Université Mohammed V SMP4 Examen Rattrapage 2016/2017 Faculté des Sciences, Rabat Durée 1h30 Sections A/B/C
Exercice 1 (6pts) : On considère le circuit de polarisation du transistor PNP de la figure 1. A la température = 27°𝐶 , 𝑉𝐸𝐵 = 0.7𝑉, 𝑉𝐸 = 2𝑉, 𝑉𝐴 = 75𝑉 (Tension Early), 𝑉𝑇 ≃ 26𝑚𝑉. On donne 𝑅𝐵 = 130𝑘𝛺, 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉, 𝑉𝐸𝐸 = 12𝑉.
1- Déterminer :
a. Le gain en courant 𝛽 du transistor
b. Le potentiel 𝑉𝐶 du collecteur
2- Etablir le schéma en
dynamique du transistor et et calculer les valeurs de
rπ et ro .
3- Déterminer la variation 𝛥𝑉𝐸 du potentiel de l’émetteur si la température augmente pour atteindre la valeur 𝑇 = 50°𝐶. On suppose que 𝐼𝐸 et 𝛽 restent inchangés pour cette variation de température. On rappelle que la tension aux bornes d’une jonction PN diminue à raison de 2𝑚𝑉 par 1°𝐶. Donner la valeur 𝑉𝐸 à 𝑇 = 50°𝐶.
Exercice 2 (6pts) : La caractéristique I-V de la diode Zener du circuit de la figure 2a est représentée à la figure 2b (𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 0𝐴). La tension 𝑉𝑠 = 24𝑉 et 𝑅𝑠 = 1𝑘𝛺.
1- Déterminer la valeur de 𝑉𝑍0. On suppose que 𝑅𝐿 = 1𝑘𝛺.
2- La diode fonctionne-t-elle dans la zone de claquage ? Justifier 3- Déterminer :
a. La tension 𝑉𝐿
b. Le courant 𝐼𝐿 qui traverse la charge 𝑅𝐿 c. Le courant 𝐼𝑠 qui traverse 𝑅𝑆
4- La puissance 𝑃𝑧 dissipée par la diode Zener
Exercice 3 (8pts) : On considère l’amplificateur de la figure 3. Le transistor est caractérisé par 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉, 𝑉𝐴 = 200𝑉 et 𝛽 = 125. On donne 𝑉𝑇= 𝑘𝑇/𝑒 ≃ 26𝑚𝑉.
1- Calculer la valeur du courant collecteur 𝐼𝐶
2- Calculer la résistance 𝑟𝜋 et 𝑟0 du modèle en dynamique du transistor.
3- Etablir le schéma en dynamique de l’amplificateur et donner sa nature (Emetteur
commun, Collecteur commun ou Base commune). Les capacités sont des courts circuits.
Déterminer :
4- La résistance d’entrée 𝑅𝑖 de l’amplificateur 5- La résistance de sortie 𝑅0
6- Le gain en tension 𝐴𝑣
7- Déduire de 4°, 5° et 6°, le gain en courant 𝐴𝑖
