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BenoîtAppolaire Croissance/Dissolution

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Academic year: 2022

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(1)

Benoît Appolaire

INPL

(2)

Que devient un germe supercritique ?

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale la diffusion dans les phases

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 2 / 24

(3)

Exemples

précipités de Cu dans le fer cémentite Fe3C dans l’acier précipitésθAl2Cu

(4)

Cas d’un composé défini

Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité

À l’équilibre

cAβµαA+cBβµαB=cAβµAβ0+cBβµBβ0 avec

µαA = µαA0+RTlncAαe µαB = µαB0+RTlncBαe

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 3 / 24

(5)

Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité

À l’équilibre cAβ

µAβ0−µAα0 +cBβ

µBβ0−µBα0

=RTln

(cAαe)cAβ(cBαe)cBβ

(6)

Cas d’un composé défini

Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité

À l’équilibre cAβ

µAβ0−µAα0 +cBβ

µBβ0−µBα0

=RTln

(cAαe)cAβ(cBαe)cBβ

Keq(T)=(cAαe)cAβ(cBαe)cBβ

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 3 / 24

(7)

Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité

Force motrice de transformation Gmα = cAβ

µαA0+RTlncA0 +cBβ

µαB0+RTlncB0 Gmβ = cAβµAβ0+cBβµBβ0

(8)

Cas d’un composé défini

Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité

Force motrice de transformation Gmα = cAβ

µαA0+RTlncA0 +cBβ

µαB0+RTlncB0 Gmβ = cAβµAβ0+cBβµBβ0

Gm = Gmβ −Gmα

= −RTln K/Keq où K =(cA0)CAβ(cB0)CBβ

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 3 / 24

(9)

Description thermodynamique simplifiée :produit de solubilité Cas de la précipitation de B pur

cAβ=0 et cBβ=1 K

Keq = c

0 B

cBαe

(10)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Interfaces cohérentes ou semi-cohérentes(structures en plaquettes)

Reconstruction 3D – Alliage de titane [J.-M. Pipard, D. Daloz, B. Appolaire]

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 4 / 24

(11)

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

(12)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 5 / 24

(13)

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

(14)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 5 / 24

(15)

Vitesse de l’interface v∝ν0h

Pα→β− Pβ→αi

fréquence de Debyeν0≈1013s1 Pα→β = exp −∆g#

kT

!

Pβ→α = exp





−∆g#+ ∆gβα

kT





(16)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Vitesse de l’interface v∝ν0h

Pα→β− Pβ→αi

fréquence de Debyeν0≈1013s1 Pα→β = exp −∆g#

kT

!

Pβ→α = exp





−∆g#+ ∆gβα

kT





Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24

(17)

Vitesse de l’interface v∝ν0h

Pα→β− Pβ→αi

fréquence de Debyeν0≈1013s1 Pα→β = exp −∆g#

kT

!

Pβ→α = exp





−∆g#+ ∆gβα

kT





(18)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Vitesse de l’interface v∝ν0h

Pα→β− Pβ→αi

fréquence de Debyeν0≈1013s1 Pα→β = exp −∆g#

kT

!

Pβ→α = exp





−∆g#+ ∆gβα

kT





Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24

(19)

Vitesse de l’interface

v∝ν0exp −∆g# kT

! "

1−exp −∆gβα

kT

!#

fréquence de Debyeν0≈1013s1 Pα→β = exp −∆g#

kT

!

Pβ→α = exp





−∆g#+ ∆gβα

kT





(20)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Vitesse de l’interface

v∝ν0exp −∆g# kT

! "

1−exp −∆gβα

kT

!#

fréquence d’attachement/détachement à l’interface

ν=ν0exp −∆g# kT

!

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24

(21)

Vitesse de l’interface v∝ν

"

1−exp −∆gβα

kT

!#

fréquence d’attachement/détachement à l’interface

ν=ν0exp −∆g# kT

!

(22)

Croissance contrôlée par la cinétique interfaciale

Vitesse de l’interface v∝ν

"

1−exp −∆gβα

kT

!#

Proche de l’équilibre∆gβαkT

v∝ ν kT ∆gβα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 6 / 24

(23)

Simulation par champ de phase de la croissance d’une structure globulaire dans un alliage de titane [J. Da Costa-Teixeira, A. Viardin, B. Appolaire]

(24)

Croissance contrôlée par la diffusion

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24

(25)

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

(26)

Croissance contrôlée par la diffusion

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24

(27)

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

(28)

Croissance contrôlée par la diffusion

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24

(29)

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

(30)

Croissance contrôlée par la diffusion

Z

Vβ

cBβ −cB0 dVβ =

Z

Vα

cB0 −cBα dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 8 / 24

(31)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

D Dt

Z

V

cdV = Z

Σ000+σ

cv·νdS+Z

V

∂c

∂t dV

(32)

Croissance contrôlée par la diffusion

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

D Dt

Z

V

cdV = Z

Σ000+σ

cv·νdS+Z

V

∂c

∂t dV

Loi de conservation dans le repère immobile

∂c

∂t =−∇ ·J avec J le flux de diffusion

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24

(33)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

D Dt

Z

V

cdV = Z

Σ000+σ

cv·νdS+Z

V

∂c

∂t dV

Loi de conservation dans le repère immobile Z

V

∂c

∂t dV =− Z

V

∇ ·JdV

(34)

Croissance contrôlée par la diffusion

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

D Dt

Z

V

cdV = Z

Σ000+σ

cv·νdS+Z

V

∂c

∂t dV

Loi de conservation dans le repère immobile Z

V

∂c

∂t dV =− Z

Σ000+σ

J·νdS

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24

(35)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

D Dt

Z

V

cdV = Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Loi de conservation dans le repère immobile Z

V

∂c

∂t dV =− Z

Σ000+σ

J·νdS

(36)

Croissance contrôlée par la diffusion

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

D Dt

Z

V

cdV = Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Invariance de la couche de transition D

Dt Z

V

cdV =0

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24

(37)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

0= Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Invariance de la couche de transition D

Dt Z

V

cdV =0

(38)

Croissance contrôlée par la diffusion

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

0= Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Limh→0 Z

Σ000+σ

φ·νdS → Z

Σ000

φ·νdS

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24

(39)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

0= Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Limh→0 Z

Σ000+σ

φ·νdS → Z

Σ0

φ·νΣ0 dS+Z

Σ00

φ·νΣ00dS

(40)

Croissance contrôlée par la diffusion

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

0= Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Limh→0 Z

Σ000+σ

φ·νdS → − Z

Σ0

φ·ndS+Z

Σ00

φ·ndS

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24

(41)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

0= Z

Σ000+σ

cvJ

·νdS

Limh→0 Z

Σ000+σ

φ·νdS → Z

Σ

{φ} ·ndS

(42)

Croissance contrôlée par la diffusion

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

Z

Σ{c}v·ndS = Z

Σ{J} ·ndS

Limh→0 Z

Σ000+σ

φ·νdS → Z

Σ

{φ} ·ndS

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 9 / 24

(43)

Vitesse de l’interface

Considérons un cylindre V englobant l’interface (plane) Σ se déplaçant à la vitesse v dans un référentiel barycentrique immobile

{c}v·n= {J}·n

Limh→0 Z

Σ000+σ

φ·νdS → Z

Σ

{φ} ·ndS

(44)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité plan

ferrite allotriomorphe [Aaronson]

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24

(45)

Croissance d’un précipité plan {c} v·n= {J}·n

(46)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24

(47)

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

∂cBα

∂z

= c

0 B−cBα∗

Ld cBβ−cB0

z=

cB0−cBα∗ Ld 2

(48)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

∂cBα

∂z

= c

0 B−cBαe

Ld cBβ−cB0

z=

cB0−cBαe Ld 2

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24

(49)

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

∂cBα

∂z

= c

0 B−cBαe

Ld

Ld= c

β B −cB0 cB0−cBαe 2z

(50)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

∂cBα

∂z

=

cB0−cBαe2

2

cBβ−cB0 z

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24

(51)

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

∂cBα

∂z

=

cB0−cBαe2

2

cBβ−cB0 z

v=

cB0−cBαe2

cBβ−cB0 cBβ−cBαe DBα 2z

(52)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

Pour les faibles sursaturations cBβ−cB0 ≈cBβ−cBαe

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24

(53)

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

Pour les faibles sursaturations cBβ−cB0 ≈cBβ−cBαe

v= Ω2 D

α B

2z Ω = c

0 B−cBαe cBβ−cBαe

(54)

Croissance contrôlée par la diffusion

temps

z*

Croissance d’un précipité plan cBα∗−cBβ∗

v= −DBα ∂cBα

∂z

Modèle de Zener

Pour les faibles sursaturations cBβ−cB0 ≈cBβ−cBαe

z= Ω q DBαt

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 10 / 24

(55)

Croissance d’un précipité sphérique

Précipités dans un alliage d’aluminium [M. Dehmas]

(56)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24

(57)

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire

∂cBα

∂t =∇ ·

DBα∇cBα

(58)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire 0=∇ ·

DBα∇cBα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24

(59)

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire 0= ∆cBα

(60)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire 0= ∂

∂r r2∂cBα

∂r

!

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24

(61)

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire 0= ∂

∂r r2∂cBα

∂r

!

∂cBα

∂r = A

r2

(62)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire 0= ∂

∂r r2∂cBα

∂r

!

∂cBα

∂r = A

r2

cBα=−A r +B

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24

(63)

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire cBαe = BA

R cB0 = B

(64)

Croissance contrôlée par la diffusion

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire cBαe = BA

R cB0 = B

∂cBα

∂r

= c

0 B−cBαe

R

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 11 / 24

(65)

temps

R

Croissance d’un précipité sphérique cBα∗−cBβ∗

v=−DBα ∂cBα

∂z

Approximation quasi-stationnaire v=DBα

R avec Ω = c

0 B−cBαe cBβ−cBαe R = q

2DBαt

(66)

Dissolution contrôlée par la diffusion

Simulation par champ de phase de la dissolution d’une structure bimodale dans un alliage de titane [J. Da Costa-Teixeira, A. Viardin, B. Appolaire]

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 12 / 24

(67)

Z

cB0−cBβ

vdt = Z

Vα

cBα−cB0 dVα

(68)

Dissolution contrôlée par la diffusion

Z

cB0−cBβ

vdt = Z

Vα

cBα−cB0 dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 13 / 24

(69)

Z

cB0−cBβ

vdt = Z

Vα

cBα−cB0 dVα

(70)

Dissolution contrôlée par la diffusion

Z

cB0−cBβ

vdt = Z

Vα

cBα−cB0 dVα

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 13 / 24

(71)

Approximation de l’interface

stationnaire (Aaron et Kotler) v=2









 DBα

R + s

DBα πt









(72)

Interactions entre précipités

Interactions géométriques (hard impingement)

Interactions des champs de diffusion (soft impingement)

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 14 / 24

(73)

Transformations « complètes »fβ →1 Volume fictif (extended)Ve Volume réel de la phase filleβVβ

dVβ= 1−fβ

dVe

(74)

Hard impingement

Transformations « complètes »fβ →1 Volume fictif (extended)Ve Volume réel de la phase filleβVβ

dfβ= 1−fβ

dfe

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 15 / 24

(75)

Transformations « complètes »fβ →1 Volume fictif (extended)Ve Volume réel de la phase filleβVβ

dfβ= 1−fβ

dfe

fβ=1−exp(−fe)

(76)

Hard impingement

Quelques cas d’école

Saturation immédiate des sites de germination Np=Cste

CroissanceVp =G tq

fe =NpG tq

Germination progressive à vitesseJconstante dNp =J

CroissanceVp =G(t−τ)q fe =

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 16 / 24

(77)

Saturation immédiate des sites de germination Np=Cste

CroissanceVp =G tq

fe =NpG tq

Germination progressive à vitesseJconstante dNp =J

CroissanceVp =G(t−τ)q

fe = Zt

0

G (t−τ)qJdτ

(78)

Hard impingement

Quelques cas d’école

Saturation immédiate des sites de germination Np=Cste

CroissanceVp =G tq

fe =NpG tq

Germination progressive à vitesseJconstante dNp =J

CroissanceVp =G(t−τ)q

fe = G

q+1J tq+1

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 16 / 24

(79)

fβ

k = 4 k =

2

k = 3

t

Forme générique dite de

Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn

(80)

Hard impingement

Forme générique dite de

Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn

ln

"

ln 1 1−fβ

!#

=lnk+n lnt

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 17 / 24

(81)

Forme générique dite de

Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn

ln

"

ln 1 1−fβ

!#

=lnk+n lnt

Transformations à vitesse de croissance

constante

Germination n

homogène àJconstant 4 homogène (sites saturés) 3 hétérogène sur un joint de grains 1 hétérogène à un joint triple 2

d’après [J.W. Christian, "The Theory of transformations in Metals and Alloys" ]

(82)

Hard impingement

Forme générique dite de

Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov fβ =1−exp −ktn

ln

"

ln 1 1−fβ

!#

=lnk+n lnt

Transformations contrôlées par

la diffusion

Morphologie (sites saturés) n

sphères 3/2

aiguilles et plaquettes très espacées 1 épaississement d’aiguilles 1 épaississement de plaquettes 1/2

d’après [J.W. Christian, "The Theory of transformations in Metals and Alloys" ]

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 17 / 24

(83)

c

Joel Stavans, Weizmann Institute of Science, Israël

(84)

Maturation ou mûrissement d’Ostwald

(coarsening, Ostwald ripening)

L’effet Gibbs-Thomson

Cas d’un composé stœchiométrique

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 19 / 24

(85)

L’effet Gibbs-Thomson

Cas d’un composé stœchiométrique À l’équilibre

cAβµαA(κ)+cBβµαB(κ)

=cAβµAβ0+cBβµBβ0+κVmγ avec

µαA(κ) = µαA0+RTlncAαe(κ) µαB(κ) = µαB0+RTlncBαe(κ)

(86)

Maturation ou mûrissement d’Ostwald

(coarsening, Ostwald ripening)

L’effet Gibbs-Thomson

Cas d’un composé stœchiométrique À l’équilibre

cAβ

µAβ0−µAα0 +cBβ

µBβ0−µBα0 +κVmγ=RTln

(

hcAαe(κ)icAβh

cBαe(κ)icBβ)

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 19 / 24

(87)

L’effet Gibbs-Thomson

Cas d’un composé stœchiométrique À l’équilibre

cAβ

µAβ0−µAα0 +cBβ

µBβ0−µBα0 +κVmγ=RTln

(

hcAαe(κ)icAβh

cBαe(κ)icBβ)

hcAαe(κ)icAβh

cBαe(κ)icBβ

= Keq(T) exp κVmγ RT

!

(88)

Maturation ou mûrissement d’Ostwald

(coarsening, Ostwald ripening)

L’effet Gibbs-Thomson

Cas d’un composé stœchiométrique Cas de la précipitation de B pur

cAβ=0 et cBβ=1

cBαe(κ)

cBαe(κ=0) = exp κVmγ RT

!

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 19 / 24

(89)

L’effet Gibbs-Thomson

Cas d’un composé stœchiométrique Cas de la précipitation de B pur

cAβ=0 et cBβ=1

cBαe(κ)

cBαe(κ=0) = exp(κd0) où d0 est la longueur dite capillaire d0 =γVm/(RT)

(90)

Maturation ou mûrissement d’Ostwald

Simulation par champ de phase [A. Viardin, B. Appolaire]

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 20 / 24

(91)
(92)

Maturation

Distribution de précipités sphériques

Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson

(linéarisér d0)

cBα∗=cBαe exp 2 rd0

!

(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0)

Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire

dr dt =DB

<cBα>−cBα∗

r (2)

(simplificationcBα∗−cBβ ≈1 [Greenwood], [Lifshitz-Slyozov])

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 21 / 24

(93)

Maturation

Distribution de précipités sphériques

Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson (linéarisér d0)

cBα∗=cBαe 1+ 2 rd0

!

(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0)

Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire

dr dt =DB

<cBα>−cBα∗

r (2)

(94)

Maturation

Distribution de précipités sphériques

Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson (linéarisér d0)

cBα∗=cBαe 1+ 2 rd0

!

(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0) Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire

cBα∗−cBβdr

dt = −DB<cBα>−cBα∗

r (2)

(simplificationcBα∗−cBβ ≈1 [Greenwood], [Lifshitz-Slyozov])

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 21 / 24

(95)

Distribution de précipités sphériques

Équilibre à l’interface tenant compte de l’effet Gibbs-Thomson (linéarisér d0)

cBα∗=cBαe 1+ 2 rd0

!

(1) oùcBαeest la concentration d’équilibre à une interface plane (κ=0) Bilan à l’interface d’un précipité de rayonR et approximation d’un champ de concentration quasi-stationnaire

dr dt =DB

<cBα>−cBα∗

r (2)

(simplificationcBα∗−cBβ ≈1 [Greenwood], [Lifshitz-Slyozov])

(96)

Maturation

La concentration moyenne<cBα>correspond à l’équilibre avec les précipités de rayon moyen<r>moyen de la distribution

<cBα>=cBαe 1+ <2r>d0

!

(3)

Combinons (1), (3) et (2) : dr

dt =2DBcBαed0 r

1 r − 1

<r>

!

(4)

Soit en introduisant un rayon relatifζ=r/ <r> dr

dt =2DBcBαe d0

<r>2 (ζ−1)

ζ2 (5)

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 22 / 24

(97)

Maturation

La concentration moyenne<cBα>correspond à l’équilibre avec les précipités de rayon moyen<r>moyen de la distribution

<cBα>=cBαe 1+ <2r>d0

!

(3)

Combinons (1), (3) et (2) : dr

dt =2DBcBαed0 r

1 r − 1

<r>

!

(4)

dt =2DBcB

<r>2 ζ2 (5)

(98)

Maturation

La concentration moyenne<cBα>correspond à l’équilibre avec les précipités de rayon moyen<r>moyen de la distribution

<cBα>=cBαe 1+ <2r>d0

!

(3)

Combinons (1), (3) et (2) : dr

dt =2DBcBαed0 r

1 r − 1

<r>

!

(4) Soit en introduisant un rayon relatifζ=r/ <r>

dr

dt =2DBcBαe d0

<r>2 (ζ−1)

ζ2 (5)

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 22 / 24

(99)

Maturation

0

0 2 4 6 8 10

Dissolution

Croissance dr

dt

Examinons cette vitesse dr

dt =2DBcBαe d0

<r>2 (ζ−1)

ζ2

2dr

dt =DBcBαe d0

<r>2

(100)

Maturation

0

0 2 4 6 8 10

Dissolution

Croissance dr

dt

Examinons cette vitesse dr

dt =2DBcBαe d0

<r>2 (ζ−1)

ζ2 Maximum enζ=2

Approximation :d<r>/dt correpond à ce maximum

2dr

dt =DBcBαe d0

<r>2

Benoît Appolaire (INPL) Croissance/Dissolution 23 / 24

(101)

0

0 2 4 6 8 10

Dissolution

Croissance dr

dt

Examinons cette vitesse dr

dt =2DBcBαe d0

<r>2 (ζ−1)

ζ2 Maximum enζ=2 Approximation :d<r>/dt correpond à ce maximum

2dr

dt =DBcBαe d0

<r>2

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