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Développement de briques technologiques pour la réalisation de transistor MOS de puissance en Nitrure de Gallium

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Academic year: 2021

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Figure

Figure 1.5 – Coupe schématique de la Superjonction et d’une cellule d’un transistor
Figure 1.8 – Coupe schématique d’un IGBT Punch-Through et répartition du champ
Tableau 2.2 – Résumé du processus d’implantation ionique du silicium et du magnésium
Figure 2.2 – Profil SIMS pour une implantation de Si au LAAS (type N) : dose =
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Références

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Conclusion Résultats et interprétations Dépôt PECVD-ECR

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