Benoît Appolaire
INPL
Que devient un germe supercritique ?
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale la diffusion dans les phases
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 2 / 24
Exemples
précipités de Cu dans le fer cémentite Fe3C dans l’acier précipitésθAl2Cu
Cas d’un composé défini
Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité
À l’équilibre
cAβµαA+cBβµαB=cAβµAβ0+cBβµBβ0 avec
µαA = µαA0+RTlncAαe µαB = µαB0+RTlncBαe
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 3 / 24
Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité
À l’équilibre cAβ
µAβ0−µAα0 +cBβ
µBβ0−µBα0
=RTln
(cAαe)cAβ(cBαe)cBβ
Cas d’un composé défini
Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité
À l’équilibre cAβ
µAβ0−µAα0 +cBβ
µBβ0−µBα0
=RTln
(cAαe)cAβ(cBαe)cBβ
Keq(T)=(cAαe)cAβ(cBαe)cBβ
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 3 / 24
Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité
Force motrice de transformation Gmα = cAβ
µαA0+RTlncA0 +cBβ
µαB0+RTlncB0 Gmβ = cAβµAβ0+cBβµBβ0
Cas d’un composé défini
Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité
Force motrice de transformation Gmα = cAβ
µαA0+RTlncA0 +cBβ
µαB0+RTlncB0 Gmβ = cAβµAβ0+cBβµBβ0
∆Gm = Gmβ −Gmα
= −RTln K/Keq où K =(cA0)CAβ(cB0)CBβ
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 3 / 24
Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité Cas de la précipitation de B pur
cAβ=0 et cBβ=1 K
Keq = c
0 B
cBαe
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Interfaces cohérentes ou semi-cohérentes(structures en plaquettes)
Reconstruction 3D – Alliage de titane [J.-M. Pipard, D. Daloz, B. Appolaire]
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 4 / 24
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 5 / 24
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 5 / 24
Vitesse de l’interface v∗∝ν0h
Pα→β− Pβ→αi
fréquence de Debyeν0≈1013s−1 Pα→β = exp −∆g#
kT
!
Pβ→α = exp
−∆g#+ ∆gβα
kT
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Vitesse de l’interface v∗∝ν0h
Pα→β− Pβ→αi
fréquence de Debyeν0≈1013s−1 Pα→β = exp −∆g#
kT
!
Pβ→α = exp
−∆g#+ ∆gβα
kT
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24
Vitesse de l’interface v∗∝ν0h
Pα→β− Pβ→αi
fréquence de Debyeν0≈1013s−1 Pα→β = exp −∆g#
kT
!
Pβ→α = exp
−∆g#+ ∆gβα
kT
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Vitesse de l’interface v∗∝ν0h
Pα→β− Pβ→αi
fréquence de Debyeν0≈1013s−1 Pα→β = exp −∆g#
kT
!
Pβ→α = exp
−∆g#+ ∆gβα
kT
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24
Vitesse de l’interface
v∗∝ν0exp −∆g# kT
! "
1−exp −∆gβα
kT
!#
fréquence de Debyeν0≈1013s−1 Pα→β = exp −∆g#
kT
!
Pβ→α = exp
−∆g#+ ∆gβα
kT
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Vitesse de l’interface
v∗∝ν0exp −∆g# kT
! "
1−exp −∆gβα
kT
!#
fréquence d’attachement/détachement à l’interface
ν=ν0exp −∆g# kT
!
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24
Vitesse de l’interface v∗∝ν
"
1−exp −∆gβα
kT
!#
fréquence d’attachement/détachement à l’interface
ν=ν0exp −∆g# kT
!
Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale
Vitesse de l’interface v∗∝ν
"
1−exp −∆gβα
kT
!#
Proche de l’équilibre∆gβαkT
v∗∝ ν kT ∆gβα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24
Simulation par champ de phase de la croissance d’une structure globulaire dans un alliage de titane [J. Da Costa-Teixeira, A. Viardin, B. Appolaire]
Croissance contrôlée par la diffusion
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Croissance contrôlée par la diffusion
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Croissance contrôlée par la diffusion
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Croissance contrôlée par la diffusion
Z
Vβ
cBβ −cB0 dVβ =
Z
Vα
cB0 −cBα dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
D Dt
Z
V
cdV = Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗·νdS+Z
V
∂c
∂t dV
Croissance contrôlée par la diffusion
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
D Dt
Z
V
cdV = Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗·νdS+Z
V
∂c
∂t dV
Loi de conservation dans le repère immobile
∂c
∂t =−∇ ·J avec J le flux de diffusion
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
D Dt
Z
V
cdV = Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗·νdS+Z
V
∂c
∂t dV
Loi de conservation dans le repère immobile Z
V
∂c
∂t dV =− Z
V
∇ ·JdV
Croissance contrôlée par la diffusion
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
D Dt
Z
V
cdV = Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗·νdS+Z
V
∂c
∂t dV
Loi de conservation dans le repère immobile Z
V
∂c
∂t dV =− Z
Σ0+Σ00+σ
J·νdS
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
D Dt
Z
V
cdV = Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Loi de conservation dans le repère immobile Z
V
∂c
∂t dV =− Z
Σ0+Σ00+σ
J·νdS
Croissance contrôlée par la diffusion
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
D Dt
Z
V
cdV = Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Invariance de la couche de transition D
Dt Z
V
cdV =0
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
0= Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Invariance de la couche de transition D
Dt Z
V
cdV =0
Croissance contrôlée par la diffusion
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
0= Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Limh→0 Z
Σ0+Σ00+σ
φ·νdS → Z
Σ0+Σ00
φ·νdS
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
0= Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Limh→0 Z
Σ0+Σ00+σ
φ·νdS → Z
Σ0
φ·νΣ0 dS+Z
Σ00
φ·νΣ00dS
Croissance contrôlée par la diffusion
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
0= Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Limh→0 Z
Σ0+Σ00+σ
φ·νdS → − Z
Σ0
φ·ndS+Z
Σ00
φ·ndS
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
0= Z
Σ0+Σ00+σ
cv∗−J
·νdS
Limh→0 Z
Σ0+Σ00+σ
φ·νdS → Z
Σ
{φ} ·ndS
Croissance contrôlée par la diffusion
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
Z
Σ{c}v∗·ndS = Z
Σ{J} ·ndS
Limh→0 Z
Σ0+Σ00+σ
φ·νdS → Z
Σ
{φ} ·ndS
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24
Vitesse de l’interface
Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v∗ dans un référentiel barycentrique immobile
{c}∗v∗·n= {J}∗·n
Limh→0 Z
Σ0+Σ00+σ
φ·νdS → Z
Σ
{φ} ·ndS
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité plan
ferrite allotriomorphe [Aaronson]
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24
Croissance d’un précipité plan {c}∗ v∗·n= {J}∗·n
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
∂cBα
∂z
∗
= c
0 B−cBα∗
Ld cBβ−cB0
z∗=
cB0−cBα∗ Ld 2
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
∂cBα
∂z
∗
= c
0 B−cBαe
Ld cBβ−cB0
z∗=
cB0−cBαe Ld 2
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
∂cBα
∂z
∗
= c
0 B−cBαe
Ld
Ld= c
β B −cB0 cB0−cBαe 2z∗
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
∂cBα
∂z
∗
=
cB0−cBαe2
2
cBβ−cB0 z∗
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
∂cBα
∂z
∗
=
cB0−cBαe2
2
cBβ−cB0 z∗
v∗=
cB0−cBαe2
cBβ−cB0 cBβ−cBαe DBα 2z∗
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
Pour les faibles sursaturations cBβ−cB0 ≈cBβ−cBαe
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
Pour les faibles sursaturations cBβ−cB0 ≈cBβ−cBαe
v∗= Ω2 D
α B
2z∗ Ω = c
0 B−cBαe cBβ−cBαe
Croissance contrôlée par la diffusion
temps
z*
Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗
v∗= −DBα ∂cBα
∂z
∗
Modèle de Zener
Pour les faibles sursaturations cBβ−cB0 ≈cBβ−cBαe
z∗= Ω q DBαt
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24
Croissance d’un précipité sphérique
Précipités dans un alliage d’aluminium [M. Dehmas]
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire
∂cBα
∂t =∇ ·
DBα∇cBα
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire 0=∇ ·
DBα∇cBα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire 0= ∆cBα
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire 0= ∂
∂r r2∂cBα
∂r
!
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire 0= ∂
∂r r2∂cBα
∂r
!
∂cBα
∂r = A
r2
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire 0= ∂
∂r r2∂cBα
∂r
!
∂cBα
∂r = A
r2
cBα=−A r +B
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire cBαe = B− A
R cB0 = B
Croissance contrôlée par la diffusion
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire cBαe = B− A
R cB0 = B
∂cBα
∂r
∗
= c
0 B−cBαe
R
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24
temps
R
Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗
v∗=−DBα ∂cBα
∂z
∗
Approximation quasi-stationnaire v∗=DBα Ω
R avec Ω = c
0 B−cBαe cBβ−cBαe R = q
2DBαΩt
Dissolution contrôlée par la diffusion
Simulation par champ de phase de la dissolution d’une structure bimodale dans un alliage de titane [J. Da Costa-Teixeira, A. Viardin, B. Appolaire]
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 12 / 24
Z
cB0−cBβ
v∗dt = Z
Vα
cBα−cB0 dVα
Dissolution contrôlée par la diffusion
Z
cB0−cBβ
v∗dt = Z
Vα
cBα−cB0 dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 13 / 24
Z
cB0−cBβ
v∗dt = Z
Vα
cBα−cB0 dVα
Dissolution contrôlée par la diffusion
Z
cB0−cBβ
v∗dt = Z
Vα
cBα−cB0 dVα
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 13 / 24
Approximation de l’interface
stationnaire (Aaron et Kotler) v∗=2Ω
DBα
R + s
DBα πt
Interactions entre précipités
Interactions géométriques (hard impingement)
Interactions des champs de diffusion (soft impingement)
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 14 / 24
Transformations « complètes »fβ →1 Volume fictif (extended)Ve Volume réel de la phase filleβVβ
dVβ= 1−fβ
dVe
Hard impingement
Transformations « complètes »fβ →1 Volume fictif (extended)Ve Volume réel de la phase filleβVβ
dfβ= 1−fβ
dfe
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 15 / 24
Transformations « complètes »fβ →1 Volume fictif (extended)Ve Volume réel de la phase filleβVβ
dfβ= 1−fβ
dfe
fβ=1−exp(−fe)
Hard impingement
Quelques cas d’école
Saturation immédiate des sites de germination Np=Cste
CroissanceVp =G tq
fe =NpG tq
Germination progressive à vitesseJconstante dNp =Jdτ
CroissanceVp =G(t−τ)q fe =
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 16 / 24
Saturation immédiate des sites de germination Np=Cste
CroissanceVp =G tq
fe =NpG tq
Germination progressive à vitesseJconstante dNp =Jdτ
CroissanceVp =G(t−τ)q
fe = Zt
0
G (t−τ)qJdτ
Hard impingement
Quelques cas d’école
Saturation immédiate des sites de germination Np=Cste
CroissanceVp =G tq
fe =NpG tq
Germination progressive à vitesseJconstante dNp =Jdτ
CroissanceVp =G(t−τ)q
fe = G
q+1J tq+1
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 16 / 24
fβ
k = 4 k =
2
k = 3
t
Forme générique dite de
Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn
Hard impingement
Forme générique dite de
Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn
ln
"
ln 1 1−fβ
!#
=lnk+n lnt
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 17 / 24
Forme générique dite de
Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn
ln
"
ln 1 1−fβ
!#
=lnk+n lnt
Transformations à vitesse de croissance
constante
Germination n
homogène àJconstant 4 homogène (sites saturés) 3 hétérogène sur un joint de grains 1 hétérogène à un joint triple 2
d’après [J.W. Christian, "The Theory of transformations in Metals and Alloys" ]
Hard impingement
Forme générique dite de
Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn
ln
"
ln 1 1−fβ
!#
=lnk+n lnt
Transformations contrôlées par
la diffusion
Morphologie (sites saturés) n
sphères 3/2
aiguilles et plaquettes très espacées 1 épaississement d’aiguilles 1 épaississement de plaquettes 1/2
d’après [J.W. Christian, "The Theory of transformations in Metals and Alloys" ]
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 17 / 24
c
Joel Stavans, Weizmann Institute of Science, Israël
Maturation ou mûrissement d’Ostwald
(coarsening, Ostwald ripening)
L’effet Gibbs-Thomson
Cas d’un composé stœchiométrique
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 19 / 24
L’effet Gibbs-Thomson
Cas d’un composé stœchiométrique À l’équilibre
cAβµαA(κ)+cBβµαB(κ)
=cAβµAβ0+cBβµBβ0+κVmγ avec
µαA(κ) = µαA0+RTlncAαe(κ) µαB(κ) = µαB0+RTlncBαe(κ)
Maturation ou mûrissement d’Ostwald
(coarsening, Ostwald ripening)
L’effet Gibbs-Thomson
Cas d’un composé stœchiométrique À l’équilibre
cAβ
µAβ0−µAα0 +cBβ
µBβ0−µBα0 +κVmγ=RTln
(
hcAαe(κ)icAβh
cBαe(κ)icBβ)
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 19 / 24
L’effet Gibbs-Thomson
Cas d’un composé stœchiométrique À l’équilibre
cAβ
µAβ0−µAα0 +cBβ
µBβ0−µBα0 +κVmγ=RTln
(
hcAαe(κ)icAβh
cBαe(κ)icBβ)
hcAαe(κ)icAβh
cBαe(κ)icBβ
= Keq(T) exp κVmγ RT
!
Maturation ou mûrissement d’Ostwald
(coarsening, Ostwald ripening)
L’effet Gibbs-Thomson
Cas d’un composé stœchiométrique Cas de la précipitation de B pur
cAβ=0 et cBβ=1
cBαe(κ)
cBαe(κ=0) = exp κVmγ RT
!
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 19 / 24
L’effet Gibbs-Thomson
Cas d’un composé stœchiométrique Cas de la précipitation de B pur
cAβ=0 et cBβ=1
cBαe(κ)
cBαe(κ=0) = exp(κd0) où d0 est la longueur dite capillaire d0 =γVm/(RT)
Maturation ou mûrissement d’Ostwald
Simulation par champ de phase [A. Viardin, B. Appolaire]
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 20 / 24
Maturation
Distribution de précipités sphériques
Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson
(linéarisér d0)
cBα∗=cBαe exp 2 rd0
!
(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0)
Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire
dr dt =DB
<cBα>−cBα∗
r (2)
(simplificationcBα∗−cBβ ≈1 [Greenwood], [Lifshitz-Slyozov])
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 21 / 24
Maturation
Distribution de précipités sphériques
Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson (linéarisér d0)
cBα∗=cBαe 1+ 2 rd0
!
(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0)
Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire
dr dt =DB
<cBα>−cBα∗
r (2)
Maturation
Distribution de précipités sphériques
Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson (linéarisér d0)
cBα∗=cBαe 1+ 2 rd0
!
(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0) Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire
cBα∗−cBβdr
dt = −DB<cBα>−cBα∗
r (2)
(simplificationcBα∗−cBβ ≈1 [Greenwood], [Lifshitz-Slyozov])
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 21 / 24
Distribution de précipités sphériques
Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson (linéarisér d0)
cBα∗=cBαe 1+ 2 rd0
!
(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0) Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire
dr dt =DB
<cBα>−cBα∗
r (2)
(simplificationcBα∗−cBβ ≈1 [Greenwood], [Lifshitz-Slyozov])
Maturation
La concentration moyenne<cBα>correspond à l’équilibre avec les précipités de rayon moyen<r>moyen de la distribution
<cBα>=cBαe 1+ <2r>d0
!
(3)
Combinons (1), (3) et (2) : dr
dt =2DBcBαed0 r
1 r − 1
<r>
!
(4)
Soit en introduisant un rayon relatifζ=r/ <r> dr
dt =2DBcBαe d0
<r>2 (ζ−1)
ζ2 (5)
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 22 / 24
Maturation
La concentration moyenne<cBα>correspond à l’équilibre avec les précipités de rayon moyen<r>moyen de la distribution
<cBα>=cBαe 1+ <2r>d0
!
(3)
Combinons (1), (3) et (2) : dr
dt =2DBcBαed0 r
1 r − 1
<r>
!
(4)
dt =2DBcB
<r>2 ζ2 (5)
Maturation
La concentration moyenne<cBα>correspond à l’équilibre avec les précipités de rayon moyen<r>moyen de la distribution
<cBα>=cBαe 1+ <2r>d0
!
(3)
Combinons (1), (3) et (2) : dr
dt =2DBcBαed0 r
1 r − 1
<r>
!
(4) Soit en introduisant un rayon relatifζ=r/ <r>
dr
dt =2DBcBαe d0
<r>2 (ζ−1)
ζ2 (5)
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 22 / 24
Maturation
0
0 2 4 6 8 10
Dissolution
Croissance dr
dt
Examinons cette vitesse dr
dt =2DBcBαe d0
<r>2 (ζ−1)
ζ2
2dr
dt =DBcBαe d0
<r>2
Maturation
0
0 2 4 6 8 10
Dissolution
Croissance dr
dt
Examinons cette vitesse dr
dt =2DBcBαe d0
<r>2 (ζ−1)
ζ2 Maximum enζ=2
Approximation :d<r>/dt correpond à ce maximum
2dr
dt =DBcBαe d0
<r>2
Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 23 / 24
0
0 2 4 6 8 10
Dissolution
Croissance dr
dt
Examinons cette vitesse dr
dt =2DBcBαe d0
<r>2 (ζ−1)
ζ2 Maximum enζ=2 Approximation :d<r>/dt correpond à ce maximum
2dr
dt =DBcBαe d0
<r>2