Grâce aux caractérisations et simulations réalisées dans la section précédente, un mécanisme de formation des résidus filiformes est proposé (FIGURE 28) : durant l’étape d’implantation des atomes ou molécules présents dans le substrat (Si ou SiO2) sont pulvérisés
par le bombardement des ions et se déposent sur les flancs des motifs de résine (b). Les simulations SRIM ont montré notamment que cette pulvérisation est plus importante avec l’arsenic qu’avec le phosphore mais également qu’elle augmente avec la dose d’implantation. Ensuite, pendant le procédé de retrait par plasma, la résine est consommée mais le SiO2 présent
sur lesflancs n’est que plus ou moins retiré suivant la chimie et les conditions utilisées (c). Dans le cas où ils sont toujours présents, ils tombent sur le substrat en suivant les motifs de résine et forment des résidus à la surface du substrat (d). Une fois tombés sur le substrat, un nettoyage humide de type SPM-SC1 ne permet pas de retirer ces résidus.
FIGURE 28. Mécanisme de formation des résidus filiformes observés après le retrait par
plasma de la résine fine (épaisseur 215nm)
Ce mécanisme permet d’expliquer la présence de ces résidus filiformes lors de l’utilisation de la chimie O2/N2. En effet, les atomes provenant du substrat et présents sur les
flancs de la résine vont être oxydés par le plasma et ne seront pas du tout consommés. De plus, ces résidus ne sont pas présents avec la chimie N2H2 qui consomme les oxydes de silicium plus
facilement en formant des composés SiH4 volatils.
De plus, les conditions d’implantation qui favorisent la pulvérisation du substrat conduisent à plus de résidus après le retrait plasma de la résine. En effet, la quantité simulée d’atomes pulvérisés simulée est plus importante avec l’arsenic ce qui permet d’expliquer la taille des résidus filiformes plus importante sur la FIGURE 3. De plus, le TABLEAU 4 a permis de montré qu’avec une dose de 5E15 atomes/cm², la quantité de Si pulvérisé est supérieure à la
O (SiO2) Si (SiO2) Si (Si)
P 80 keV 1E15at/cm² 1,6E15 5,02E14 8,9E12
P 80 keV 5E15at/cm² 8E15 2,5E15 4,45E13
128 quantité retrouvée avec une dose de 1E15 atomes/cm². Cela peut expliquer notamment le fait que les résidus soient présents avec la dose élevée tandis qu’ils ne sont pas observés avec la dose plus faible (FIGURE 16).
Ce mécanisme s’applique donc aux résidus observés avec les deux types de résines même si leur répartition sur le substrat n’est pas la même. Le type de polymère n’a pas d’influence sur les résidus mais la configuration de la résine change leur forme [11]. En effet, le temps nécessaire pour retirer entièrement la résine (qui dépend donc de son épaisseur), les dimensions des motifs et le taux d’ouverture sont autant de paramètres qui vont influencer la façon dont les résidus vont retomber sur le substrat. Dans le cas de la résine épaisse où les zones ouvertes sont petites et peu nombreuses (FIGURE 29), les résidus vont tomber sur les zones non implantées et se répartir autour des motifs implantés.
FIGURE 29. Mécanisme de formation des résidus blancs observés après le retrait par plasma
de la résine épaisse (1,4 µm et fort taux d’ouverture)
Effet du substrat sur les résidus
Puisque la source de formation des résidus filiformes est le substrat, il est intéressant de comparer plusieurs substrats. La FIGURE 30 présente les résultats obtenus après le retrait résine sur trois substrats : du silicium avec un oxyde natif en surface, un silicium recouvert d’un oxyde thermique de 6nm et un silicium recouvert d’une couche de 355nm de SiN déposée par PECVD. Dans les trois cas, les résidus sont présents et sont localisés de la même manière dans la zone non-implantée mais proche de la zone ouverte. Ceci montre que dans tous les cas le mécanisme de formation de ces résidus est le même à savoir une pulvérisation du substrat pendant l’implantation et un dépôt sur les flancs des motifs de résine. Cependant, la quantité de résidus varie suivant le substrat : ils sont présents en plus grande quantité avec un substrat silicium, en moindre quantité sur du nitrure et plus difficilement observables sur oxyde. Le substrat utilisé a donc un effet sur la quantité de résidus produits. Ceci est en accord avec les simulations SRIM effectuées pour chaque substrat (TABLEAU 5) qui ont permis de voir que la quantité d’atomes de Si pulvérisés pendant l’implantation dépend de la composition du substrat. Les quantités ainsi simulées sont donc directement liées au nombre de résidus observés.
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FIGURE 30. Observations au MEB-CD (vue de dessus) après l’étape de retrait d’une résine implantée
avec du phosphore (80 keV 5E15 atomes/cm²) avec la chimie O2/N2 effectuée sur le substrat a) SiO2/Si b) Si c) SiN/Si
TABLEAU 5. Simulation SRIM du nombre d’atomes provenant du substrat (SiN/Si, SiO2/Si ou Si) pulvérisés par l’implantation suivant la dose utilisée
Substrat SiO2/Si Si SiN/Si
Atome pulvérisé Si (SiO2) Si Si
P 80 keV 5E15at/cm² 2,5E15 6E15 4E15
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Conclusion et perspectives
Dans ce chapitre, l’évaluation des différentes chimies utilisables pendant le procédé de retrait par plasma d’une résine implantée continue avec l’observation des résidus et leur caractérisation. Deux principaux types de résidus ont été vus et analysés : des résidus en forme de « gouttes noires » présents sur toute la surface du substrat et composés d’oxydes de dopants. Ils sont principalement formés avec la chimie O2/N2 et dans une moindre mesure avec N2H2
dans le cas de l’implantation de phosphore. Ces résidus ont été identifiés comme provenant de la résine implantée et sont retirés par un nettoyage humide standard SPM-SC1. Le deuxième type de résidus rencontré se présente sous forme de « fils» situés près des contours de la résine. Une analyse des flancs de résine après l’étape d’implantation a montré la présence de silicium provenant du substrat dont la pulvérisation est donc à l’origine de ces résidus. Ils sont formés avec les chimies à base d’oxygène mais également avec les chimies réductrices autres que N2H2.
Ce second type de résidus est plus problématique car il n’est pas retiré par le nettoyage humide classique et nécessiterait un retrait par HF [9] ce qui augmenterait par ailleurs la consommation en substrat. Une optimisation des procédés de retrait par plasma et du nettoyage humide pourrait donc être envisagée. Une influence du substrat sur les résidus filiformes a également été observée avec notamment une diminution du nombre de résidus sur des substrats à base de nitrure ou d’oxyde par rapport au silicium. Ceci peut également être une piste à suivre pour éviter la formation de ces résidus.
La comparaison des différentes chimies disponibles menée dans les chapitres 3 et 4 ont montré que la chimie N2H2 est la plus adaptée pour le retrait d’une résine. Cependant,
l’utilisation de cette chimie pose d’autres problèmes comme le popping ou la formation de défauts appelés « blisters » qui sont étudiés dans les deux prochains chapitres.
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Références utilisées dans le chapitre 4
[1] C. B. Prater, “Detection of residual photoresist with the atomic force microscope,” J. Vac.
Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Struct., vol. 10, no. 3, p. 1211, May 1992.
[2] A. V. Kadavanich, Sang Hoon Shim, I. H.M. Meyer, S. E. Savas, and E. Lara-Curzio, “Chemical and mechanical analysis of HDIS residues using Auger Electron Spectroscopy and nanoindentation,” Diffus. Defect Data Part B Solid State Phenom., vol. 145–146, pp. 261–4, 2009.
[3] D. Tsvetanova et al., “Degradation of 248 nm Deep UV Photoresist by Ion Implantation,”
J. Electrochem. Soc., vol. 158, no. 8, pp. H785–H794, 2011.
[4] A. Franquet et al., “ToF–SIMS and XPS study of ion implanted 248 nm deep ultraviolet (DUV) photoresist,” Microelectron. Eng., vol. 88, no. 5, pp. 677–679, May 2011.
[5] Kirkpatrick Andy, Fernandes Neil, Uk Tinal, and Patrizi Gary, “Eliminating heavily implanted resist in sub-0.25-µm devices,” Micro-St. Monica, vol. 16, no. 7, pp. 71–84, Jul. 1998.
[6] Seokbin Yu, Changwook Park, and Won Gyu Lee, “Residue Formation in The Removal of Ion Implanted Photoresist,” J. Korean Phys. Soc., vol. 33, pp. S80–S83, 1998.
[7] S. Yegnasubramanian, C. W. Draper, and C. W. Pearce, “TEM Investigation of Implanted Photoresist Residues Remaining After Oxygen Plasma Ashing,” MRS Proc., vol. 265, Jan. 1992.
[8] S. Fujimura, J. Konno, K. Hikazutani, and H. Yano, “Ashing of Ion-Implanted Resist Layer,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 28, no. 10R, p. 2130, 1989.
[9] D. R. Lide, CRC handbook of chemistry and physics. Boca Raton: CRC Press, 2002. [10] N. C. Norman, Chemistry of Arsenic, Antimony and Bismuth. Springer Netherlands, 1997. [11] D. D. She, L. R. Zhao, Z. Q. Wang, X. Y. Ma, and W. G. Wu, “Analysis of cotton-like silica contaminants induced by oxygen containing plasma stripping of organic structures on silicon wafer,” presented at the 17th International Conference on Solid-State Sensors, Piscataway, NJ, USA, 2013, pp. 135 – 8.
[12] L. Diao, S. Ross, B. Elliston, L. Hou, and A. Kadavanich, “Novel strip process strategy for metal gate,” ECS Trans., vol. 44, no. 1, pp. 369 – 76, 2012.
[13] U. Akihiro, Y. Masaru, M. Aoyama, and S. Yoshimi, “Generation Mechanism of Photoresist Residue after Ashing,” J. Electrochem. Soc., vol. 141, no. 9, pp. 2487–2493, Sep. 1994.