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Défauts et diffusion dans le silicium amorphe

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Academic year: 2021

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Figure 2.1 Empilements (amas) d’a-Si sur c-Si (1905 atomes) obtenus par dynamique moléculaire,  d’après [22].On regarde suivant l’orientation <010> du cristal
Figure 2.3  Spectres RBS aléatoire et canalisé dans une couche a-Si et dans le c-Si avec un faisceau  4He (15°,3MeV)
Figure 2.7  Illustration de deux processus de recristallisation dans le silicium amorphe, le premier est  purement thermique tandis que le second est induit par faisceau d'ion
Figure 2. 8     Spectre RBS des deux échantillons après réimplantation analysés avec XRump
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