1.3 A umulation de harge et photo ourant non-linéaire
1.3.1 Spe tre d'absorption à basse intensité et é rantage du hamp interne
terne
Figure 1.15 Représentation s hématique de l'é hantillon et du prol de la bande de
ondu tion du super-réseau et des ou hes tampon en présen e d'un hamp éle trique
statiquemaissans ex itationoptique.
L'é hantillon étudié est unsuper-réseau non-dopé, onstitué de 130 puits de GaAsde
largeur6,7nmetséparéspardesbarrièresde 1,4nmd'Al
0.3
Ga0.7
As.Des ou hestampon d'Al0.3
Ga0.7
Asde300 nmet200nmd'épaisseursrespe tivessont ajoutéesauxextrémités haute et basse du super-réseau. La tension est appliquée au dispositif au moyen d'uneéle trodesemi-transparentedeCr/Au(1nm/5nm),pourl'extrémitéhaute,etd'une ou he
fortement dopée de GaAs(
n = 1 × 10
18
cm
−3
) au onta td'une éle trode onstituée d'un
alliageNiGeAu,pourl'extrémitébasse.Leproldebandedel'é hantillonestreprésentéen
gure 1.15, dansle asoù une tensionest appliquée en l'absen e d'ex itation optique. Le
Figure 1.16 Comparaison entre les spe tres de photo ourant al ulés (ligne lisse) et
mesurés (ligne pointée) pour quatre valeurs diérentes de la tension appliquée
V
0
. Pour haque graphique, latensionV
SR
utilisé pour la ourbe théorique estégalement indiquée. Ces valeurssont in ompatibles ave l'hypothèse d'un hamp homogène danstoute l'hété-rostru ture (super-réseau etzonestampon).
Dansun premier temps, lespe tre de photo ourant estmesuré à basse intensité d'ex-
itation à l'aide d'un interféromètre à transformée de Fourier pour diérentes tensions
appliquées
V
0
5. La omparaison ave les spe tresissus de ladiagonalisation surune base
tronquéeestreprésentéeengure1.16pour 4valeursdiérentesde
V
0
6.Pour ha unedes
valeurs de la tension appliquée
V
0
pour lesquelles la mesure a été ee tuée, il existe un hamp éle trique statiqueF
SR
pour lequel le al ulthéorique reproduit ave pré ision le spe tre du photo ourant mesuré. La tension aux bornes du super-réseau orrespondante,V
SR
= F
SR
.L
,estindiquéesurlesgraphiques delagure1.16.CesvaleursdeV
SR
sontre- 5 .V0
désignei ilatensionréellementappliquéeàlastru ture,onadon soustraitdelavaleurnominale ladiéren edetravaildesortieentrelesdeuxmétauxutilisés ommeéle trodes,soitenviron0,6V.6 . Commelesuper-réseau omporteungrandnombredepuits,ilestimportantdetenir omptedela
saturationdel'absorptiondûeàl'inhomogénéitédel'intensitélumineuselelongdel'é hantillon( f.se tion
Figure1.17Tra édesvaleursdeladiéren edepotentiel
V
SR
,pourlesquellesonobserve le meilleur a ord entre les spe tresthéoriques etles spe tres mesurés ( er les bleus). Laourbe rouge représente ladépendan e obtenue en supposant
V
e
bar
= 0, 7
V etV
t
bar
= 1, 1
V,ave la ondition supplémentaire
F
e,t
bar
>F
SR
.La ourbe en tiretsgris orrespondà un hampéle trique homogène danstoutel'hétérostru ture.portéespar des er les bleusengure1.17.Lestiretsgrisreprésentent latensionattendue
auxbornes dusuper-réseau sile hamp était homogène danstoute lastru ture ( f.gure
1.15).Dans e as,on aurait :
V
SR
= V
0
L
L
tot
,
ave
L
etL
tot
l'épaisseurdusuper-réseauetl'épaisseurtotaledel'é hantillon(super-réseau et ou hes tampon), respe tivement 1 µm et1, 5
µ m. En réalité, la tensionV
SR
pour laquelle le spe tre simulé oïn ide ave les mesures est toujours inférieure àV
0
L
Ltot
. Pour
expliquer erésultatinattendu,ilestné essairedemodéliserpluspré isémentladynamique
des porteurs de harge dans l'é hantillon. En eet, les ou hes tampon onstituent des
barrières qui arrêtent les porteurs photo réés et empê hent leur olle tion aux onta ts.
Il se rée ainsi deux ou hes d'a umulation de harge, l'une positive et l'autre négative
auxdeuxextrémitésdusuper-réseau.Ces régions hargées marquent une séparationentre
trois domaines qui sont représentés en gure 1.18. Du fait de l'a umulation, le hamp
éle trique statique diminue dans le super-réseau et augmente dans les ou hes tampon,
e qui réduit la largeur ee tive des barrières et stimule ainsi le ourant tunnel vers les
onta ts. Un point d'équilibre dynamique stableest atteint lorsque le ourant tunnel est
égal au taux de génération des porteurs. En eet dans e as, un léger a roissement de
la harge a umulée à une des extrémitésinduit un rétré issement de la barrière ( hamp
plusélevé dansla ou hetampon), e quiaugmentele ourant tunnel etdépeupleainsila
Figure 1.18Représentation s hématique duprol delabandede ondu tion enrégime
d'a umulation etdesnotationsutilisées dansletexte.
Onnote
L
e
bar
etL
t
bar
l'épaisseur des ou hestamponagissant ommebarrière pour les éle trons etpour lestrous(respe tivement 300 nmet200nm), et on noteF
e
bar
,V
e
bar
,F
t
bar
etV
t
bar
le hamp éle trique et la tension auxquels sont soumises es mêmes ou hes. La ourbe rouge de lagure 1.17 a été obtenue en supposant que la hute de potentiel dansles barrières (au pointd'équilibre) estdéterminée par les relations suivantes :
V
bare
=
(
0, 7
VsiF
SR
<
0,7
VLe
bar
F
SR
. L
ebar
sinon (1.19)V
bart
= 1, 1
V.
(1.20)La distin tion introduite pour
V
e
bar
est né essaire pour assurer la onditionF
e
bar
>
F
SR
, quiesttoujoursvalide arle as ontraire orrespondrait àuneinversiondusensde dérivedes porteurs, e qui est impossible. C'est ette ondition qui explique labrisure de pente
à
V
0
= 4, 5
V. Eneet,pour ette valeur,on a :F
SR
=
V
SR
L
=
V
0
− 0, 7
V− 1, 1
VL
=
0, 7
VL
e
bar
= F
bare
.
Pour destensions appliquées supérieures à
4, 5
V, la probabilité d'é happement deséle - trons à travers la ou he tampon devient très grande, et les harges négatives essent des'a umuler. Le hamp éle trique est alors identique dans le super-réseau et dansla bar-
rière d'é happement des éle trons
V
e
bar
= F
SR
. L
ebar
.La ou he d'a umulation de trous, au ontraire,subsistejusqu'àV
0
= 10
V(sil'onsupposeV
t
bar
= 1, 1
V),au-delàdelalimite desmesures ee tuées.La ourbeobtenueparlesrelations(1.20)et(1.19)suittrèspré isémentlespointsexpé-
rimentaux,onpeutdon modéliserlesspe tresd'interférométriepartransforméedeFourier
en supposant que les hutes de potentiel dansles ou hes tampon sont indépendantes de
V
0
(en ajoutant simplement la onditionF
e,t
bar
>F
SR
). Ce i s'expliquepar lanature de la sour e utilisée:l'ex itationestlarge bande etsapuissan eest xeetfaible,onpeutdonsupposer quele ourant total généré ne dépend quepeu delatension appliquée,etquele
point d'équilibre esttoujours lemême.
Dans lase tion suivante, on présentera des mesures ee tuées sous irradiation mono-
hromatiqueàplushauteintensité. Dans e as, lepoint d'équilibredépendfortementdes
onditionsd'ex itation(fréquen eetpuissan edulaser)etdenouveauxeetsnon-linéaires
apparaissent.
1.3.2 Ex itationmono hromatiqueetpro essusd'a umulationde harge
Unese ondeséried'expérien esaétémenée,danslaquellela ara téristiquephoto ourant-
tension du super-réseau a été mesurée sous illumination mono hromatique à in iden e
normale par un lasertitane-saphir ave une puissan eréglable de 10 µW à 10 mW. Dans
es onditions, les ara téristiques ourant-tension du super-réseau varient de façon non-
linéaireave lapuissan edulaseretilestindispensable dedisposerd'unmodèlequantita-
tifdel'a umulationdes hargespourlesanalyser.Deuxdomainesd'ex itation serontplus
parti ulièrement explorés : l'ex itation à haute fréquen e, 'est-à-dire à
ℏω
(énergie des photons in idents) au-dessus dubord supérieurde la minibanded'absorption, etl'ex ita-tionàbassefréquen eà
ℏω
pro he dubordinférieurdelaminibande.Danslepremier as, l'absorptiondépendpeudelatensioninterneV
SR
,tandisquedanslese ond,ladépendan e enV
SR
estimportante, ave despi s ex itoniquestrès marqués.Modèle d'a umulation des porteurs de harge
Onsupposequele ourant olle té, quirésulte delatransmission tunneldeséle trons
etdestrous photo réés à traversles ou hestampon,vérie larelation suivante:
I = γ e
−
A
V e
bar+V tbar
= γ e
−
A
V0−VSR
.
(1.21)Eneet,laprobabilitédetransmissiontunnel
T
àtraversunebarrièretriangulaire, omme elle onstituée par haque ou he tampon,est dela formeT ∝ e
−a/F
oùF
est le hamp éle trique dans labarrière eta
une onstante [32 ℄. Comme il est impossible d'avoir a ès expérimentalementàV
e
bar
etV
t
bar
defaçonindépendante,onpostulel'expression(1.21) ,qui fait apparaîtreladiéren e de potentieltotale dansles deuxbarrières, ar ette quantité,elle, peut être déduite des mesures. Les paramètres ajustables
A
etγ
sont déterminés danslespro hains paragraphes,par omparaison ave lesrésultatsexpérimentaux.Lebona ord des ara téristiques photo ourant-tension al ulées grâ e à la formule (1.21) ave
les mesuresjustieà posteriori l'utilisation de ette expression ( f.gure1.21).
Par ailleurs, le ourant photogénéré s'é rit :
I
ph
= ηI
L
r(V
SR
, ω),
(1.22)ave
I
L
lapuissan e lumineuse ensortiedu laserd'ex itation,r(V
SR
, ω)
letauxde photo- réation( f.se tion1.2.2),etη
une onstanteajustéeàl'expérien equiin lutnotammentl'eet des pertes par absorption ou par réexion le long du trajet optique en amont du
super-réseau.
Deux régimes sont alors possibles, suivant la valeur de latension appliquée. Si
V
0
est faible :γe
−V0A
< ηI
L
r(V
SR
= 0, ℏω),
(1.23) le système est dans le régime (i) où toute la hute de potentiel a lieu dans les ou hestampon. En eet l'inégalité (1.23) signie que tous les porteurs photo réés ne peuvent
pas être olle tés, ertains d'entre eux se re ombinent don (de façon radiative ou non-
radiative) et ne ontribuent pasau ourant. Le photo ourant mesuré est alors limité par
latransmission desbarrières :
I = γe
−V0A
V
e
bar
+ V
bart
= V
0
V
SR
≃ 0.
Si
V
0
estsusammentforte(sil'inégalité (1.23)n'estpasvériée),lesystèmeentredansle régime(ii)oùune hutede potentielapparait danslesuper-réseau.L'équilibredynamiquedé ritdanslase tionpré édenteestalors atteint etonsupposequelatotalité du ourant
photogénéré est olle tée :
I = I
ph
.D'aprèsles formules (1.21) et (1.22) , les ourantsI
etI
ph
dépendent de la tensioninterneV
SR
,et ne oïn ident que pour une valeur pré ise deV
SR
,qui détermine le point d'équilibre stable. Dans e régime, le ourant estdon limité par letaux de réationde porteurs.Ex itation à haute fréquen e et validation du modèle
Figure1.19Cara téristiquephoto ourantpouruneex itationmono hromatiqueàhaute
fréquen e :
ℏω
=1,771 eV (rouge),ℏω
=1,621 eV (vert), ouℏω =
1,590 eV (bleu). Trois puissan es diérentesde l'ex itationlaserontétéutiliséespour haqueénergieduphoton.Laligneentiretsgrisreprésenteladépendan eattenduedel'équation(1.21)danslerégime
On observe de façon nette la transition entre les régimes (i) et (ii) sur les résultats
présentés en gure 1.19. Le photo ourant est mesuré sous illumination ontinue à une
fréquen e élevée (au-dessus du bord supérieur de la minibande d'absorption). Pour es
fréquen es, le taux de réation
r(ω, V
SR
)
est quasiment indépendant de la tension aux bornes du super-réseauV
SR
. Pourtant le photo ourant dépend fortement deV
0
. PourV
0
faible, ilaugmenteave la tension, suivant la loiexponentielleI = γe
−A
V0
, ara téristique du régime (i) et reproduite en tirets gris (au dessous deV
0
= 2, 5
V environ, le ourant devient inférieur au bruit etn'est plus déte table). Au-delà d'une valeur seuildeV
0
(qui dépenddeI
L
etdeℏω
),la onditionI = I
ph
sevérie etlesystèmebas ule danslerégime (ii). Le photo ourant atteint alors un plateau dont la hauteur augmente ave l'intensitéd'ex itation
I
L
. Dans e régime, la hute de potentiel dans les barrières est xée par la onditionγe
−
A
V e
bar+V tbar
= I
ph
,
ettoute augmentation de
V
0
au-delà duseuil sereporteintégralement surV
SR
. Ex itation à basse fréquen e et é helle de Wannier-StarkFigure 1.20 (a) Représentation s hématique des niveaux ex itoniques de l'é helle de
Wannier-Stark (en bleu) etde leurs interse tions ( er les noirs) ave l'énergie du photon
(ligne horizontale rouge), en fon tion de la diéren e de potentiel
V
SR
aux bornes du super-réseau. (b) Taux de photo réationr(V
SR
, ω)
al ulé pourℏω = 1.556
eV, les pi s ex itoniquesdestrouslourdssontindexésparleurindi edeWannier-Stark.Lepi d'indi e−1
de l'é helle ex itonique destrous légersest également visible, etnoté−1
′
.
Les ourbes de la gure 1.19 ont été obtenues dans le as simple où l'absorption est
indépendante de
V
SR
, et permettent de valider le modèle d'a umulation des harges. Une fois e modèle établi, il est intéressant d'étudier le omportement du dispositif pourdes fréquen es d'ex itation pro hes du bord inférieur de la minibande d'absorption, pour
lesquellesle photo ourant dépendfortement de
V
SR
.Lafréquen edulaseradon étémoduléeentre
ℏω = 1, 54
eVetℏω = 1, 57
eV.Dans et intervalle,l'énergie du photonest plus basseque le entre de laminibande d'absorption :E
g
+ E
1c
− E
1v
.Lorsquele hampéle trique danslesuper-réseau varie,l'énergieduphoton roise don su essivement tous les niveaux ex itoniques de Wannier-Stark d'indi es né-gatifs, omme illustré en gure1.20.a. La ara téristique ourant-tension du super-réseau
qui en résulteest représentée engure 1.20.b,lephoto ourant présenteune su essionde
pi s auxvaleurs pour lesquellesl'ex itation est résonante ave un niveau d'ex iton 1S de
l'é helle de Wannier-Stark. Dans ette gamme defréquen e, lephoto ourant dépend don
de façon très marquée de la tension interne
V
SR
, et de légères variations deV
0
peuvent produire de fortes variations duphoto ourant etde la hargea umulée. Or ette hargemodielavaleurde
V
SR
quiinueenretoursurletauxde réationdesporteurs.C'est ette rétroa tion omplexe quiexpliqueles eetsnon-linéaire spe ta ulaires observés:ladéfor-mation des ara téristiques ourant-tension ave les variations de puissan e d'ex itation,
labistabilitédel'équilibre,ouen orel'inversiondelapentedesniveauxdeWannier-Stark.
Comparaison théorie-expérien e
La gure 1.21 montre les ara téristiques de photo ourant du super-réseau obtenues
pour diérentes puissan es
I
L
etdiérentes pulsations d'ex itationω
.Onobservejusqu'à 5pi sex itoniques orrespondantauxniveauxdeWannier-Stark−1
à−5
.Lapositiondes pi s varie ave lafréquen e du laser : eux- i seresserrent lorsque l'énergie du photon serappro he du entre de laminibande ( f.gure 1.20.a). Mais elle varie aussiave la puis-
san ed'ex itation:lespi ssedé alentversleshautestensionsappliquéeslorsquel'intensité
dulaseraugmente.Ce omportementnon-linéaireestdûàl'a umulation desporteursaux
extrémités dusuper-réseau etil estdé ritave pré ision par lemodèle théorique présenté
plus haut.
Pour omparerles résultats théoriques auxmesures, ilest né essaire de alibrer préa-
lablement les paramètres ajustables
A
etγ
. Pour ela, on relève la position des pi s ex- itoniques pour diérentes puissan es et diérentes fréquen es laser. En eet, pour uneénergie du photon donnée, le al ul numérique du spe tre d'absorption fournit la valeur
de la tension interne
V
SR
orrespondant à ha un des pi s ex itoniques−1, −2,
et . Par exemple,pourℏω = 1.556
eV,enutilisantla ourbereprésentéeengure1.20.b,onobtient respe tivementV
SR
= 3.7
V etV
SR
= 2
Vpour les pi s−1
et−2
.Connaissant latension appliquéeV
0
orrespondantà haquepi ,onendéduitla hutedepotentieltotaledansles barrières :V
bare
+ V
bart
= V
0
− V
SR
.
La gure 1.22 représente la valeur du photo ourant en fon tion de la hute de potentiel
dans les barrières pour les pi s
−1
et−2
, et pour diérentes puissan es et diérentes fréquen es d'ex itation.Lapositionde espointssuitlaloi(1.21) , equipermetd'ajusterles paramètres
A
etγ
. Le résultat de et ajustement est représenté en traits pleins sur la gure 1.22, et montre à nouveau la validité de l'expression postulée (1.21) . On trouveA = 55
V,etγ = 26
Aouγ = 8.5
A pour les deux jeuxde donnéesde lagure 1.22. Ces deuxgraphiques orrespondentàdesmesuresee tuéesave deslentillesdefo alisationdulaserdiérentes.L'aireilluminéeétantdiérentedanslesdeux as,
γ
,quiestproportionnel à ette surfa e,estmodié,maisA
reste identique.Unefois esparamètresdéterminés,ilestpossibledesimulerla ara téristiquephoto ourant-
Figure 1.21Cara téristiques photo ourant-tension pourdiérentesvaleursde
ℏω
etI
L
. Comparaison entre les ourbesexpérimentales (bleu) etthéoriques (rouge).temps lerégime d'a umulation on erné. Si
γ e
−V0A
< ηI
L
r(V
SR
= 0, ω)
,il s'agit du ré- gime (i) etlephoto ourant est simplement donné par laformule :I = γ e
−V0A
.
Dans le as ontraire, il s'agit du régime (ii). On détermine alors la tension interne
V
SR
puis le ourantI
grâ eà larelation :I = γ e
−
A
V0−VSR
= ηI
L
r(V
SR
, ω),
qui est résoluenumériquement. La gure1.21 présenteune omparaison entre les simula-
tionsetlesmesures,etmontreletrèsbona ordobtenusurunelargegammedepuissan e,
Figure 1.22 Valeurdu photo ourant auxpi s ex itoniquesd'indi es
−1
( er les)et−2
( roix),enfon tiondela hutedepotentieldanslesbarrièresV
e
bar
+ V
barh
.(a)ℏω
varieentre 1,542 eV et1,562 eV etI
L
entre 0,1 mW et 10 mW. (b)ℏω =
1,556 eV etI
L
varie entre 20 µ W et 10mW. Le meilleur ajustement par l'équation(1.21) est tra é en trait plein, ilorrespondà
A = 55
Vetγ = 8, 5
A(a)etγ = 26
A (b).1.3.3 Déformation des pi s ex itoniques et bistabilité du photo ourant
La gure 1.23 montre un agrandissement des pi s de photo ourant d'indi es
−1
et−2
pour une énergieℏω = 1, 556
eV et pour diérentes puissan es d'ex itationI
L
. Le photo ourant présente un omportement non-linéaire très marqué : lorsque la puissan ed'ex itationaugmente,lespi sex itoniquessedé alentversleshautestensions.Ainsipour
I
L
= 4
mW, lepi d'indi e−1
apparait pour une tensionappliquée supérieurede plus de 1,5Vàlatension orrespondantepourI
L
= 20
µW.Deplus,lesrésonan esex itoniquesse déforment lorsque lapuissan eaugmenteetdeviennent très asymétrique, lephoto ourantaugmentant lentement ave
V
0
puis hutant brusquement une fois le maximum atteint. Ce omportement est lié à la dynamique d'a umulation des porteurs et il est très bienreproduit par notre modèle, omme le montre la gure 1.24. En eet, plus la puissan e
d'ex itationestgrande,plusla hargea umuléeestimportanteetplusla hutedepotentiel
danslesbarrièresestgrande, equiexpliqueledé alageprogressifdespi sex itoniques.La
déformationdesrésonan ess'interprètedelafaçonsuivante:lorsquelepi dephoto ourant
est atteint, une légère augmentation de
V
0
diminue l'absorption, et don le nombre de porteurs a umulés. Il s'ensuit une diminution de la tension dans les barrières et uneaugmentation de
V
SR
, e quiréduit en ored'avantagel'absorption. Ilya don uneet de rétroa tion positive qui entraine le système au bas du pi ex itonique, 'est pourquoi lefrontdroitdesrésonan esestabrupt.Surleurfrontgau he,au ontraire,l'a umulationde
harges'opposeàl'augmentation de