Influence de la masse moléculaire sur la dose optimale

n m ) Épaisseur initiale du film de résine

0

20

40

60

80

100

120

0 50 100 150

Figure III. 17 : Réponse de la résine contenant le polymère hyperbranché (Mn = 13200 g/mole) selon la dose incidente.

Pour le critère de photosensibilité, cette résine à base de terpolymère présente donc des performances équivalentes aux polymères linéaires. En outre, la résolution et les valeurs de LER obtenues démontrent que cette résine peut être un excellent candidat pour la prochaine génération des résines à amplification chimique en lithographie à 193 nm.

V.2.2 Influence de la masse moléculaire sur la dose optimale

La réactivité de plusieurs résines à base de polymères hyperbranchés de différentes masses moléculaires a également été étudiée pour évaluer les propriétés de ces nouvelles résines. La Figure III. 18 montre l’influence de la masse moléculaire des différents polymères hyperbranchés sur la dose nécessaire pour structurer le film de résine déposé sur le substrat. Les barres d’erreur symbolisent la gamme de dose pour laquelle les motifs ont été obtenus. Le point désigne la dose optimale.

0 50 100 150 200 250 300 10000 10500 11000 11500 12000 12500 13000 13500 14000 Mn (g/mol) D o se ( m J /c m ²) 0 50 100 150 200 250 300 10000 10500 11000 11500 12000 12500 13000 13500 14000 Mn (g/mol) D o se ( m J /c m ²)

Figure III. 18 : Influence de la masse moléculaire des polymères hyperbranchés sur la dose nécessaire pour activer la résine.

En raison de limites dues à la synthèse, la gamme de Mn a été relativement faible, mais elle correspond aux poids moléculaires les plus intéressants (faible masse moléculaire). Compte tenu de la Tg de ces polymères (Tableau III.1), les mêmes conditions de recuit que pour les polymères linéaires (TPEB = TPAB = 115 ˚C) ont été utilisées. Pour tous ces échantillons, la hauteur maximale des nanostructures obtenue correspond à l'épaisseur initiale du film, ce qui démontre que toutes les résines à base de polymères hyperbranchés peuvent être complètement structurées.

Toutes les résines présentaient une photosensibilité dans le même ordre de grandeur. En particulier, aucun effet de la densité de branchement ou de la proportion relative du monomère n’a pu être détecté.

Les propriétés photolithographiques de ces résines répondent aux nouvelles exigences des applications pratiques, en termes de photosensibilité, de résolution et LER.

VI. LER/LWR

L’analyse de motifs a été effectuée par deux techniques : la microscopie électronique basse tension SEM (cross-section) et la microscopie à force atomique en 3D (AFM3D) pour mesurer directement la rugosité LER/LWR, au CEA/LETI, à Grenoble.

Les résultats correspondant à la résine commerciale de référence et aux formulations de la résine photosensible préparées à partir du polymère linéaire et du polymère hyperbranché sont représentés dans la

Figure III. 19.

La résine commerciale de référence présente la plus faible sensibilité des trois résines. Dans les conditions utilisées, il a été difficile d’obtenir des motifs corrects comme le montre la Figure III. 19.g. La LER évaluée sur cet échantillon est de l’ordre de 7 nm, ce qui correspond aux valeurs admises actuellement.

Dans le cas du polymère linéaire modèle, la sensibilité est dix fois meilleure et la valeur de la LER a été trouvée du même ordre de grandeur que la résine de référence proposée par le partenaire industriel. Ce résultat valide donc la préparation de la résine « maison » qui présente des performances comparables en termes de LER. En absence de connaissance de tous les composants de cette résine, il est toutefois délicat de tirer des conclusions sur la relativement faible sensibilité mesurée.

Les résultats les plus intéressants concernent la résine hyperbranchée. On vérifie les bonnes performances de cette résine sur la Figure III. 19.c et f. Les valeurs trouvées de LER sont à nouveau du même ordre de grandeur. Ces résultats sont extrêmement encourageants, l’optimisation des paramètres d’utilisation de la résine hyperbranchée étant beaucoup moins avancée que pour les autres structures.

Résine commerciale Résine à base de polymère Résine à base de polymère (100 mJ/cm²) linéaire (9,5 mJ/cm²) hyperbranché (1,5 mJ/cm²)

Analyse d’images par CD-MEB

LER 3ı : 6 nm LER 3ı : 7 nm LER 3ı : ~ 6 nm LWR 3ı : ~11 nm LWR 3ı : ~11 nm LWR 3ı : ~10 nm

Technique AFM CD

LWR 1ı : ~3,9 nm LWR 1ı : ~4,5-6,4 nm LWR 1ı : ~6,1-6,4 nm Figure III. 19 : a) b) c) Images topographiques mesurées par AFM 3D, d) e) f) profils mesurés par AFM 3D, images MEB (cross section) pour la résine de référence (g), du polymère linéaire (h) et du polymère hyperbranché (i).

VII. Conclusion

Les enjeux autour de la mise au point de photorésists pour la photolithographie 193 nm restent très importants. En effet, même si cette technologie est vouée à être remplacée par la photolithographie EUV ou e-beam pour répondre aux besoins futurs de miniaturisation, cela reste la technologie la plus couramment utilisée dans l’industrie de la microélectronique aujourd’hui et le recours à des procédés d’immersion et de double patterning a prolongé l’intérêt de la photolithographie 193 nm.

Ce travail a ainsi permis de valider une nouvelle architecture de résine et d’avancer dans la compréhension de l’impact des paramètres liés à la nature du polymère sur les propriétés de la résine, en termes de performances photolithographiques (sensibilité, latitude d’exposition, LER, LWR).

Afin de pouvoir être utilisée dans le cadre industriel, il reste des critères à évaluer, en aval de l’étape de photolithographie : un point non-abordé ici concerne les problèmes de contamination, notamment à cause des résidus de catalyseur de polymérisation (dérivés de Cu). Un effort important a été mené pour atteindre des niveaux de contamination compatibles avec des utilisations en microélectronique. Il conviendra également de valider la tenue à la gravure de cette nouvelle architecture de résine, critère évidemment indispensable pour autoriser une utilisation pratique.

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