Etude de fiabilité des modules d'électronique de puissance à base de composant SiC pour applications hautes températures
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![Figure I-10 : Comparaison des tailles de wafers de qualité équivalente pour le Si, SiC et AsGa [Rich-04]](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/14599697.730978/38.892.224.692.122.390/figure-comparaison-tailles-wafers-qualité-équivalente-asga-rich.webp)
![Figure I-18: Comparaison des caractéristiques principales pour les céramiques les plus utilisées [Miya-90]](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/14599697.730978/48.892.223.670.273.700/figure-comparaison-caractéristiques-principales-céramiques-utilisées-miya.webp)
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![Figure I-23 : Connexion électrique par fils de bonding sur la métallisation d’un semi- semi-conducteur [Amro-05]](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/14599697.730978/52.892.285.721.699.943/figure-connexion-électrique-fils-bonding-métallisation-conducteur-amro.webp)
![Figure I-30 : Technologie d’assemblage à basse température réalisée avec de la pâte d’argent [Amro-05]](https://thumb-eu.123doks.com/thumbv2/123doknet/14599697.730978/58.892.146.748.137.365/figure-technologie-assemblage-basse-température-réalisée-pâte-argent.webp)
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