Etude DOP de l’effet de la gravure ICP sur une structure VCSEL

Nous avons suivi la même démarche pour la structure VCSEL 1. Dans ce cas, l’arrêt de la gravure s’est fait dans la partie supérieure du miroir de Bragg N pour garantir la verticalité au niveau des couches à oxyder. La profondeur mesurée au profilomètre dans ce cas est d’environ 2,8 µm. Le SiNx est toujours présent en surface. Les mesures de DOP ont été effectuées par la surface pour les motifs rectangulaires et circulaire mais aussi par la tranche pour la mesa rectangulaire de 50 µm de large.

Motifs rectangulaires par la surface (100)

La figure III.4-2 représente les cartographies de DOP, de PL et de ROP pour la mesa rectangulaire de 50 µm de large de la structure VCSEL 1.

Figure III.4-2 : Cartographie du signal DOP (haut gauche), PL (haut droite) et ROP (bas gauche) par la surface (100) de la structure VCSEL 1 d’une mesa rectangulaire gravée de 50 µm de large.

L’observation nous montre tout d’abord que l’intensité de PL est plus forte au sein de la mesa puis décroit fortement dans les zones gravées. Ceci s’explique par le fait que le faisceau laser est partiellement défocalisé (profondeur gravée 2,8 µm de l’ordre de la profondeur de champ) mais aussi que l’on a de la recombinaison de surface non-radiative du fait de l’endommagement de la surface par la gravure. Les signaux de DOP et ROP dans ces zones sont donc beaucoup plus bruités. Nous remarquons ensuite la présence de DOP au sein de la structure qui décrôit à partir des bords de la mesa. La cartographie de ROP quant à elle nous indique que la déformation de cisaillement est concentrée au niveau des coins et des flancs gravés. Comme précédemment, pour avoir une vision plus quantitative des effets induits, nous avons tracé les profils de DOP transverses aux mesas rectangulaires gravées pour plusieurs largeurs différentes. Une nouvelle fois, nous nous sommes assurés d’être suffisamment loin du flanc vertical (suivant z) pour ne pas être affectés par les effets de bords. Ces profils sont représentés sur la figure III.4-3.

Le graphique indique clairement que pour les largeurs inférieures à 100 µm, on observe du DOP résiduel au centre de la structure. Ce taux de DOP résiduel est d’autant plus élevé que la largeur de la mesa est faible. Typiquement, pour une largeur de 25 µm le DOP au centre est de 2,8 % contre 1 % pour une largeur de 50 µm. Cela indique qu’il y a un état de déformation anisotrope même dans les zones éloignées des bords. Ceci diffère des mesures effectuées sur substrat de GaAs où l’on observait que le DOP redescendait très rapidement à 0 au centre du ruban gravé de même largeur. Comme dans le cas d’un VCSEL, les couches du miroir de Bragg P sont légèrement contraintes dans le plan de croissance (déformation absolue d’environ 10^-3 si l’on considère le désaccord de maille entre l’Al0.12Ga0.88As et le GaAs), le fait de graver le matériau vient modifier cet état de contrainte initial. Si le motif gravé est anisotrope (ruban par exemple), il en résulte une relaxation des contraintes internes de manière anisotrope et qui va donc dépendre de la largeur du motif. Le DOP résiduel en centre est donc la conséquence de ce phénomène que l’on ne retrouve pas dans le cas de la gravure d’un substrat de GaAs non contraint initialement. Cette mesure de DOP sur un motif anisotrope comme une mesa rectangulaire est donc un bon indicateur pour évaluer l’effet de la gravure ICP dans une structure VCSEL (miroir de Bragg P).

De plus, comme pour les mesures sur substrat de GaAs, on retrouve les forts pics de DOP positifs et négatifs au niveau des flancs gravés. Comme vu précédemment, c’est plutôt la profondeur gravée qui va gouverner l’amplitude mesurée. Dans notre cas, la profondeur gravée étant équivalente pour toutes les largeurs, c’est ce qui explique que leur intensité ne semble pas dépendre de la largeur de la mesa rectangulaire.

Motif circulaire par la surface (100)

Nous avons effectué la même mesure de DOP sur une mesa circulaire de diamètre 25 µm pour la structure VCSEL 1. La figure III.4-4 représente les cartographies de DOP, de PL et de ROP associées avec le repère polaire considéré dans ce cas.

Figure III.4-4 : Cartographie du signal DOP (haut gauche), PL (haut droite) et ROP (bas gauche) par la surface (100) de la structure VCSEL 1 d’une mesa circulaire. Le repère polaire considéré est représenté en bas à droite.

Le DOP est très intense au niveau des bords puis décroît jusqu’à être nul au centre de la structure. Dans ce cas, comme le motif est isotrope, nous ne mesurons pas de déformation anisotrope au centre de la mesa circulaire. Nous mesurons également le champ de déformation induit dans les zones gravées même si le signal est plus bruité. Nous retrouvons la symétrie radiale observée dans le cas du motif de SiNx avant gravure du semi-conducteur. La figure III.4-5 représente les cartographies de DOP et ROP en définissant le centre du motif de diélectrique comme origine du repère et en divisant chaque valeur expérimentale de DOP par cos(2θ) et chaque valeur expérimentale de ROP par sin(2θ). Ces résultats confirment bien la distribution radiale de la déformation induite par la gravure sèche de la mesa circulaire.

Figure III.4-5 : Cartographies du signal DOP divisé par cos(2θ) (gauche) et ROP divisé par sin(2θ) (droite) par la surface (100) de la structure VCSEL 1 d’une mesa circulaire. Les lignes représentes les zones indéterminées où les fonctions

cosinus et sinus s’annulent.

Motif rectangulaire par la tranche (110)

Nous avons pu cliver le long de la direction transverse à la longueur de mesas rectangulaires dans le but d’effectuer une mesure de DOP par la tranche. Cette mesure n’est pas aisée car il faut être sûr que le clivage n’induise pas de défauts. La figure III.4-6 représente les cartographies de DOP, de PL et de ROP mesurées par la tranche (plan (110)) de la mesa rectangulaire de 50 µm de large. La cartographie de PL ne semble pas indiquer de défauts apparents (baisse soudaine de l’intensité) ce qui nous permet de valider notre clivage. Si l’on s’intéresse à l’intensité intégrée de PL au sein de la structure, on remarque qu’elle est plus importante dans les miroirs de Bragg P et N qu’au niveau de la zone active. Ceci vient confirmer les observations faites précédemment dans le cas des mesures effectuées par la tranche (110) sur la structure de référence (avant gravure). Ensuite, concernant la cartographie de DOP, les valeurs mesurées sont toujours très élevées dans la structure notamment au niveau de la zone active. Cependant après gravure du miroir de Bragg P, nous observons une variation du DOP au niveau des flancs gravés qui décroit vers l’intérieur du motif. Ce comportement est illustré sur la figure III.4-7 qui représente le profil de DOP le long de la mesa (section A-B) dans le miroir de Bragg P.

Figure III.4-6 : Cartographie du signal DOP (haut gauche), PL (haut droite) et ROP (bas gauche) par la tranche (110) de la structure VCSEL 1 d’une mesa rectangulaire de 50 µm de large.

Figure III.4-7 : Profil de DOP le long de la mesa (section A-B) au sein du miroir de Bragg P.

Cette évolution du signal de DOP est la signature de la relaxation des contraintes internes de manière anisotrope dans le miroir de Bragg P et vient donc confirmer les effets observés par la surface. De plus, on remarque au niveau des pieds de gravure, de fortes valeurs de DOP et de ROP accompagnées d’une augmentation de l’intensité de PL. Ceci traduit la présence de fortes contraintes concentrées à ce niveau. Les variations de DOP et ROP émergeant de ces zones nous indiquent que la déformation se propage le long de la structure et principalement vers le miroir de Bragg N.

Cette étude qualitative par la tranche permet ainsi de compléter et confirmer les effets observés au sein de la structure par la surface après gravure ICP.

III.5. Etude des contraintes induites par le procédé