Fonctionnement des différents niveaux de formation

A análise das voltametrias nos substratos de Si(100) com diferentes recobrimentos e diferentes eletrólitos mostrou que o processo de eletrodeposição ocorre via deposição intercalada de bismuto e selênio. Em um dado intervalo de potencial elétrico a deposição de selênio é favorecida sobre o substrato de silício (Figura 9(b)). Uma vez que a superfície é recoberta por uma certa quantidade de camadas selênio, a energia de nucleação necessária para crescer selênio permanece constante, enquanto que energia de nucleação necessária para crescer uma camada de bismuto diminui, até ficar menor que a energia de nucleação de selênio, favorecendo o crescimento de bismuto sobre selênio. Este fato é observado pelo deslocamento do potencial de redução do bismuto para potenciais mais positivos sobre a superfície de selênio (Figura 9(c)). Este fenômeno poderia ser explicado em termos de energia de ligação entre selênio e bismuto, que é maior do que a energia de ligação entre Bi-Bi e Se-Se61. O aumento da energia de ligação gera uma redução da energia total dos adátomos e núcleos adsorvidos na superfície, que ficam mais estáveis. Uma vez que o substrato esteja recoberto com bismuto, o custo energético para a formação de uma nova camada de bismuto é maior que o necessário para crescer uma camada de selênio (Figura 9(d)), recobrindo portanto, majoritariamente com uma nova camada de selênio. Esta alternância entre a deposição de Bi e Se acaba gerando um sistema de deposição que pode ser denominado de camada por camada, onde os elementos são depositados formando o composto químico Bi2Se3. Técnicas de crescimento de filmes finos via

eletrodeposição intercalada de elementos vêm sendo utilizadas há cerca de 15 anos (ECALE)95, baseadas em reações de redução de subpotencial para compostos das famílias II-VI96, III-V97, III-VI98, IV-VI e V-VI99. Vale ressaltar que as reações mostradas neste trabalho são do tipo redução de sobrepotencial, que também vem sendo utilizadas para deposição intercalada de compostos V-VI como o Bi2Se3

30,64,100,101

. A utilização de potenciais dentro da janela de deposição intercalada, de -0,40 á -0,55 V (Figura 9(c e d)) mostrou a formação de filmes finos com estequiometria desejada de 60 at.% de Se e 40 at.% de Bi (Figura 11(b)). Para potenciais fora desta janela ocorrem desvios de estequiometria e também a separação de fases de selênio e bismuto (Figura 12). Todas as amostras, independentemente do potencial de deposição, apresentaram as duas regiões de crescimento, compacto até 500 nm e poroso acima disto. Para espessuras de até 500 nm obtidas com potenciais de -0,5 V formaram os filmes finos com o melhor

ordenamento cristalino da fase ortorrômbica observado neste trabalho (Figura 13), no entanto, a morfologia neste potencial é repleta de buracos (Figura 10). Para potenciais mais positivos, como -0,4 V os filmes finos têm morfologia compacta e fechada e apresentam um padrão de difração mais amorfisado, característico de materiais nanocristalinos 102. O gap de energia dos filmes finos de Bi2Se3 aumenta

com a redução do potencial elétrico de deposição, de 0,81 a 1,17 eV, fato que é atribuído a melhoria das propriedades cristalinas dos filmes finos, condição encontrada pela aplicação de potenciais mais negativos de deposição. Resultados similares foram encontrados em amostras de calcogenetos 91,92.

A taxa de crescimento das camadas obtida experimentalmente foi de 1,08 nm/mC (Figura 20) que é muito próxima da encontrada pelo cálculo da carga depositada de 1,11 nm/mC, indicando um processo de síntese eletroquímica com eficiência muito próxima de 100%. O crescimento dos filmes finos é 3D, com a formação de ilhas nos estágios iniciais e consequente coalescência em cerca de 200 nm. Entre espessuras de 200 nm a 500 nm os filmes finos crescem com estrutura colunar. A partir de 500 nm ocorre a formação de uma estrutura pouco compacta denominada tipo-flores (Figura 17), com grãos com tamanhos muito maiores (micrométricos) e mais cristalinos (ver a Figura 21). Ainda, os grãos obtidos no topo das amostras têm direção preferencial de crescimento ao longo dos planos (020). As análises de microscopia de transmissão confirmaram o caráter policristalino dos filmes finos de Bi2Se3 na fase ortorrômbica. Também confirmaram a existência de uma

camada compacta com cerca de 500 nm e uma segunda camada pouco porosa no topo. As propriedades cristalinas observadas com a técnica de HR-TEM são coerentes com os valores obtidos por XRD. Também foi encontrada uma camada fina (~3nm) de óxido de silício na interface entre Bi2Se3 e Si (Figura 22(d)). A difração de elétrons obtidas na base

(interface com o substrato) e da superfície (ponta) dos filmes finos mostram um aspecto difuso de linhas ao longo do eixo „c‟, que em geral é atribuído a defeitos gerados pelo pequeno deslocamento aleatório da posição de equilíbrio dos átomos ao longo do eixo „c‟94 (Figura 23). A comparação entre as duas regiões da amostra indica que as linhas difusas nas difrações de elétrons são mais largas próximas a interface com o silício (camada compacta), que na superfície do filme fino (camada porosa), que pode ser explicada pela variação da distância interplanar na direção do eixo „c‟ na camada compacta. O gap de energia nas amostras para espessuras abaixo e acima de 500 nm são de 0,81 e 1,25 eV (Figura 24), respectivamente. Sendo este aumento no gap de energia novamente

atribuído ao melhoramento das propriedades cristalinas das camadas depositadas. O aumento do gap de energia com a melhora das propriedades cristalinas já foi relatada para outros compostos 91,92.

Os compostos da família X2Y3 (com X = Sb e Bi e Y = S, Se e

Te) têm sido cogitados para diversas novas aplicações como células fotovoltaicas34,83, dispositivos termoelétricos73,74, fotocatálise80,84 e isolantes topológicos5,32. Os compostos Sb2Se3 e Bi2S3, que possuem

estrutura cristalina ortorrômbica (Pmnb) são fortemente cotados para aplicações em células solares sensibilizadas por corantes (DSSC34,103,104) e o composto Bi2Te3, que possui estrutura cristalina romboédrica (R-

3m), está sendo muito estudado devido as ótimas propriedades termoelétricas105. O único composto que pode ser encontrado em ambas as fases cristalinas é o Bi2Se3, que na fase hexagonal possui ótimas

propriedades termoelétricas, mas é mais reconhecido pelas propriedades isolantes topológicas. A fase ortorrômbica do Bi2Se3 é pouco conhecida,

fato este atribuído para a dificuldade de síntese. Complicando o emprego deste composto em aplicações futuras.

Para obter amostras de Bi2Se3 na fase hexagonal, as amostras

como-crescidas de Bi2Se3 na fase ortorrômbica foram submetidas a

tratamentos térmico. Altas temperaturas de tratamento térmico (> 300 °C) promovem a evaporação de selênio, restando apenas Bi nos filmes finos. A temperatura de 300 °C mostrou o melhor resultado, sendo obtidos filmes finos na fase hexagonal de Bi2Se3 e com o eixo basal da

célula unitária hexagonal fortemente alinhado com o eixo perpendicular ao plano do substrato. Isto é, com a direção de crescimento preferencial ao longo dos planos (003) ou (111) da célula unitária romboédrica. A recristalização para a fase hexagonal foi obtida em outros trabalhos 101. O tratamento térmico altera a morfologia dos filmes finos, proporcionando a sinterização dos grãos (Figura 25). Para temperaturas menores que 150 °C ao mesmo tempo que ocorre a recristalização do Bi2Se3 na fase hexagonal, os grãos restantes que permanecem na fase

ortorrômbica passam a apresentar uma melhoria em suas propriedades cristalinas (como visto na Figura 25(a)). Os parâmetros estruturais medidos com HR-TEM estão de acordo com os obtidos com XRD. As análises de HR-TEM também mostram certa relaxação dos parâmetros de rede próximo ao substrato, que ocorre devido ao descasamento dos parâmetros de rede do substrato e do Bi2Se3 na fase hexagonal. As

difrações de elétrons obtidas para as amostras tratadas termicamente confirmaram a existência da fase hexagonal bem como a direção de crescimento preferencial ao longo eixo basal. Independentemente do potencial elétrico de deposição as amostras de Bi2Se3 eletrodepositadas

são recristalizadas para a fase hexagonal ao serem submetidas a tratamentos térmicos em 300 °C. O efeito da atmosfera e do tempo de tratamento também foram estudados (não mostrados na tese). A utilização de ambiente de argônio ou vácuo não altera o efeito do tratamento térmico em baixas temperaturas (<300°C). A utilização de tempos muito longos, mesmo para baixas temperaturas, propicia a evaporação de selênio e, consequentemente, a alteração da razão estequiométrica desejada.