ii - Optimisation des paramètres de gravure
4. Amincissement des nanofils
L’enchaînement lithographie électronique – gravure plasma chloré nous a permis d’obtenir des nanofils à flancs verticaux avec une hauteur pouvant atteindre 420 nm et un diamètre de 30 nm. La méthode présentée possède deux limitations :
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- Contrairement à une gravure chimique, la gravure physique engendrée par le plasma déstructure le réseau cristallin ce qui entraîne l’apparition de défauts, notamment électriques, à la surface de celui-ci.
- Le diamètre des nanofils est limité par la résolution de la lithographie. Avec ce procédé, la limite minimum des diamètres des plots de résine obtenus est de 25 nm.
Une gravure chimique permet de répondre à ces deux problèmes. Les réactions chimiques s’effectuent sur les couches en surface : cela permet d’éliminer les défauts structurels de surface induits par le plasma. De plus, le caractère isotrope de l’attaque chimique permettrait également une attaque latérale, réduisant de fait, le diamètre des nanofils.
Une méthode employée sur les nanofils de Si pour réduire leur diamètre est appelée « oxydation sacrificielle » [96]. Cela consiste en l’oxydation thermique d’une épaisseur de Si suivie par l’élimination du SiO2 formé par une attaque chimique à l’acide fluorhydrique (HF). Cette méthode est efficace et fonctionne grâce au contrôle au nanomètre près de l’oxydation thermique du Si ainsi qu’à la sélectivité de l’attaque de l’oxyde par l’acide fluorhydrique. L’équipe de Del Alamo a mis au point une technique dite de « gravure séquentielle » dérivée de l’oxydation sacrificielle sur des nanofils d’InGaAs [97], [98]. La différence notable étant que ce procédé est itératif (Figure II-26). En effet, l’InGaAs n’est pas oxydé en profondeur comme le Si : l’oxydation (via un plasma oxygène) est auto-limitante. L’oxyde est ensuite éliminé par acide sulfurique (H2SO4) ou chlorhydrique (HCl). Avec ce procédé, l’équipe de Del Alamo a obtenu une vitesse de gravure par cycle de 0.9 nm/cycle permettant un contrôle au nanomètre près de l’amincissement.
Figure II-26 : Schéma d’une itération de la gravure séquentielle sur GaAs
Un procédé similaire à cette gravure séquentielle a été appliqué à nos nanofils. Salvo et al. ont démontré le caractère auto-limitant de l’oxydation du GaAs et la possibilité d’utiliser l’eau oxygénée comme agent oxydant tout en gardant une vitesse de gravure par cycle constante [99]. Le point crucial pour cela est d’éviter toute contamination croisée des bains H2O2 et acide, auquel cas l’oxydation et l’élimination sont conjointes et le caractère itératif de la gravure est perdu. Le schéma de la Figure II-27 résume le procédé mis en place pour répondre à ces critères.
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Figure II-27 : Mode opératoire pour la gravure séquentielle du GaAs par voie humide : l’échantillon est d’abord oxydé par l’eau oxygénée puis cet oxyde est éliminé par une attaque acide. L’utilisation de deux lots de bains de rinçage permet de
limiter les contaminations croisées.
Des gravures de 1, 2 et 5 cycles ont été effectuées sur les nanofils de GaAs. Des observations par microscope électronique à balayage ont permis de caractériser ces gravures. On observe bien une réduction du diamètre des nanofils avec un nombre de cycles croissants (Figure II-28).
Figure II-28 : Images MEB représentant l’impact de la gravure séquentielle sur les nanofils de GaAs. On remarque le rétrécissement ainsi que la dégradation de l’état de surface avec le nombre de cycle.
La vitesse de gravure du GaAs via ce procédé est de 1.6 nm/cycle. Cependant, on remarque que le premier cycle élimine systématiquement plus de matière : cela s’explique par le fait qu’avant de débuter un cycle de gravure, l’oxyde natif est éliminé par un premier bain HCl à 37%. L’épaisseur de cet oxyde natif varie selon le temps écoulé entre la réalisation du nanofil et son amincissement. Dans le cas des expériences effectuées, l’oxyde natif gravé avant le premier cycle correspondrait à 2.3nm ce qui est en accord avec les épaisseurs d’oxyde natif du GaAs qui peuvent atteindre 3 nm [100], [101].
H2O2 30% 1 min
HCl 37% ou H2SO4 1 min Eau déionisée 1 min
Eau déionisée 1 min
Méthanol 1 min Méthanol 1 min Séchage N2 Séchage N2 Oxydation Elimination
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Ces mesures présentent des résultats qui sont considérés aberrants : notamment le fait qu’une gravure à un cycle grave plus de matière qu’une gravure à 2 cycles (Figure II-28). Pour expliquer cela, l’hypothèse de la contamination croisée est la plus probable : les étapes d’oxydations et d’éliminations se sont succédées au sein d’une même solution conduisant à une gravure en continu. Malgré les précautions prises lors du protocole de gravure séquentielle, la contamination croisée est un phénomène qui n’a pu être éliminé de manière fiable.
Une deuxième observation sur ces expériences est l’évolution de l’état de surface des nanofils : la rugosité de celui-ci augmente grandement avec le nombre de cycles. Cela est à l’opposé des bienfaits recherchés avec cette étape. L’hypothèse avancée est que l’oxydation du GaAs n’est pas complète et est accélérée au niveau des défauts dans la structure créés par le bombardement ionique du plasma. Toutefois, une gravure à un cycle a été réalisée en oxydant le GaAs via un plasma O2 comme le proposait Del Alamo (Figure II-29). On observe que l’état de surface du nanofil n’est pas endommagé par ce procédé et la diminution du diamètre de 25 nm à 16 nm. Cela s’expliquerait par l’oxydation auto-limitante mais complète par le plasma O2 permettant de s’affranchir des défauts en surface du GaAs. Cela suggère donc que l’étape à l’origine des défauts lors de la gravure en solution est celle de l’oxydation du GaAs. Ainsi, le procédé retenu pour l’amincissement des nanofils utilisera une oxydation par plasma oxygène car il a été démontré dans ces résultats que cette voie permet de réduire le diamètre des nanofils sans endommager la structure.
Figure II-29 : Images MEB présentant des nanofils amincis par gravure séquentielle à l’aide d’une oxydation par plasma. a) Nanofil d'InGaAs amincis jusqu'à 7 nm par Del Alamo et al. [61] b) Nanofil de GaAs amincis à 16 nm.
Ce travail a permis de montrer la réalisation de nanofils de GaAs sur substrat Si(100) par voie descendante. Une excellente reproductibilité ainsi qu’un bon positionnement ont été obtenus grâce à l’utilisation de la lithographie électronique et de la gravure plasma. Les défauts de structure pouvant être induits par le plasma ont été éliminés de la surface des nanostructures à l’aide d’un procédé d’amincissement par gravure séquentielle. Celui-ci fait appel à deux étapes qui sont l’oxydation et l’élimination de l’oxyde. Il a été montré que l’oxydation par plasma était bien plus efficace car elle
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permet d’éviter la révélation des défauts de structures présents au sein des nanofils tout en évitant les contaminations entres solutions chimiques.
Désormais, la voie ascendante pour l’obtention de nanofil d’InAs va être présentée.