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vitesse des transistors. La Figure 80 présente ces différents types de rugosité.  

LER = 3σ

Variation du

bord des lignes

LWR = 3σ

Variation de la

largeur des lignes

Periode

CD

 

Figure 80. Présentation des différents types de rugosité. Il faut distinguer deux types de rugosité  dont  les  conséquences  sur  les  propriétés  électriques  des  transistors  sont  très  différentes.  La  variation  de  la  largeur  des  lignes  (LWR)  à  des  conséquences  beaucoup  plus  importantes  sur  la  vitesse des transistors 

Il  est  donc  important  de  pouvoir,  si  cela  est  possible  séparer  ces  deux  types  de  rugosités. Partant du principe que toutes les rugosités peuvent se décomposer en une somme  de rugosités périodiques, nous allons travailler sur des variations périodiques contrôlées des  flancs  des  réseaux.  Cette  approche  a  déjà  été  utilisée  pour  des  études  similaires  [91].  Nous  avons  travaillé  avec  des  réseaux  de  résine  sur  silicium  réalisés  par  E‐Beam.  Cet  instrument  nous  permet  en  effet  de  réaliser  des  réseaux  à  rugosité  périodique  contrôlée.  Les  travaux  réalisés à ce sujet ont été présentés lors d’une conférence SPIE [92]. 

4.4.2 Présentation des réseaux à rugosité contrôlée 

Pour simuler la rugosité nous avons travaillé avec des réseaux dont les flancs ont été  modulés  périodiquement.  Les  réseaux  sont  définis  comme  le  montre  la  Figure  81,  Les  caractéristiques  des  réseaux  sont  choisies  de  telles  sortes  que  les  mesures  puissent  se  faire  dans les meilleures conditions.  

    4 – Résultats obtenus sur les réseaux 

PHA A/P

DEP A/P

UNI A/P

CD = 125 nm CD = 125 nm CD = 125 nm CDligne= 125 nm Pitch = 500 nm Taille mire : 300 µm x 300 µm

A= [10,25,50] et P= [50,100,250,500,1000]

A

P

 

Figure 81. Présentation  des  différents  réseaux  utilisés  lors  des  expérimentations.  A  est  l’amplitude  des  rugosités,  P  est  la  période  des  rugosités.  3  types  de  réseaux  sont  utilisés,  des  réseaux  présentant  deux  modulations  qui  peuvent  être  soit  en  phase  (PHA)  soit  déphasé  (DEP)  ainsi  que  des  réseaux  avec  une  seule  modulation  (UNI).  Les  lignes  ont  une  largeur  nominale  de  125 nm pour 500 nm de période (pitch). Les mires font 300 par 300 μm. 

Les réseaux ont été réalisés grâce à la collaboration entre le CEA, STMicroelectronics  et ELDIM pour le compte d’un projet européen. Ils ont été réalisés par lithographie E‐Beam,  la Figure 82 montre les photos prises au MEB des structures.  

PHASE

AMPL 25nm-FRQ 250nm AMPL 25nm-FRQ 250nmDEPHASE

COTE AMPL 25nm-FRQ 250nm

 

Figure 82. Photographie  MEB  des  différents  types  de  réseaux  réalisés.  Les  réseaux  ont  une  période  de  500  nm,  pour  125  nm  de  large.  Les  rugosités  ont  une  période  de  250  nm  pour  une  amplitude de 25 nm.  

Les  réseaux  ont  ensuite  été  caractérisés  à  l’AFM  3D  Veeco  par  Johann  Foucher  (Cf.  Etat de l’art 1.3.2). Le résultat des mesures est résumé sur le graphique de la Figure 83. Pour  chaque réseau nous avons tracé le point représentatif de l’amplitude de la rugosité de flanc et  de largeur de ligne. Sur la Figure 83, nous avons séparé les deux types de variation mesurées,  les variation des flancs et la variation du CD. L’amplitude de la rugosité mesurée et un peu  supérieure à celle visée. 

0 20 40 60 80 100 120 140 0 10 20 30 40 50 60 70 80

Amplitude de la rugosité - LER (nm)

Variation de l a large u r d e lignes - LWR (nm) DEP PHA UNI   Figure 83. Graphique représentant pour chaque réseau, l’amplitude de la rugosité latérale et de la  variation du CD. Chaque point représente un réseau dont les caractéristiques ont été mesurées à  l’AFM. 

4.4.3 Etude des ordres de diffraction de la rugosité 

L’étude  des  réseaux  présentant  une  modulation  latérale  est  un  problème  de  réseau  bipériodique  plus  qu’un  problème  de  rugosité  mais  cette  étude  nous  permet  de  faire  des  conclusions intéressantes sur le comportement des réseaux décalés. Pour étudier ces réseaux  nous  avons  utilisé  deux  types  de  masques :  le  masque  définissant  des  angles  polaires  variables (

ϕ

=0) et le masque définissant des angles azimutaux variables (θ=70°). Cette étude  ne peut se faire que si il existe des  ordres de diffraction de  la rugosité,  c’est pourquoi nous  avons mené l’étude sur  la rugosité  de 1 μm de période. L’hypothèse sous‐jacente est que si  nous  comprenons  les  effets  de  la  rugosité  sur  les  ordres  diffractés  nous  pourrons  avoir  des  pistes  sur  son  comportement  pour  la  lumière  diffusée.  Nous  utiliserons  le  calcul  de  la  position  des  ordres  de  diffraction  pour  traiter  séparément  les  ordres  et  ainsi  cibler  notre  étude.  Chaque  ordre  est  caractérisé  par  le  couple  (n,m)  avec  n,  l’ordre  de  diffraction  du  réseau et m l’ordre de diffraction de la rugosité. Cette étude réalisée avec la collaboration de  Yohann Desières est une étude qualitative  

4.4.3.1 Etude de la diffraction pour un azimut variable 

Nous avons pu observer que la configuration dite « en phi » était intéressante pour sa  sensibilité lors de l’étude d’un réseau de 500 nm de période. Nous verrons dans le prochain  chapitre  que  cette  configuration  est  aussi  sensible  à  la  symétrie  des  motifs.  Cette  configuration nous a donc semblée intéressante pour cette étude. La figure suivante présente  le masque ainsi que le calcul de la position des ordres de diffraction. 

    4 – Résultats obtenus sur les réseaux 

Incidence Fixe 70°

Azimut Variable Ordre -1,0 Ordre 0,-1 Ordre 0,0 Ordre -1,-1

 

Figure 84. Configuration  du  masque  par  rapport au  réseau et position  des ordres de  diffraction  calculée avec l’utilisation du masque. 

Nous allons nous intéresser au résultat de l’éclairage d’un tel masque sur la rugosité.  Les ordres diffractés de la rugosité sont faibles en intensité, c’est pourquoi nous avons saturé  les  mesures  pour  dégager  ces  ordres  du  bruit  de  fond.  La  Figure  85  montre  les  cartes  obtenues. Nous y apercevons les ordres +1 et ‐1 de la diffraction de la rugosité. L’intérêt de  ces  cartes  est  d’observer  le  comportement  de  la  lumière  diffracté  lorsque  l’incidence  sur  le  réseau est parallèle aux lignes. 

Ordre de diffraction 0,-1

 

Figure 85. Mesure  des  échantillons  de  réseau  rugueux  déphasé  (DEP)  et  en  phase  (PHA).  Les  rugosités  ont  une  période  de  1  μm  et  une  amplitude  de  50  nm.  Nous  allons  nous  intéresser  à  l’intensité diffractée encadrée en vert.  

Pour chaque amplitude de rugosité et pour chaque type de réseau nous avons intégré  l’intensité  diffractée  dans  le  rectangle  vert.  Le  résultat  de  ces  mesures  se  trouve  sur  le  graphique  de  la  Figure  86.  Il  semble  que  la  lumière  diffractée  ne  dépende  pas  alors  du  déphasage  entre  les  rugosités  des  flancs.  Lorsque  les  deux  cotés  sont  rugueux,  l’intensité  diffractée est deux fois plus importante que si un seul coté est rugueux. Cela laisse supposer  que malgré une distance de seulement 125 nm entre les rugosités d’une même ligne, elles se  comportent indépendamment l’une de l’autre. 

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