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ORDERING INSTRUCTIONS FOR MOLDED MICROPACKAGES REDACTION DES COMMANDES POUR MICROBOITIERS MOULES

Dans le document GENERAL INFORMATION (Page 33-43)

These datas are typical values. They depend upon the device chip area

ORDERING INSTRUCTIONS FOR MOLDED MICROPACKAGES REDACTION DES COMMANDES POUR MICROBOITIERS MOULES

Orders for circuits described in this specification should include an end number as explained in the following example:

A la suite du numero du circuit desire, indiquer par le repere ci-dessous la version choisie :

Example Exemple

SF .C 2723 UC/1 Long leads TDB0124-FP/1 Connexions /ongues

Order Dash n° Long leads

Repere Connexions tongues

Nothing (Rien) No

1 Yes

Packages Boitiers

CB-176 - CB-178

""'' CB-216

-

CB-218

The micropackages dash 1 circuits are shipped in carrier "Barnes"

Les microboftiers rep(}re 1 sont livres en porteur ''Barnes"

Pin 1 Broche 1

Pin 1 Broche 1

Symbols

Linear integrated circuits

Automatic gain control Voltage gain (dynamic) Voltage gain (continuous) Common mode voltage gain

Differential mode voltage gain

Susceptance

Band width

Collector-substrat capacitance (transistors arrays) Input capacitance (with ground)

Differential input capacitance Load capacitance Common mode rejection ratio

Output capacitance (with ground) Short-circuit input capacitance b = common base e = common emitter Open-circuit reverse transfer capacitance b = common base

=

common emitter

Open-circuit output capacitance b = common base

e = common emitter Total harmonic distorsion

Temperature coefficient of input offset current

*y., ... =g ...

+

jb ...

AGC Ay

Av Ave Ave Avo

Avd b*

CMR

d

Symbo/es

Circuits integres lineaires

ContrtJle automatique de gain

Amplification en tension (dynamique)

Amplification en tension (continu)

Amplification en tension du mode commun

Amplification en tension du mode differentiel

Susceptance

Bande passante

Capacite collecteur-substrat (reseaux de transistors)

Capacite d'entree (par rapport

a

la masse)

Capacite differentielle d'entree

Capacite de charge

Taux de rejection en mode commun

Capacite de sortie (par rapport

a

la masse)

Capacitti d'entree, sortie en court-circuit b = en base commune

e = en emetteur commun

Capacite de transfert inverse (capacite de reaction), entree en court-circuit b = en base commune c

=

en emetteur commun

Capacite de sortie, entrtie en circuit ouvert b = en base commune

e = en emetteur commun Distorsion harmonique tota/e

Coefficient de temperature du courant de decalage

a

/'en tree

I

Temperature coefficient of output voltage Temperature coefficient of input offset voltage

Equivalent input noise voltage Common mode voltage range Equivalent input noise electromotive force Frequency Cut-off frequency Modulation frequency Oscillator or oscillation frequency Transition frequency Tuning frequency Noise figure Conductance Power gain

Short-circuit input impedance b common base e

=

common emitter

Open-circuit reverse voltage transfer ratio b

=

common base

e = common emitter

Short~circuit forward current transfer ratio b common base

e = common emitter

Static value of the forward current transfer ratio(common emitter)

*y ... =

g. . . . .

c

jb ...

f -

T

F

Gp

Coefficient de temperature de regulation Coefficient de temperature de la tension de decalage

a

l'entree

Tension de bruit ramenee

a

l'entree Gamme de la tension du mode commun Force electromotive de bruit ramenee

a

l'entree Frequence

Frequence de coupure Frequence de modulation

Frequence d'oscil/ation ou de l'oscillateur Frequence de transition

Frequence d'accord Facteur de bruit Conductance Gain en puissance

Impedance d'entree, sortie en court-circuit b = en base commune

e

=

en emetteur commun

Rapport de transfert inverse de la tension, en tree en court-circuit

b en base commune e = en emetteur commun

Rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit

b = en base commune e = en emetteur commun

Valeur statique du rapport de transfert direct du courant (en emetteur commun)

Open-circuit output admittance b

=

common base e

=

common emitter

Current Automatic gain control stage input current

Input bias current

Bias current one input

Collector (D.C) current Collector-base cut-off current with IE

=

0 and V CB specified

Supply current

Supply currents

Collector-emitter cut-off current with 18

=

0 and V CE specified

Input offset current

Full load current Input current Mean bias current (or input current without input signal)

Input equivalent noise current Null load current Output current Cut-off leakage current High level output current

h22b h22e

1AGC

•s

1

s1

1

s2 le

1

cso

1

cc

1

cc1

1

cc2

1

cEO

(IOI

'•g

1FL 1, 11B

in 1NL

to

1off 1OH

Admittance de sortie, entree en circuit ouvert b

=

en base commune

e

=

en emetteur commun

Courant

Courant d'entree de /'etage de commande automatique de gain

Courant de polarisation

Courant de polarisation d'une entree

Courant (continu) de col/ecteur

Courant residue/ collecteur-base avec IE

=

0 et

v cs

specifie

Courant d'alimentation

Courant fourni par !es alimentations

Courant residue/ collecteur-emetteur avec I 8

= o

avec V CE specifie

Courant de decalage

a

l'entree

Courant maximum debite dans la charge

Courant d'entree

Courant de polarisation (en courant d'entree sans signal)

Courant de bruit ramene

a

l'entree

Courant en /'absence de charge

Courant de sortie

Courant de fuite

a

l'etat bloque

Courant de sortie

a

J'etat haut

I

Low level output current

10L

Courant de sortie

a

l'etat bas Short-circuit output current 1

os

Courant de sortie en court-circuit

Short-circuit current limit

1sc

Courant de court-circuit Strobe current

1st

Courant d'echantillonnage (Continuous) on state current IT Courant continu

a

l'etat passant

Overshoot factor

Kov

Facteur de rebondissement Long term stability

KvH

Stabilite dansle temps

Line regulation

Kv1

Coefficient de regulation en fonction de la tension d'entrtJe

Load regulation

Kvo

Coefficient de regulation en fonction de Ip charge

Internal power dissipation p Puissance dissipee Output power (useful in·load) with specified

Po

Puissance de sortie (utile dans la charge)

conditions dans des conditions specifiees

Power dissipation

Ptot

Dissipation de puissance External generater resistance

RG

Resistance de generateur exterieur Input resistance (between input and ground)

R1

Resistance d'entree (entre une entree et la masse)

Differential input resistance

Rio

Resistance differentielle d'entree Load resistance

RL

Resistance de charge

Output resistance

Ro

Resistance dlJ sortie

Differential output resistance

Roo

Resistance differentielle de sortie Parallel loss resistance of a tuned oscillatory

RP

Resistance parallele de perte d'un circuit

circuit oscillant

a

!'accord

Source resistance

Rg

Resistance de source

Sense current resistance

Rsc

Resistance de limitation du courant

Junction-ambient thermal resistance Junction-case thermal resistance Case-ambient thermal resistance Ripple rejection Sensitivity (input signal voltage with output and operating conditions specified)

Slew rate

Supply voltage rejection ratio Delay time Fall time

Turn off time

Turn on time

Strobe release time Over shoot time Pulse time Rise time or response time Ripple time Carrier storage time Fall time Rise time Ambient temperature

Rth(j-a) Rth(j-c) Rth{c-a)

s

SVR

Resistance thermique (jonction-ambiante)

Resistance thermique (jonction-boitier)

Resistance thermique (boitier-ambiante)

Taux de filtrage

Sensibilite (tension de signal d'entree dans des conditions de sortie et de fonctionnement specitieesJ

Pente du signal de sortie

Taux de rejection dO aux alimentations

Retard

a

la croissance

Temps de decroissance

Temps total de coupure

Temps total de croissance

Temps de reponse entre echantillonnage

Temps de rebondissement

Duree d'une impulsion

Temps de montee ou temps de reponse

Temps de v:,cillement

Retard

a

la decroissance

Temps de transition

a

la decroissance

Temps de transition

a

la croissance

Temperature ambiante

Case temperature Junction temperature

Operating temperature Storage temperature Voltage applied to automatic gain control stage

Base-emitter (D,C) voltage Collector-base iD.C) voltage, with IE= 0 and le specified

Supply volt~ge (s)

Collector-emitter (D.C) voltage, with 18 = 0 and le specified

Collector-emitter saturation voltage, with 18 and IC specified

Collector substrate-voltage Input offset voltage Emitter-base (D.C) voltage, with le= 0 and IE specified

Positive output level

Dynamic input voltage (Continuous) input voltage

Input offset voltage

Differential input voltage Input voltage range

Tease

Toper

VcEsat

Vcso

Temperature boitier Temperature de jonction Temperature de fonctionnement Temperature de stockage

Tension app/iquee

a

/'etage de commande automatique de gain

Tension (continue/ base-emetteur Tension (continue/ collecteur-base avec IE=

a

et le specifie

Tension d'alimentation (s)

Tension (continue/ collecteur-emetteur, avec I 8

= a

et I

c

specifie

Tension de saturation collecteur-0metteur, avec I 8 et IC specifies

Tension col/ecteur-substrat Tension de dticalage a /'entrfie

Tension (continue) emetteur-base, avec le= Oet !Especifie

Niveau de sortie positif

Tension d'entrfie dynamique

Tension (continue/ d'entree Tension de decalage

a

/'entree

Tension differentiel/e d'entree Tension d'entrtie limite

Negative output level Equivalent (input) noise voltage Output noise voltage AF output voltage (AF amplifier) Output voltage High level output voltage Low level output voltage Maximum range of output signal Maximum output voltage (peak to peak) Output voltage swing Reference voltage Gain control voltage Supply voltage Short-circuit input admittance b

=

common base e

=

common emitter

Short-circuit reverse transfer admittance b

=

common base

e

=

common emitter

Short-circuit forward transfer admittance b

=

common base

e = common emitter

Short-circuit output admittance b

=

common base e common emitter

Input impedance

*y .. , .. =g ...

+

jb ...

VL Yn VNO

VO

Vo VoH Vol VoM Yopp Vopp

vref Vreg (Vs)

Y11b"' Y11e

Y12b'"

Y12e

Niveau de sortie negatif

Tension equivalente de bruit (ramenee

a

l'entree}

Tension de bruit en sortie

Tension du signal de sortie BF (amplificateur BF}

Tension de sortie

Tension de sortie

a

/'etat haut Tension de sortie

a

l'etat bas Excursion maximale du signal de sortie Tension maximale de sortie (crete

a

crete}

Dynamique de sortie Tension de reference Tension de commande de gain Tension d'alimentation

Admittance d'entree, sortie en court-circuit b

=

en base commune

e

=

en emetteur commun

Admittance de transfert inverse, entree en court-circuit

b

=

en base commune e

=

en tJmetteur commun

Admittance de transfert direct, sortie en court-circuit

b

=

en base commune e = en emetteur commun

Admittance de sortie, entree en court-circuit b = en base commune

e

=

en 8metteur commun Impedance d'entree

I

Common mode input impedance

Differential input impedance

Output impedance

Differential output impedance

Input offset voltage temperature coefficient

Temperature coefficient Current temperature coefficient

Input offset current temperature coefficient

Voltage temperature coefficient

Reference voltage temperature coefficient

Duty cycle (of a pulse)

VIO

C,

110

"'V

ll

Impedance d'entree en mode commun

Impedance differentie/le d'entree

Impedance de sortie

Impedance differentielle de sortie

Coefficient do• temperature de la tension de decalage

a

l'entree

Coefficient de temperature

Coefficient de temperature du courant

Coefficient de temperature du courant de decalage

a

l'entree

Coefficient de temperature de la tension

Coefficient de temperature de la tension de reference

Facteur de forme (d'une impulsion)

Efficiency 11 Rendement

(Po= 11 Vee 1

ccl

Phase angle Phase angle of input admittance with output short-circuit

b common circuit e = common emitter

Phase angle of reverse transfer admittance with input short-circuit

b common base

=

common emitter

Angle de phase

Angle de phase de /'admittance d'entree, sortie en court-circuit

b = en base commune e = en emetteur commun

Angle de phase de /'admittance de transfert inverse, entree en court-circuit

b = en base commune e = en emetteur commun

Phase angle of forward transfer admittance with output short-circuit

b

=

common base e

=

common emitter

Phase angle of output admittance with input short-circuit

b

=

common base e

=

common emitter

Angular frequency

<l>Y22b

<l>Y22e

w

Angle de phase de /'admittance de transfert direct, entree en court-circuit

b

=

en base commune e

=

en emetteur commun

Angle de phase de /'admittance de sortie, entree en court-circuit

b

=

en base commune e

=

en emetteur commun Pulsation

I

Symbols

MOS integrated circuits

Clock input capacitance Drain-substrate capacitance Drain-case capacitance Drain-source capacitance Gate-substrate (input) capacitance Gate-drain capacitance Gate-output capacitance Gate-source capacitance Input capacitance Input-substrate capacitance Load capacitance Logic input capacitance Output-substrate capacitance Source-substrate capacitance Source-case capacitance

Reverse transfer capacitance Clock frequency Maximum clock frequency Drain current

V DD power supply current per package Quiescent device current

Output drive current, N channel Drain leakage current

CBI/>

Coe Coe Cos

CGB

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