Mécanisme de décharge dans le gaz en présence d’un isolant solide d’interface

Une décharge couronne dans un gaz en présence d’un matériau diélectrique isolant d’interface est plus complexe [136] [137]. Cette complexité peut en partie être attribuée à l'accentuation du phénomène de photo-ionisation provenant du bombardement de la surface par les ions, électrons et photons [137]. Un autre phénomène qui peut davantage influencer les conditions de décharge couronne en présence d’un solide diélectrique est l'accumulation de charges à sa surface [138].

a) Accumulation de charges surfaciques et champ électrique

Les mécanismes impliqués dans les décharges surfaciques en présence d’un gaz et jusqu’au contournement de la surface isolée, sont largement affectés par les charges accumulées à la surface de l’isolant [136] [137]. Les charges électriques (électrons, ions positifs et négatifs) accumulées à la surface d'un diélectrique placé le long de l'axe des électrodes sont dites extrinsèques ou intrinsèques en fonction de leur origine.

 Charges intrinsèques : elles sont produites initialement à l'intérieur du diélectrique [141], par conduction [140], par dissociation [137] ou par ionisation naturelle [142].

 Charges extrinsèques : elles sont générées par (1) injection à partir des électrodes [140], (2) le contact entre la surface libre du diélectrique et un plasma gazeux [137] [139], (3) des décharges partielles [143] [144] ou des émissions par effet de champ à partir de la surface des électrodes [145], (4) des

décharges partielles pouvant se produire à l'interface entre le diélectrique et les électrodes [146]. Ou elles peuvent provenir d’un courant de fuite en surface [147] [148].

La figure 2.17 nous montre un schéma d’une interface gaz/solide appliquée à un champ électrique. E_o et E_i sont les composantes vecteurs champs dans le gaz et dans le solide diélectrique.

Figure 2.17 Interface solide/gaz dans un champ électrique.

En appliquant des équations de continuité et de déplacement [122], on peut écrire :

(2.37)

où E_n,o et E_n,i représentent respectivement les composantes normales des vecteurs champs Eo et Ei dans le gaz vaut et dans le solide diélectrique, et représentent respectivement les permittivités du gaz et du solide, représentent respectivement la conductivité en volume de gaz et dans le solide, représente la conductivité en surface du solide.

A l’équilibre, soit lorsque

ne varie plus, il s’en suit :

(2.38)

Sachant que : , alors que

, les charges surfaciques seront générées aussi longtemps que .

Les porteurs de charges après avoir été générés et transportés, et s’être accumulés à la surface de l’isolant solide, modifient la distribution du champ électrique initial [139][142]

dans l’espace inter-électrode [149], et donc vont avoir un impact sur l’apparition des décharges. L’accumulation de charges à la surface du diélectrique peut avoir comme

conséquence la distorsion du champ électrique entre les électrodes, cette distorsion du champ est due au fait que la permittivité du solide diélectrique est relativement élevée par rapport à celle du gaz [150].

b) Initiation et propagation des décharges en présence d’un diélectrique solide

L’initiation et la propagation des décharges en présence d’une surface diélectrique, pour le cas de l’azote, sont caractérisées par les coefficients d’attachement et d’ionisation [124]. Or la présence de la surface diélectrique peut modifier les coefficients d’ionisation et d’attachement de l’azote. Cela se produit de quatre façons selon la théorie proposée par Allen et al. [136], comme montré par la figure 2.18.

Figure 2.18 Processus fondamentaux contribuant aux phénomènes d’ionisation et d’attachement dans la propagation d’un streamer (décharge) à travers une surface diélectrique.

Les mécanismes observés dans la figure sont :

1 : ion positif capturé par les forces électrostatiques, 2 : électron capturé à travers les pièges surfaciques, 3 : polarisation de l’isolant solide

4 : extraction d’un photoélectron contribuant aux ionisations collisionnelles Par les mécanismes présentés dans la figure 2.18, on peut s’attendre à ce que les propriétés de la décharge couronne, notamment ses paramètres d'initiation, sa propagation et son aspect physique en surface du diélectrique, soient contrôlées par des coefficients d’ionisation et d’attachement. De plus, selon les expériences décrites dans la littérature, les paramètres géométriques des diélectriques (épaisseur, longueur), les paramètres de conductivité et permittivité du matériau isolant influencent le développement de décharge en surface.

2.2.3 Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons d’abord présenté la méthode et les étapes pour la simulation du comportement électrique sous polarisation inverse d’un composant de puissance en SiC-4H, à l’aide de l’outil de simulation Sentaurus, classiquement utilisé pour la C.A.O. de dispositifs à semi-conducteur. Par la résolution de l’équation de Poisson dans la structure complète [SiC / isolants], et la résolution des équations de continuité du courant des électrons et des trous uniquement dans la région SiC, la simulation permet la prédiction de la tension maximale à l’état bloqué, liée au claquage par avalanche dans SiC (notée VBR-SiC), grâce à la prise en compte du mécanisme d’ionisation par impact du cristal. Cet outil ne permet pas en revanche la prédiction d’une tenue en tension du composant qui résulterait de la rupture d’un des matériaux isolants en surface (passivation et milieu environnant solide ou gazeux). En l’absence de modélisation, l’étude expérimentale est donc nécessaire pour connaître l’impact des paramètres liés aux matériaux isolants sur la tension de rupture de l’ensemble du componsant à l’aide de structures dédiées.

En vue de l’interprétation de nos résultats expérimentaux, nous avons également rappelé les différents mécanismes de claquage liés aux matériaux isolants solides, et les processus fondamentaux contribuant aux phénomènes d’ionisation et d’attachement dans l’initiation et la propagation d’un streamer (décharge couronne) dans l’intervalle inter-électrode et à travers une surface diélectrique aux interfaces gaz/solide. Cette présentation a mis en évidence que ces mécanismes dépendent de nombreux facteurs (intrinsèques et extrinsèques, y compris les conditions de mesure), rendant leur modélisation et leur prise en compte dans le calcul de la tension de rupture dans un composant à semi-conducteur très complexe.

Par la résolution avec Sentaurus de l’équation de Poisson dans toutes les régions du composant, jusqu’à la tension de rupture par avalanche dans le semi-conducteur, nous pourrons quantifier par simulation les différentes contraintes en champ électrique dans les différents matériaux, et aider à l’analyse de l’expérience par la suite. L’influence des paramètres des isolants tels que l’épaisseur et la permittivité de la passivation secondaire, la permittivité de l’encapsulation, les charges, sera évaluée dans le cas particulier de diodes bipolaires protégées par JTE simple. Cette étude par simulation est présentée au chapitre 3 suivant.

CONCEPTION DE LA STRUCTURE D’ETUDE EXPERIMENTALE

CHAPITRE 3 - Etude par simulation de la