DIGITAL DESIGN (Introduction to) J.-M. Dutertre
Figures du cours
Cours 3A ISMIN par
J.-M. Dutertre
Gardanne, Centre Microélectronique de Provence, 2020
Chapitre 2
FIGURE1 – Vue en coupe d’un transistorMOSde type N (NMOS).
FIGURE2 – Structure 3D d’un (NMOS).
− a −
V1
+ + + + + + + + +
V1
+ + V1
+ + + + + + + +
+
V2
− c − isolant
conducteur
SC p
"canal d’électrons"
+ + + + + + + +
I
− b −
FIGURE3 – Principe de fonctionnement d’un transistor (MOS).
i
v GS
G DS
D
v
S D
FIGURE4 – Symbole simplifié du transistorNMOS(casvBS=0).
FIGURE5 – CaractéristiqueiD−vDSd’unNMOS.
FIGURE6 – CaractéristiqueiD−vDSd’unNMOSintégrant la modulation de la longueur du canal en régime saturé.
D
v DS v = 0,8 V
GS
v = 1,4 V
GS
v = 2 V
GS
v = 2,5 V
GS
i
FIGURE7 – CaractéristiqueiD−vDSde la zone ohmique du régime triode d’unNMOS
(vDS<<2·(vGS−Vtn)).
S D
S D
B
G G B
FIGURE8 – Symbole complet du transistorNMOS(gauche) et symbole usuel (droite).
Substrat P
G
Polysilicium Oxyde
zone de Canal
déplétion
S D
C1
d CSB
C
CDB Cov,S ov,D
C
FIGURE9 – Capacités du transistorMOS.
C DB
C SB
C GD
C GS
C
GB
G
D
S
B
FIGURE10 – Schématique des capacités du transistorMOS.
−PMOS−
N+
N+
N+
G B B
(Vdd)Pol.
Pol.
inverse
Substrat P P+
B
(gnd)S G D
D S
−NMOS−
P+
Puit N P+
L
FIGURE11 – Vue en coupe d’un transistorPMOS.
B G
i
Dv
SDv
SGS
D
B G
G
S
D S
D
FIGURE12 – Symboles simplifié, usuel, et complet du transistorPMOS.
(c)
P+
tox
Poly 1 DIFF Metal 1
NPLUS PPLUS CONT Substrat P
N+ N+
A A’
plan de coupe
−PTAP− −NMOS−
(a)
N+
N+
W
(b)
Leff= L−L overlap
bec d’oiseau
FIGURE13 – Layout d’unNMOS: (a) vue en coupe transversale avec contact de polarisation (PTAP), (b) vue en 3D, (c) vue de dessus (i.e. layout duNMOS).
= +
FIGURE14 – Layout d’unNMOS.
Substrat P
A A’
plan de coupe
−a−
−b−
P+
P+ N+
−PMOS− −NTAP−
(Vdd) Nwell
(gnd)
Poly 1 DIFF Metal 1
PPLUS NPLUS CONT
NTUB
FIGURE15 – Layout d’unPMOS: (a) vue en coupe transversale avec contact de polarisation (NTAP), (b) vue de dessus (i.e. layout duPMOS).
Chapitre 3
gnd
gnd gnd
Vdd
I v O
v
FIGURE16 – Symbole de l’inverseur logique.
v O Vdd
gnd
D D S
S G
G B
B
Mp1 v
Mn1 I
FIGURE17 – Schéma de l’inverseurCMOS.
gnd
I= 1 v
O= 0 Vdd
gnd
vI= 0 v
O= 1 Vdd
gnd
ON OFF
OFF ON
(a) (b)
vI= 0 v
O= 1
vI= 1 v
O= 0 rDS
rDS Vdd
gnd
OFF
OFF
(c) (d)
Vdd v
FIGURE18 – Fonctionnement de l’inverseurCMOS.
v O I
Vdd
gnd PUN
v
PDN
FIGURE19 – Principe de réalisation des portes logiquesCMOS.
(a)
O VOH
VOL
VIH
VIL VOH
NMH NML
vI VOL
vO
vI Vdd
Vdd Vdd/2
(b) v
FIGURE20 – Caractéristique de transfert statique de l’inverseur logique.
Mn1
D v
O
v GSn
v DSn v SDp
v SGp Mp1
i Vdd
gnd
D D
G G
S S
v I
FIGURE21 – InverseurCMOS.
iD
vO VDD VOH v = 0I
Mn1
Mp1
FIGURE22 – Point de fonctionnement de l’inverseurCMOSpourvI=0V.
iD
VDD vO VOL
v = VI DD
Mn1
Mp1
FIGURE23 – Point de fonctionnement de l’inverseurCMOSpourvI=VDD.
D
VDD v = VI DD
v = VI DD v = 0I
vO v = 0I v = V /2I DD v = V /2I DD
i
Mp1 Mn1
FIGURE24 – Détermination graphique de la caractéristique de transfert statique de l’inverseur
CMOSpourvIvariant de 0 V àVDD.
Vdd/2−Vtn
OH= Vdd
VOL= 0 v
I vO
(c) (a)
Vdd/2−Vtp
V
Vdd Vdd+Vtp Vtn V
IL V IH
(b) (d) (e)
FIGURE25 – Caractéristique de transfert statiquevO−vI de l’inverseurCMOS.
10%
t t
50%
50%
90% 90%
10%
v
vOUT V = VOH DD
V = 0OL
V = VOH DD
V = 0OL
tpHL tpLH
tf tr
IN OUT
v v
IN
FIGURE26 – Temps de propagation de l’inverseurCMOS.
Mn1
gnd Vdd
gnd Mp1 CGD
CGD
CDB
CDB
Cinter CGS
CGS Vdd
gnd Mp2
Mn2
gnd
Cload
IN vIN v
vOUT
v OUT
FIGURE27 – Capacité de charge équivalenteCloadau nœudvOUT.
t vIN
VDD/2
t vOUT
tpHL tpLH
50%
VDD
FIGURE28 – Illustration pour le calcul detpHL.
vOUT V /2
DD
V − V DD tn
t=0+
t=0− Cload
iD
vOUT
vGSn
vDSn VDD
gnd gnd
DD
D
VDD V = VGSn
i
B
A D C
E
FIGURE29 – Calcul detpHL.
(b)
t t
pic
(c) (a)
VDD V +VDD tp
Vtn
t1 t2
i
DvIN VDD
DD tp
Vtn V +V t1 t2
i
Dv
INFIGURE30 – Pic de courant de court-circuit lors de la commutation d’un inverseurCMOS.
NTUB
DIFF
13 um
Vdd
Gnd
1.8 um 5.6 um NTAP
PTAP
1.8 um
MET1
FIGURE31 – Dimensions verticales d’une standard cell.
DIFF clk
in in
D flip−flop inv
inv
Vdd
out NTUB
out
data
MET1 line CONT MET1 out
Gnd
FIGURE32 – Association horizontale de standards cells.
Gnd Vdd
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk
data
in in
out out out
clk data
FIGURE33 – Alimentations en forme de peignes imbriqués d’un circuit intégré.
FIGURE34 – Layouts de la standard cell de l’inv0(gauche) - et des standard cells desinv2et inv3(droite).
D S S D
G
D S D
W/2
G G
W
−a− −b−
D
−c−
S
W/2
FIGURE35 – Principe de repliement d’un transistor : illustration au niveau layout.
S G
D
S W L
W/2 G L
W/2L D
FIGURE36 – Principe de repliement d’un transistor : illustration au niveau transistors.
D D W/3
S S
G
FIGURE37 – Principe de repliement multiple d’un transistor.
In Vdd
Gnd
Out
FIGURE38 – Layout simplifié de l’inverseurinv4.
Chapitre 4
NMOS PMOS
FIGURE39 – Symboles usuels simplifiés des transistorsNMOSetPMOS.
entrées
n n
n
Vdd
gnd PUN
PDN
Z
FIGURE40 – Principe de fonctionnement des portes logiquesCMOSréalisées à base de réseau p (PUN) et de réseau n (PDN).
Z = A + B Z = A . B B
Vdd
Z A
Vdd
A
Vdd
B
Z
FIGURE41 – Associations parallèle et série des transistors du réseau p (PUN).
A B
Z
gnd
A
B
Z = A + B
Z = A . B
gnd gnd
Z
FIGURE42 – Associations parallèle et série des transistors du réseau n (PDN).
gnd
A
B
C
Vdd
B C
Vdd
Z
−a− −b−
A
gnd
Z
FIGURE43 – Identification des fonctions logiques de réseaux p et n.
Vdd
B
Vdd
gnd
B
Z A
FIGURE44 – Schéma au niveau transistors d’une porte NON-ET à 2 entrées.
gnd gnd
Vdd
B
A B
Z A
FIGURE45 – Schéma au niveau transistors d’une porte NON-OU à 2 entrées.
gnd gnd gnd
C
Z
A B C
B A
Vdd
FIGURE46 – Schéma au niveau transistors d’une porte NON-OU à 3 entrées.
C
Z
Vdd
D A
Vdd
B
Vdd
FIGURE47 – Schéma du réseau p de la porte logiqueZ=A.B.(C+D).
Z A
B
C D
gnd gnd
FIGURE48 – Schéma du réseau n de la porte logiqueZ=A.B.(C+D).
B
Z
A A
B B
A A
Vdd
B
Vdd
FIGURE49 – Schéma du réseau p d’une porte OU-EXCLUSIF à 2 entrées.
gnd
A
B
A A
B B
Z A
gnd
A
B B
Vdd
B A
Vdd
FIGURE50 – Schéma au niveau transistor d’une porte OU-EXCLUSIF à 2 entrées.
Cload nmos
(W/L) = p
pmos
Mn1 Vdd
gnd
(W/L) = n Mp1
v
v
IN OUTFIGURE51 – Ratios de dimensions des transistors d’un inverseurCMOS.
(W/L)=2
(W/L)=2
(W/L)=4 (W/L)=2
eq
(W/L)=2
(W/L)=1eq
FIGURE52 – W/L équivalents des associations série et parallèle de 2 transistorsMOS.
Chapitre 5
état (registre) Horloge
Elément de mémorisation Horloge
Bloc logique combinatoire
Etat futur Entrées
FSM Moore
Etat présent
Combinatoire
Sorties des sorties
Combinatoire des états
Mémorisation
FIGURE53 – Exemple de système séquentiel : la machine à états finis de Moore.
n
n D Q
clk
n
n D Q
clk
n
n D Q
clk n
n D Q
clk Logique
log. comb.
Entrées
Horloge
Sorties combinatoire
banc de registres (n bits)
FIGURE54 – Schéma de principe d’un circuit numérique synchrone.
gnd Vdd
Vdd
gnd
Inv 2
Inv 1
Q Qb
FIGURE55 – Architecture d’une cellule bistable.
S
S G G
Vdd
gnd D D S
S G G
ON
ON Vdd
gnd D D S
S G G
Vdd
gnd D D S
S G G
ON
ON
Vdd
gnd D D
Etat 0
Qb = 0
v = Vdd
QQ = 1 v = 0
Qv = Vdd
QbQ = 0
Qb
Etat 1
Qb = 1
v = 0 V
FIGURE56 – Etats de mémorisation d’une cellule bistable (exemple). La couleur rouge est utilisée pour représenter la tension d’une interconnection à 0 V, la couleur verte pour la tension Vdd.
Vdd
Vdd Vdd
Vdd Vdd
Vdd
(a) (b)
Qb
(c) v
vQ
vQ
vQb
Inv 1
vQ
vQb
Inv 2 Inv 2
FIGURE57 – Caractéristiques de transfert statiques des inverseurs Inv 1 et Inv 2 du bistable : (a)vQ=fInv 1(vQb), (b)vQb=fInv 2(vQ), (c)vQ=fInv 20 (vQb) .
Vdd Vdd
Etat 1
Q
Etat 0
v
v
QbA
B
C
Inv 1
Inv 2
FIGURE58 – Courbes enailes de papillondu bistable.
Mp1
Q
Qb EN
EN
ENb D
Inv 2
Mn1 Inv 1
FIGURE59 – Exemple d’architecture d’une D latch.
D
Mn1
EN EN
Mp1
Q
Inv 1ENb EN Qb
Inv 2 Mp2
Mn2
FIGURE60 – Deuxième exemple d’architecture d’une D latch.
Mode mémorisation (EN = 0) Qb
Inv 2
D Q
Inv 1
Qb
Inv 2
D Q
Mode écriture (EN = 1) : Q = D
Inv 1
FIGURE61 – Illustration du fonctionnement d’une D latch en mode écriture (gauche) et en mode de mémorisation (droite).
Slave latch
Mn4 Mn3
Inv 4
D Q
Inv 1
Inv 2 Mn2
Mn1
CLKb
CLK CLKb
CLK
Master latch
Inv 3
FIGURE62 – Architecture d’une bascule D.
(1)
CLK
0 t 1
front montant
(2) (1)
Esclave Maitre Maitre
Maitre Ecriture
Memorisation Ecriture
Memorisation
Memorisation
Ecriture
FIGURE63 – Modes de fonctionnement des latchs d’une bascule D.
D1
T
skewclk+
T
−T
setupn
Q1 D2 Q2
n D
CLK
pMax
Q D
DFF D
Q
DFF
n
D
nT
skewclk2q
FIGURE64 – Etablissement des contraintes temporelles d’un circuit numérique synchrone.
setup T
hold
Dclk2Q
DpMax
Dclk2Q
DpMax
D2 Q1
Q2
i
i
i
D2 Q1
Q2
i
i
i
glitches logiques
(a) contrainte de timing satisfaite
(b) violation de setup
metastable
slack T
CLK
FIGURE65 – Illustration graphique de la contrainte temporelle de temps de setup : formes d’onde pour un bit d’indiceides données en Q1, D2 et Q2 lorsque le contrainte est respectée (a) et en cas de violation de setup (b).
CLK1
1
Tskew
1
0 t
CLK2
0 t
FIGURE66 – Skew entre les fronts d’horloge au niveau de deux basculesDFF1etDFF2.
CLK
Vers DFF Vers DFF Vers DFF
Vers DFF Vers DFF Vers DFF Vers DFF
Vers DFF Vers DFF Vers DFF Vers DFF Vers DFF Vers DFF Vers DFF Vers DFF
Génération
Vers DFF
FIGURE67 – Architecture d’un arbre d’horloge.
CLK Génération
Vers DFF
FIGURE68 – Arbre d’horloge en H.