4.1 Introduction
Dans ce chapitre nous présentons les performances de multicouches basées sur le système Al/SiC. Elles sont développées pour travailler dans la région spectrale entre 15 et 35 nm, en incidence normale. Dans cette gamme, de nombreuses multicouches sont étudiées telle Mo/Si (utilisé pour la mission STEREO par exemple) qui présente dans le domaine spectral 25-35 nm une réflectivité comprise entre 15% et 20% [20-22]. Le système Si/SiC a montré une réflectivité de 16,7% à 32,8 nm [23]. Le système Mg/SiC présente une réflectivité expérimentale de 42% à 30,4 nm [24].
L’étude des systèmes Al/SiC, Al/W/SiC et Al/Mo/SiC se déroule dans le cadre de l'ANR blanc ATTOMIX, un projet de caractérisation des multicouches développées pour réaliser les optiques de sources «attoseconde». Le projet a été accepté en 2007 avec l’institut d’Optique comme coordinateur et le LCPMR comme partenaire. L’intérêt des sources «attoseconde» est de permettre la mise en phase d’un spectre large d’harmoniques XUV avec une efficacité élevée. La génération d’impulsions ultra-brèves à l’échelle du temps attoseconde (10-18 s) ouvre le vaste champ d’exploration des phénomènes à dynamique ultra-rapide. Le projet propose d'utiliser l'interférométrie XUV pour avoir un accès direct aux constantes optiques des matériaux en miroirs multicouches. L'objectif de ce projet est donc de concevoir, réaliser et caractériser des miroirs de phase pour impulsions attosecondes, en s'appuyant sur des mesures fiables des indices des matériaux en couches minces et en combinant des analyses optiques et physico-chimiques des matériaux et de leurs interfaces. Le but de l'étude des matériaux est d'améliorer leurs valeurs de réflectivité dans la gamme EUV.
Notre équipe a déjà développé une méthodologie non destructive pour caractériser les miroirs multicouches périodiques [7]. J’ai été chargée d’appliquer cette méthodologie alliant réflectométrie XRR et EUV et XES aux systèmes Al/SiC, Al/W/SiC et Al/Mo/SiC. Les résultats ont été complétés par ceux obtenus par ToF-SIMS et XPS.
4.1 Introduction
Le choix des matériaux intéressants pour notre gamme spectrale est avant tout dicté par leurs propriétés optiques et notamment par leur absorption. Nous nous sommes donc tournés dans un premier temps vers les matériaux qui possèdent un seuil d’absorption dans notre gamme spectrale et qui, par conséquent, sont peu absorbants pour réaliser des miroirs. Nous avons donc choisi de travailler sur le dépôt d’aluminium qui possède un seuil d’absorption à 17 nm, et qui est donc compatible avec les structures bi-bandes visées. Comme la longueur d’onde de 30,4 nm a un rôle important, nous nous sommes également intéressés à l'étude des miroirs à cette longueur d'onde. Les difficultés attendues a priori pour cette étude sont d’une part la forte réactivité de l’aluminium avec l’oxygène et d’autre part sa facilité à cristalliser et donc à former des interfaces rugueuses. Le choix de SiC est dû à ses propriétés optiques et la stabilité de ses liaisons chimiques.
Nous nous sommes concentrés dans un premier temps sur les multicouches Al/SiC. Dans les simulations de réflectivité, une multicouche «idéale» (ni rugosité, ni réaction chimique aux interfaces) est considérée. Des simulations indiquent en effet que la structure multicouche idéalement optimisée pour les longueurs d'onde de 30,4 nm et 17,5 nm, présente une réflectivité théorique de 40% et 60%, à incidence normale et en polarisation s.
Les performances optiques de Al/SiC dépendent de la qualité des interfaces entre les différentes couches de l’empilement. Par ailleurs, au contact de l’air, la surface de ces empilements peut s’oxyder ce qui peut aussi affecter de façon non négligeable les performances des multicouches. La densité des couches et la rugosité géométrique affectent les propriétés optiques à la longueur d’onde d’application et peuvent diminuer la réflectance. Pour les longueurs d'onde de 17,5 nm, ces multicouches possèdent une réflectivité expérimentale de 37% à 10° de l’incidence normale en polarisation s. Nous avons montré que c’est bien l’interface Al sur SiC qui semble la plus problématique en terme de rugosité ~1,2 nm. Nous avons pu quantifier les pertes de réflectivité dues à l’oxydation et la rugosité géométrique.
Nous avons ajouté un nouveau matériau à cette interface afin de réduire la rugosité et développer les systèmes de tri-couches. Nous sommes intéressés à l’étude des multicouches périodiques à trois matériaux afin d’augmenter la réflectivité pour les longueur d'onde de 30,4 nm et 17,5 nm. Les matériaux que nous avons utilisés sont W et Mo. Les résultats montrent que dans tous les cas, l’ajout d’un troisième matériau permet d’augmenter la réflectivité, si la
Chapitre 4: Etude des multicouches Al/SiC, Al/W/SiC et Al/Mo/SiC
séquence des matériaux est dans le bon ordre. Par exemple, dans le système Al/Mo/SiC [25], la simulation optimisée pour la longueur d’onde de 30,4 nm et 17,5 nm, présente les réflectivités théoriques de 44,4% et 66,2%. Une réflectivité de 32,4% à 30,4 nm et 53,4% à 17,5 nm, pour l’incidence quasi-normale a été mesurée avec le rayonnement synchrotron sur un composant optique réel. C’est le premier rapport d'une réflectivité expérimentale supérieure à 50% autour de 17 nm. La rugosité de Al/SiC avec W et Mo est ~0,6 nm pour l’interface Al sur SiC. Il est étonnant de constater que l’introduction d’un troisième matériau W ou Mo dans l’empilement Al/SiC conduit à la réduction de la rugosité à toutes les interfaces. Ce doit être la raison de leur réflectivité augmentée par rapport à Al/SiC.
La comparaison des valeurs théorique et expérimentale de réflectivité est discutée. La différence entre les valeurs simulée et mesurée est attribuée à l’oxydation de la couche de SiC, une réduction de la densité de Mo et les rugosités entre les différentes couches.
Dans ce chapitre, nous allons présenter les résultats du système Al/SiC avec ou sans la troisième couche (article 4-[1] et A-[5]) et puis le système Al/Mo/SiC (article 4-[2] et A-[6]).
4.2 Principales publications
4.2 Principales publications
4-[1]
P. Jonnard, K. Le Guen, M.–H. Hu, J.-M. André, E. Meltchakov, C. Hecquet, F. Delmotte : Optical, chemical and depth characterization of Al/SiC periodic multilayers, Proc. SPIE 7360, O1-9 (2009)
4-[2]
M.–H. Hu, K. Le Guen, J.-M. André, P. Jonnard, E. Meltchakov, F. Delmotte, A. Galtayries : Structural properties of Al/Mo/SiC multilayers with high reflectivity for extreme ultraviolet light, Optics Express, Vol. 18, Issue 19, pp. 20019-20028 (2010)