 A}

^à

température ambiante,

^{soit un} écart due -

0,4 %).

De

plus a Rh2As

^{et GaAs ont} le même sous-réseau

arsenic,

^le

gallium occupant

^{un site}

tétraédrique

^sur

deux dans GaAs alors que ^le rhodium _occupe tous les sites

tétraédriques

^dans

a Rh2As (au-dessus

^de

683 °C

Rh2As adopte

^{une structure différente}

(3Rh2As

^non

apparentée

^à

GaAs). Après

^{une étude}

du matériau massif

(paramètre

^de

^maille,

coefficient

d’expansion thermique) [14, 15],

^{nous avons}

commencé à étudier les

dépôts

^de

a Rh2As

^en

couche mince sur GaAs. Cet article

présente

^les

premiers

résultats obtenus.

2. Procédure

expérimentale.

2.1 PRÉPARATION DES ÉCHANTILLONS. - Nous

avons utilisé pour ^ce travail un bâti

d’Epitaxie

par Jets Moléculaires

(EJM)

Riber MBE 2300 RD

auquel

^{a été}

ajouté

^{un canon à} électrons Airco- Témescal

permettant l’évaporation

de métaux réfrac- taires. En

plus

du substrat de GaAs

(100)

^semi-

isolant

préparé

^{suivant la}

procédure classique

pour

l’EJM,

nous avons

systématiquement

^{collé sur le}

porte-échantillon (à

^l’aide

d’indium),

un morceau de silicium

passivé (--

^{2 000}

^A SiO2).

^Les

dépôts

^sont

ainsi réalisés dans des conditions d’ultravide

(-- ^10-10 torr)

^et simultanément sur le GaAs mono-

cristallin et sur un substrat

amorphe, chimiquement inerte,

^{isolant et} relativement

léger

par

rapport

^au Rh et à l’As. Dans la chambre de

dépôt,

^les

échantillons sont chauffés

jusqu’à ~

^{620 °C sous flux}

d’arsenic

(apparition

^d’une reconstruction

(2 x 4 )

de la surface

GaAs) puis

redescendus

jusqu’à

^la

température T,

^à

laquelle

^doit être réalisé le

dépôt.

Il convient de noter que ^la

température Ts

^{est celle}

mesurée au

thermocouple placé

^{derrière le}

porte-

échantillon en rotation : elle ne

représente en

^fait

qu’une

^valeur

approchée

^{de la}

température

^réelle

des substrats estimée à ± 20 °C.

Les

dépôts

d’arséniures de rhodium sont obtenus

en

exposant

les substrats à des flux simultanés de Rh

et d’As. Le flux de

Rh, provenant

^{du canon à} électrons

placé

^{sous le}

porte-substrat,

^{arrive sur les}

échantillons sous incidence

oblique (~ 20° ).

^La

valeur du flux est

repérée

^{à l’aide d’un}

quartz.

^Le

flux d’arsenic est obtenu à l’aide de cellules

d’évapo-

ration

classiques

^{en EJM}

(Riber

^{CBN 125 ou}

135).

^Il

est

dirigé

^{vers les} échantillons en même

temps

que le flux de

Rh,

^de

façon

^à obtenir des

composés

^Rh-As.

Ce flux n’affecte _{pas la} mesure du flux de Rh sur le

quartz ;

^{il est un ordre de}

grandeur plus

faible que

ceux utilisés pour la croissance de

GaAs,

^{d’où les}

difficultés pour le maîtriser à mieux que 30 %

près.

Tous les échantillons dont il est

question

^{dans cet}

article

correspondent

^{à des}

dépôts

^{de ~}

1017 Rh/cm2

à un flux de 4 x

1014 Rh/cm2/s (soit l’équivalent

^de

150

A

de Rh pur à ^{v =}

0,6 A/s).

La

quantité

totale de Rh

déposée

^étant

toujours

^la

même,

^les

dépôts

^sont alors d’autant

plus épais

que les

composés

^sont

plus

arséniés : à 150

A

de Rh

correspondent

²⁴⁰

A

de

a Rh2As

^{et ~ 320}

^A

^de

RhAs.

2.2 CARACTÉRISATIONS. - En

plus

^des

techniques d’analyse in

^{situ dont nous}

disposons (diffraction électronique

^{en incidence rasante,}

spectroscopie Auger),

les échantillons ont été étudiés ex situ par diverses méthodes :

- la méthode des

quatre pointes alignées

^donne

la résistance

superficielle Ro

des couches

déposées,

tant sur GaAs S.I. _que sur Si

passivé ;

- la rétrodiffusion d’ions

He+

de 2 MeV fournit la

composition

^du

codépôt (rapport Rh/As)

^sur

silicium et les

quantités

^{de Rh et d’As}

déposées (d’où

la valeur des flux et

l’épaisseur

^des

couches).

La

comparaison

^des

spectres

^{sur silicium}

passivé

^et

GaAs conduit à la mise en évidence

rapide

^d’éven-

tuelles interactions avec le substrat de

GaAs ;

- la diffraction des rayons X ^en incidence rasante

permet

d’identifier les

phases

cristallines

majoritaires

et de mettre en évidence les textures

perpendiculai-

res au

plan

^du substrat. La

comparaison

^{entre les}

diagrammes correspondant

^{aux substrats}

amorphe

^et

monocristallin montre les effets d’orientation liés au

substrat ;

- la

Microscopie Electronique

par Transmission

(MET)

fournit des informations sur la forme des

grains,

leur taille et leur

orientation,

^tant

perpendi-

culairement au

plan

du substrat que dans le

plan

^du

substrat. Elle

permet

^de

plus

de détecter de faibles traces de

composés.

3. Résultats

expérimentaux.

Dans ce

paragraphe

^nous

présentons

successive- ment les résultats concernant les

codépôts (Rh

⁺

As )

^{sur substrat}

amorphe (silicium passivé)

et sur GaAs monocristallin.

3.1 CODÉPÔTS

(Rh + As)

^SUR Si PASSIVÉ. ^- Ces

codépôts

^{ont été réalisés avec un} flux de rhodium constant, pour des valeurs variables du flux d’arsenic et de la

température

du substrat

(0 °C ~

T,:5

³³⁰

°C ).

Le substrat dans ce cas

n’interagit

pas

chimiquement

^avec les flux d’As et de Rh et, ^{du fait} de l’état

amorphe,

n’influence pas l’orientation des

grains

de la couche mince

déposée.

La rétrodiffusion d’ions

He+ permet

de détermi-

ner la concentration relative des couches en Rh et en

As. Sur les

spectres

^{de la}

figure 1,

donnés à titre

d’exemples caractéristiques,

^{on voit} que les contribu- tions de Rh et d’As sont nettement

séparées ;

^celle

du substrat de Si se trouve à

plus

^basse

énergie

^et

n’apparaît

pas ^sur la

figure.

^Le

rapport

^{des concen-}

trations

atomiques Rh/As

^{se déduit} directement de la surface des

pics,

^{il est}

égal

^{dans un cas à}

1,6

^±

0,15,

^et dans l’autre à

2,4

^±

0,15.

^{Nous avons} considéré par la suite que pour ^une

température T, donnée,

^le

rapport Rh/As

^du

codépôt

^{sur Si}

passivé

^était

caractéristique

^du

rapport

^{des flux.}

Fig.

^{1. -}

Spectres

de rétrodiffusion d’ions He+ 2 MeV

correspondant

^{à des}

codépôts

^{de Rh et d’As à}

Ts

^{= 180 "C}

sur Si

passivé.

[2

^{MeV He+ ions}

backscattering

spectra of Rh and As

codepositions

^at

T,

^{= 180 °C onto an} oxidized silicon

substrate.]

Le

diagramme

^de

rayons X correspondant

^à

Rh/As =

²

(Fig. 2a)

^montre que le

codépôt

^est

constitué de

a Rh2As

^{non texturé. Cette}

phase

^est

observée sur les échantillons pour

lesquels Rh/As

^{= 2 ±}

^0,3,

^en

présence parfois

^d’autres

composés

^{en faible}

quantité. Lorsque Rh/As

^est

proche

^de

l’unité,

^le

diagramme

^obtenu

correspond

à du RhAs non texturé.

Sur la

figure

^{3 ont été}

reportées

les valeurs de

Ra

^en fonction de la

composition

^des

codépôts

pour diverses valeurs de

Ts.

^Il

apparaît,

que

Ro

passe par

Fig.

^2.

- Diagramme

de rayons X ^en incidence rasante obtenus sur des

codépôts

^{de Rh et d’As}

(Rh/As = 2)

^à

Ts

^{= 180 °C :}

a)

^{sur Si}

passivé, b)

^{sur GaAs}

(100)

^et

c)

observation « sur la tranche » en MET du

codépôt correspondant

^{sur GaAs.}

[Glancing angle

X ray diffraction patterns of Rh and As

codepositions (Rh/As = 2 )

^at

T,

^{=180 °C :}

a)

^onto

Si02/Si substrate, b)

^{onto GaAs}

(100)

substrate and

c)

^cross sectional TEM

image

^{of the}

deposit

^{onto a GaAs}

substrate.]

un minimum pour

Rh/As

voisin de 2

(c’est-à-dire

pour

a Rh2As). Lorsque T,

> 180 °C

R[] 10 fl

^soit

une résistivité _{p =} 25

03BC03A9cm.

^Cette

valeur, identique

à celle des meilleurs

siliciures,

confirme le caractère

métallique

^du

aRh2As.

^{Par contre, les mesures ne}

sont pas

possibles

pour

Rh/As ^1,

^{car les couches}

sont alors constituées de

composés

semiconducteurs.

La variation de

RD

^en fonction de

T,

pour les

dépôts

^de

03B1Rh2As, reportée figure 4,

^montre

qu’un palier

semble atteint vers

T,

^{= 180 °C.}

3.2 CODÉPÔTS

(Rh + As)

^{SUR GaAs}

(100). -

Contrairement au silicium

passivé, lorsque

Ts

> 200

°C,

le substrat de GaAs

interagit

^{avec le}

flux de Rh incident. Dans la

présentation

^{de nos}

848

Fig.

^{3. -} Variations de la résistance

Ro

^des

codépôts (Rh

⁺

As )

^{réalisés sur Si}

passivé

pour 0 °C

Ts ~

^{330 °C}

en fonction du rapport des concentrations

atomiques Rh/As.

[Sheet

resistance variation versus

Rh/As

atomic ratio for

(Rh + As ) codepositions

^onto

S’02/Si

^{substrate at}

0°C ~

Ts s 330 *C.]

résultats nous

séparerons

^{donc les deux} gammes de

températures.

3.2.1 0 °C

Ts

^{200 °C. - Pour les}

dépôts

^corres-

pondant

^à

Rh/As = 2,

^{seul le}

a Rh2As

^{est détecté}

en rayons

X,

^{et les couches}

présentent

^{une tex-}

ture

[100] Rh2As//[100]

^GaAs

(cf. Fig. 2b).

^Le spec-

tre obtenu en rétrodiffusion d’ions

He+

confirme bien

qu’il n’y

^a pas ^eu d’interaction avec le substrat.

L’observation en MET dans le

plan (100) indique

que les

grains

^de

Rh2As

^{ont un} diamètre de l’ordre de 150

A ;

^{leur texture}

[100] perpendiculaire

^au

plan

du substrat est

confirmée, cependant

leur orientation dans le

plan,

^{autour de} cet axe, est aléatoire. En

plus

de

a Rh2As,

^{les traces d’une autre}

phase

^sont

détectées. L’observation sur la

tranche,

^{dans le}

plan (011)

^est

reportée

^{sur la}

figure 2c ;

^{elle montre}

la

présence

^{d’une couche}

intermédiaire, (e =

⁹⁰

A )

mal cristallisée

(dans laquelle

^{on décèle du}

Rh)

^entre

( THERMOCOUPLE )

Fig.

^{4. -} Variations de la résistance

Ro

^en fonction de la

température

du substrat lors des

codépôts

^de

vîRh2As

^sur

Si

passivé

^{et sur GaAs}

(100).

[Sheet

resistance variations of

cîRh2As

^{films versus sub-}

strate temperature ^for

Si02/Si

^{and GaAs}

(100) substrate.]

les

grains

^de

a Rh2As

^et le substrat. Les résistances carrées de ce

type

^de

dépôts

^sont peu différentes de celles du

a Rh2As

^non

^texturé, déposé

^{sur Si}

passivé (cf. Fig. 4).

3.2.2 Ts >

^{200 °C. - Dans cette gamme de}

tempéra-

tures,

quand

^{on soumet} les substrats de GaAs à des flux d’As et de

Rh,

^le

spectre

de rétrodiffusion d’ions

He+

montre

qu’il

y ^{a un}

élargissement

^du

pic

de

Rh, caractéristique

^d’une interaction avec le substrat. Pour les flux tels que ^sur Si

passivé 0,6 Rh/As ^2,3,

^{seul RhAs est détecté en diffrac-}

tion de rayons X

(Fig. 5a)

^{et les couches}

présentent

une texture

[211] RhAs//[100]

^GaAs.

La

photographie

^{de la}

figure

^{5b montre les}

grains

de

RhAs ;

^{une zone fortement}

perturbée

^{de 200}

^À d’épaisseur sépare

le RhAs du substrat.

La formation du

composé

RhAs par interaction du rhodium avec le substrat se traduit par ^une

augmentation

de la résistance de couche

(Fig. 4).

Fig.

^{5. -}

Codépôt (Rh

⁺

As)

^{sur GaAs à}

Ts

^{= 280 °C}

(sur SiRh/As

~ 1,85 ^±

0,15) : a) diagramme

de diffrac- tion X en incidence rasante,

b)

observation « sur la tran- che » en MET.

[a) Glancing angle

X ray diffraction pattem ^of

(Rh

⁺

As )/GaAs

^at

Ts = 280 °C (Rh/As =1.85 ± 0.15

^onto

Si02/Si substrate), b)

^cross sectional TEM

image

^of

(Rh + As )/GaAs,]

4. Discussion.

Ces

premières expériences

^{nous ont}

permis

^de

montrer que

a Rh2As peut

^être

fabriqué

^{en couche}

mince par

codéposition

^{de Rh et d’As et} que ^sa

résistivité,

du même ordre de

grandeur

que celle des meilleurs

siliciures,

^est

compatible,

^{avec une utilisa-}

tion en

microélectronique.

^{Dans le cas de}

dépôts

^sur

GaAs,

le substrat doit être maintenu à une

tempéra-

ture inférieure à 200 °C afin d’éviter une interaction directe d’une

partie

^{du Rh incident avec} le substrat :

cette interaction

mène,

^en

effet,

^{à la formation de}

RhAs

qui

^ne

présente

pas de relation

épitaxiale

^avec

le substrat et n’est donc pas ^{un candidat}

potentiel

^à

la réalisation de structures

épitaxiées.

Les couches de

Rh2As

^obtenue

présentent

^une

texture

[100] Rh2As//[100]

^{GaAs mais} l’orientation des

grains

^est aléatoire dans le

plan.

^L’absence

d’épitaxie

^des

grains

^de

Rh2As peut s’expliquer

par l’existence d’une couche intermédiaire entre

Rh2As

et GaAs et, _{par la}

présence

^très

fréquente

^{de traces}

d’une autre

phase.

^{Une meilleure maîtrise des flux}

(en particulier

^celui

d’As)

^{et de leurs} transitoires à l’ouverture des caches s’avère

indispensable

pour viser le

rapport Rh/As

strictement

égal

^{à 2}

pendant

toute la durée du

dépôt

^{et éviter la}

présence

^{en excès}

d’un des deux constituants. Par

ailleurs,

^afin

d’essayer

^{de modifier}

l’équilibre

^{dans un sens favora-}

ble à

l’épitaxie, plusieurs paramètres pourront

^être modifiés : vitesse de

dépôt plus

^faible

permettant

une

augmentation

de la taille des

grains,

utilisation de substrats de GaAs d’orientation cristalline diffé-

rente.

Il convient de noter que ^des

expériences

^très

récentes

[16]

^ont montré que les

grains

^de

Rh2As

directement en contact avec GaAs

pouvaient

^aussi

présenter

^{la relation}

épitaxiale [110] Rh2As//[100]

GaAs.

Des essais récents de recuit à ~ 500 °C ont montré que l’interface

a Rh2As polycristallin-GaAs

^n’était

pas

thermiquement

stable : l’interaction en

phase

solide conduit à la formation des

composés RhAs2

^et

RhGa.

Cependant,

l’obtention d’une

épitaxie

^cor-

recte devrait contribuer à la stabilisation de cette interface et

permettre d’envisager

^une

réépitaxie

^de

GaAs.

5. Conclusion.

L’étude des

codépôts (Rh

⁺

As )

^{a montré}

qu’il

^était

possible

^de

déposer a Rh2As

^en couche mince. Ces

couches,

constituées de

grains

^de l’ordre de 150

À

de

diamètre,

^{ont de faible} résistivité

(-

²⁵

03BC03A9cm).

Dans le cas de substrat de GaAs

(100),

^les

^couches, qui

^{doivent être}

déposées

^{à des}

températures

^infé-

rieures à

200 °C, présentent

^{une texture}

[100] ^mais,

dans nos conditions

expérimentales,

^{nous n’avons}

pas,

jusqu’à

^ce

jour,

obtenu de couche monocristal- line de

a Rh2As épitaxié.

Remerciements.

Nous tenons à remercier G.

Dupas,

^A.

Regreny,

^Y.

Ballini,

^P.

Auvray

^{et A.} Poudoulec pour ^{leur aide} durant les

expériences

^et pour les nombreuses et fructueuses discussions _que nous avons eues.

850

Bibliographie [1]

FURUKAWA, ^{S. and} ISHIWARA, H.,

Jpn

^J.

Appl.

Phys.

²²

Suppl.

^22-1

(1983)

^21-27.

[2] SAITOH,

S., ISHIWARA, H., ASANO, T., FURUKAWA, S.,

Jpn

^J.

Appl. Phys.

²⁰

(1981)

^1649-1656.

[3] ROSENCHER,

E., DELAGE,

S., CAMPIDELLI,

Y., ARNAUD D’AVITAYA, F., Electron. Lett. 20

(1985)

^762-764.

[4]

^ARNAUD D’AVITAYA, F., DELAGE, S., ROSENCHER, E., DERRIEN, J., ^{J. Vac.} Sci. Technol. B 3

(1985)

^770-773.

[5]

MASSIES, J., ^Le

Vide,

les couches minces 40

(1985)

101-107.

[6]

SANDS, T., KERAMIDAS, ^V.

G.,

GRONSKY, R., WASHBURN, J., Thin Solid Films 136

(1986)

^105-

122, ^{et Mater.}

lett.,

³

(1985)

^409-419.

[7] SANDS,

T., KERAMIDAS,

V. G.,

WASHBURN, J.,

GRONSKY,

R.,

Appl. Phys.

^{Lett. 48}

(1986)

^402-

404.

[8]

LAHAV, A., EIZENBERG, M., KOMMEN, Y., ^J.

Appl.

Phys.

⁶⁰

(1986)

^991-1001.

[9]

Yu, ^A. J., GALVIN, ^G. J., MAYER, J. W.

(non

pu-

bliée).

[10]

^{LAU, S.}

S., CHEN,

^W. X., MARSHALL, ^E. D., SAI, C. S., TSENG, ^W. F., FUECH, ^T. F.,

Appl. Phys.

Lett. 47

(1985)

^1298-1300.

[11]

^{TIJBURG, R.} P., DINGHS, ^G. L., ^VAN

DONGEN,

T., Inst.

Phys. Conf.

^{Ser. 79}

(1986)

^355-360.

[12] HARBISON,

J. P., HWANG,

D. M.,

LEVKOFF, J.,

DERKITS,

^G. E., J. Vac. Sci. Technol. B 4

(1986)

662-663.

[13]

^{LINCE, J. R. and} WILLIAMS, R. S., J. Vac. Sci.

Technol. B 3

(1985)

^1217-1220.

[14]

SECOUE, M., AUVRAY, P., TOUDIC, Y., BALLINI, Y., GUERIN, R., ^J.

Cryst.

^{Growth 76}

(1986)

^135-

141.

[15]

^SECOUE, M., GUIVARCH, A.,

GUENAIS,

B., ^Au-

VRAY, P., TOUDIC, Y., E-MRS : Advanced materials

for

Telecommunication

Strasbourg (France),

^17-20

juin 1986,

Ed. P. A.

Glasow,

Y. I.

Nissim,

^{J. P.} Noblanc, ^J.

Speight (Les

^Edi-

tions de

Physique) (1986) p. 467.

[16]

SECOUE, M., Thèse de l’université de Rennes 1

(1986),

^{N° 119.}