Conclusion

L’étude bibliographique réalisée sur le sulfure d’étain montre que ce dernier jouit de certaines propriétés physiques importantes dans les dispositifs photovoltaïques. Dans les chapitres qui suivent, nous présentons l’effet du dopage et du traitement thermique appliqué sur ces couches dans le but d’améliorer ses propriétés physiques en particulier sa conductivité. Les matériaux appliqué à la dosimétrie personnelle tel que le MgS, CaS et CaSO₄ montrent des propriétés intéressantes ; leur fabrication en utilisant des techniques autres que celles qui mettent en jeu le vide ou l’ultra-vide et qui sont à faible cout est un défit. Ceci fera l’objet des chapitres 4 et 5. Au cours de ce chapitre, nous avons proposé aussi les différentes techniques de caractérisation adaptées à ces matériaux en couches minces élaborés par CBD et Spray.

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Chapitre II :

Etude de l’effet du dopage sur les propriétés physiques de

sulfure d’étain

I. Introduction ... 48 II. Analyse structurale ... 48 III. Analyse morphologique ... 57 IV. Analyse optique ... 60 Modèle de Wemple………. ... 67 Modèle de Spitzer-Fan………. ... 68 V. Analyse électrique… ... 71 VI. Conclusion ... 75 Référence ... 77

Chapitre II :

Etude de l’effet du dopage sur les propriétés physiques de sulfure d’étain

I. Introduction :

Pendant les travaux précédents réalisés au cours de stage de Master II, nous avons montré que la technique CDB est une technique appropriée au dopage des couches minces de sulfure d’étain [1,2]. Dans le but d’améliorer les propriétés physiques de ces couches minces, différents éléments dopants ont été ajouté à la solution de dépôt tel que : le fer, l’argent et le gallium. La même méthodologie d'investigation utilisée dans nos travaux antérieurs portés sur le dopage du SnS dopé au Cuivre et à l’indium [1,2] est mise en œuvre dans ce chapitre afin d’étudier l’effet du dopage sur les propriétés optoélectroniques du matériau SnS. De plus, nous allons étudier dans ce chapitre les propriétés électriques en se basant sur la technique de courant stimulé thermiquement TSC qui est une technique qui n’a pas été exploitée pour la mesure du courant sur des films minces de SnS [3]. Jusqu'à présent et à notre connaissance, le dopage à l’argent a été réalisé seulement par la technique d’évaporation thermique [4]. Le taux du dopage est déterminé par le rapport des concentrations du dopant par rapport à l’étain tel que (y=[X]/[Sn]=0, 4, 6, 8 et 10% avec X=Fe, Ag ou bien Ga)