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Instrumentation cryogénique bas bruit et large bande en technologie SiGe

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Academic year: 2021

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Figure I.19. Transistor bipolaire verticaux NPN,  à hétéro-jonction Si/SiGe, de la technologie  0.8 µm [25]
Figure III.3. Mesure en petits signaux du gain en tension (a) et mesure statique pour  l’extraction différentielle des paramètres petits signaux (b)
Figure III.7. Impédance différentielle d’entrée des quatre transistors bipolaires à 300 K et à  77 K pour un courant I C  de 1 mA
Figure III.8. Gain en puissance A p  des quatre transistors bipolaires montés en émetteur  commun avec une résistance de charge de 1k Ω  à 300 K et à 77 K
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