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Chapitre I : Contexte général

I.5. Objectif de thèse

Comme nous l’avons mentionné précédemment, l’objectif de cette thèse est de maîtriser chacune des étapes du procédé de gravure grille décrites section I.4.1.1 afin de réaliser une grille de dimension sub-20 nm. Nous avons déjà mentionné au I.3.2.3 qu’un des facteurs impactant le contrôle dimensionnel est la formation de couches de passivation sur le motif gravé et surtout sur le masque utilisé. C’est pourquoi nous avons mis au point un protocole expérimental utilisant des analyses XPS et décrit au chapitre III afin de caractériser les couches de passivation se formant sur le masque durant les différentes étapes du procédé grille. Ces analyses XPS nous ont permis d’expliquer certains mécanismes de gravure mis en jeu lors de procédés de réduction de cote résine utilisant des chimies HBr/O2 ou Cl2/O2. Ces procédés ont fait l’objet d’une étude approfondie dans le chapitre IV regroupant des études de contrôle dimensionnel, des analyses XPS et de la spectrométrie de masse. Ce même protocole expérimental nous a également permis de comprendre comment le masque est modifié lors de son exposition à des plasmas de gravure. Pour chaque étape du procédé de gravure grille (ouverture BARC, ouverture du masque dur, et gravure de la grille) une étude de contrôle dimensionnel a été corrélée à des analyses XPS utilisant le protocole du chapitre III afin de comprendre l’impact des modifications du masque sur le profil de gravure et le contrôle dimensionnel (cf. chapitre V, section V.I).

Un autre facteur qui peut impacter le contrôle dimensionnel et étudié dans ce travail de thèse sont les couches qui se forment sur les parois du réacteur. Un deuxième protocole expérimental basé sur des analyses XPS et décrit au chapitre III, section III.2. nous a permis d’étudier la nature chimique des couches qui se déposent sur les parois du réacteur lors des différents procédés de gravure (cf. chapitre V, section V.2). Ainsi, nous avons pu caractériser l’impact du procédé de gravure sur les parois du réacteur. Selon la nature chimique de la couche déposée sur les parois, un procédé de gravure de nettoyage peut être mis au point entre chaque étape de gravure afin de travailler avec des parois toujours propres.

Ce même protocole expérimental nous a également permis de comprendre comment le masque est modifié lors de son exposition à des plasmas de gravure. Pour chaque étape du procédé de gravure grille (ouverture BARC, ouverture du masque dur, et gravure de la grille) une étude de contrôle dimensionnel a été corrélée à des analyses XPS utilisant le protocole du chapitre III afin de comprendre l’impact des modifications du masque sur le profil de gravure et le contrôle dimensionnel (cf. chapitre V, section V.I).

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BIBLIOGRAPHIE DU CHAPITRE I

1 S.M. Sze,

Physics of Semiconductor Devices,

2nd ed, John Wiley & Sons (New-York), (1981)

2 T. Skotnicki,

“Transistor MOS et sa technologie de fabrication”,

Technique de l’ingénieur, E 2 430

3 R.A. Gottsho, C.W. Jurgensen, et D.T. Vitkavage,

“Microscopic uniformity in plasma etching”,

J. Vac. Sci. Technol. B10, 2133 (1992).

4 E.S.G. Shaqfeh et C.W. Jurgensen,

“Simulation of reactive ion etching pattern transfer” , J. Appl. Phys. 66, 4664 (1989).

5 C. Hedlund, H.-O. Blom and S. Berg,

“Microloading effect in reactive ion etching” J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1962 (1994).

6 S. C. McNevin, K. V. Guinn, and J. Ashley Taylor,

“Chemical challenge of sub-micron oxide etching”

J. Vac. Sci. Technol. B 15, 214 (1997).

7 Gabriel I. Font, Iain D. Boyd, and J. Balakrishnan,

“Effects of wall recombination on the etch rate and plasma composition of an etch reactor”

J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2057, (1998).

8 James A. O’Neill and Jyothi Singh,

”Role of the chamber wall in low-pressure high-density etching plasmas”

J. Appl. Phys. 77, 497, (1995).

9 J. W. Coburn et H. F. Winters,

Ion-and electron-assisted gas phase surface chemistry. An important effect in plasma etching”,

J. Appl. Phys., Vol. 50, pp. 3189-3196 (1979).

10 J. W. Coburn et H. F. Winters,

“Plasma etching-A discussion of mechanisms”, J. Vac. Sci. Technol. 16, 391 (1979).

11 H. F. Winters, J. W. Coburn, and T. J. Chuang

“Surface processes in plasma-assisted etching environments”,

J. Vac. Sci. Technol. B 1, 469 (1983).

12 D. L. Flamm, V. M. Donnelly and J. A. Mucha,

“The Reaction of Fluorine Atoms with Silicon”,

C

HAPITRE

I :C

ONTEXTE GENERAL

13 D. L. Flamm,

“Mecanisms of Silicon Etching in Fluorine and Chlorine-Containing Plasmas”,

Pure and Appl. Chem., Vol. 62, p. 1709 (1990).

14 J. M. E. Harper,

“Ion Beam Etching”, in D. M. Manos and D. L. Flamm (eds.), “Plasma Etching - An Introduction”,

Academic Press, San Diego, pp. 391-423 (1989).

15 P. Sigmund,

“Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets”,

Phys. Rev., Vol. 184, pp. 383-416 (1969).

16 N. Matsunami, Y. Yamamura, Y. Itikawa, et H. Tawara, «

“Energy dependence of the ion-induced sputtering yields of monotomic solids”,

At. Data Nucl. Data Tables 31, 1 (1984).

17 Christophe Steinbrüchel,

“Universal energy dependence of physical and ion-enhanced chemical etch yields at low ion energy”,

Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989)

18 G. C. Schwartz, L. B. Zielinski and T. Schopen,

“Reactive ion etching”, in M. J. Rand and H. J. Hugues (eds), «Etching»,

Electrochem. Soc. Symp. Series, Electrochem. Soc., Princeton, N. J. , pp. 122-132 (1976).

19 H. Hagstrom,

“Theory of Auger Neutralization of Ions at the Surface of a Diamond-Type Semiconductor”,

Phys. Rev., Vol. 122, pp. 83-113 (1961).

20 S. Fang, C. Chiang, D. Fraser, B. Lee, P. Keswick, M. Chang, and K. Fung,

“The role of polymer deposited in differential dielectric etch”

J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1092 (1996)

21 M. J. Sowa, M. E. Littau, V. Pohray, and J. L. Cecchia),

“Fluorocarbon polymer deposition kinetics in a low-pressure, high-density, inductively coupled plasma reactor”,

J. Vac. Sci. Technol.A18, 2122, (2000).

22 T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton,

“Role of fluorocarbon film formation in the etching of silicon, silicon dioxide, silicon nitride, and amorphous hydrogenated silicon carbide”,

J. Vac. Sci. Technol. A 22, 53 (2004).

23 K.V. Guinn, C.C. Cheng and V.M. Donnelly,

“Quantitative chemical topography of polycrystalline Si anisotropically etched in

Cl2/O2 high density plasmas”

C

HAPITRE

I :C

ONTEXTE GENERAL

24 F.H. Bell et O. Joubert,

“Polysilicon gate etching in high density plasmas. V. Comparison between quantitative chemical analysis of photoresist and oxide masked polysilicon gates etched in HBr/Cl2/O2 plasmas”,

J. Vac. Sci. Technol.B15,88,(1997).

25 L.Desvoisvres, L.Vallier and O. Joubert,

“X-ray photoelectron spectroscopy investigation of sidewall passivation films formed during gate etch processes”

J.Vac.Sci.Technol. B 19, 420, (2001).

26 S. Hamaguchi and M. Dalvie,

“Microprofile simulations for plasma etching with surface passivation”,

J.Vac.Sci.Technol. A 12, 2745, (1994).

27 G.S. Oehrlein, J.F. Rembetski and E.H. Payne,

“Study of sidewall passivation and microscopic silicon roughness phenomena in chlorine-based reactive ion etching of silicon trenches”,

J.Vac.Sci.Technol. B 8, 1199, (1990).

28 J.C. Arnold, H.H. Sawin, M. Dalvie, and S. Hamaguchi,

“Simulation of surface topography evolution during plasma etching by the method of characteristics”,

J. Vac. Sci. Technol. A 12, 620 (1994).

29 X Detter, R. Palla, E. Pargon, G. Cunge, O. Joubert, and L. Vallier,

“Impact of chemistry on profile control of resist masked silicon gates etched in high density halogen-based plasmas”,

J. Vac. Sci. Technol. B21, 2174, (2003).

30 T. M. Mayer, R. A. Barker and L. J. Whitman,

“Investigation of plasma etching mechanisms of reactive gas ions”,

J. Vac. Sci. Technol., Vol. 18, pp. 349-352 (1981).

31 D. Dane and T. D. Mantei,

“Parametric modeling and measurement of silicon etching in high density chlorine plasma”,

Appl. Phys. Lett., Vol. 65, pp. 478-480 (1994).

32 S. Tachi and S. Okudaira,

“Chemical sputtering of silicon by F+, Cl+, and Br+ ions: reactive spot model for reactive ion etching”,

J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 4, pp. 459-467 (1986).

33 E. Zawaideh and N. S. Kim,

“A plasma etching model based on a generalized transport approach”,

C

HAPITRE

I :C

ONTEXTE GENERAL

34 L. Vallier, L. Desvoivres, M. Bonvalot, and O. Joubert,

“Thin gate oxide behavior during plasma patterning of silicon gates”

Appl. Phys. Lett.75, 1069, (1999).

35 Sorin Cristoloveanu etFrancis Balestra,

« Technologie silicium sur isolant, SOI »,

Technique de l’ingénieur, E 2 380.

36 « IBM Microelectronics Gallery: Silicon-on-Insulator (SOI) Chip ». IBM.

http://www-3.ibm.com/chips/gallery/soichip.html.

37 Jung-Hoon Rhew, Zhibin Ren, et Mark S. Lundstrom.

“A numerical study of ballistic transport in a nanoscale MOSFET”

Solid-State Electron., 46(11):1899–1906, (2002).

38 M. Mouis et A. Poncet.

« Coupling between 2D and quantum confinement effects in Ultra-Short Channel Double-Gate MOSFETs ».

ESSDERC’2001,pages 211–214, Nuremberg (Allemagne), septembre (2001).

39 F. Demarthon,

« Le jour où le photon détrônera l’électron », Les défis du CEA n°91, p15, Mai-Juin( 2002)

40 “Photonics crystal”

http://www.lps.u-psud.fr/Collectif/gr_05/crystphoto.htm

41 F. Dupuy-Maury,

“L’électronique moléculaire prépare la relève”,

Les défis du CEA n°91, p10, Mai-Juin (2002).

42 Arieh Aviram et Mark A. Ratner.

“Molecular rectifiers”.

Chem. Phys. Lett., 29(2):277–283, (1974).

43 S. Lenfant, C. Krzeminski, C. Delerue, G. Allan, et D. Vuillaume,

« Molecular Rectifying Diodes from Self- Assembly on Silicon ».

Nano Lett., 3 (6):741–746, (2003).

44 C. Joachim.

“Bonding more atoms together for a single atom computer”.

Nanotechnology,13:R1–R7, (2002).

45 C. Joachim, J. K. Gimzewski, et A. Aviram,

« Electronics using hybridmolecularand mono-molecular devices”.

C

HAPITRE

I :C

ONTEXTE GENERAL

46 M. A. Reed, J. Chen, A. M. Rawlett, D.W. Price, et J. M. Tour,

“Molecular random access memory cell”.

Appl. Phys. Lett., 78 (23):3735–3737, (2001).

47 V. Derycke, R.Martel, J. AppenzellerPPENZELLER, et Ph. Avouris,

“Carbon NanotubeInter- and Intramolecular Logic Gates”.

Nano Lett., 1(9):453–456, (2001).

48 T. Rueckes, K. Kim, E. Joselevich, G. Y. Tseng, C.-L. Cheung, et C. M. Lieber,

“Carbon Nanotube-Based Nonvolatile RandomAccess Memory for Molecular Computing”.

Science, 289(5476):94–97,juillet (2000).

49 « IBM research ». IBM.

http://www.research.ibm.com/.

50 H. Grabert, M.H. Devoret,

« Single Charge Tunneling »,

Nato ASI Series B: Physic volume 294

51 C.J. Gorter,

“A possible explanation of the increase of the electrical resistance of thin metal films at low temperatures and small field strengths”

Physica 17, 777, (1951)

52 J. Sée , P. Dollfus, S. Galdin et P. Hesto,

“Simple one dimensional model for electronic structure calculation of unbiased and biased silicon quantum dots in Coulomb blockade applications”.

J. App. Phys., 94(8):5053–5063, (2003).

53 F. Mazen,

« Etude de la nucléation et de la croissance de nano-cristaux de silicium par dépôt chimique en phase vapeur »,

Thèse de doctorat de l’institut national des sciences appliquées de Lyon, (2003).

54 T. Baron, F. Martin, P. Mur, C. Wyon, M. Dupuy,

“Silicon quantum dot nucleation on Si3N4, SiO2 and SiOxNy substrates for

nanoelectronic devices”,

C

HAPITRE

II :D

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