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Submitted on 28 Oct 2004
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Structures guidantes à bande interdite photonique à base de silicium nanoporeux
Patrick Ferrand
To cite this version:
Patrick Ferrand. Structures guidantes à bande interdite photonique à base de silicium nanoporeux.
domain_stic.inge. Université Joseph-Fourier - Grenoble I, 2001. Français. �tel-00003341v2�
n1
n2 milieu 1
milieu 2
z x
a1 b1 y
b2 a2
n1
n2 z
x y
n3
TE0 TE1
e2
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0,0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
TE2
TE1
TE0
ω = cβ/n3
ω = cβ/n2 continuum
fréquence réduite ωe 2/2πc
constante de propagation réduite βe2/2π
z x
y
n2 n1
a) b) 0,0
0,5 1,0
bande interdite
réflectivité
fréquence Λ
Si
Si Si
H H
F–
+
Si
Si Si
H F
–
B F–
Si
Si Si
F C F
F–
H+ H2
Si
Si Si
F F
D
F–
F
H+
Si
Si Si
F F
F F
H H
+ 2HF
SiF62–+ 2H+ A
E
50 55 60 65 70 75 80 1,0
1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
1,66 mA/cm2 16,6 mA/cm2
166 mA/cm2
333 mA/cm2 λ = 1,3 µm
partie réelle de l'indice optique
porosité (%)
temps
densité de courant
Si
anodisation de la première couche
anodisation de la seconde couche
HF
b)
substrat de silicium
fenêtre CaF2 électrode en inox électrode de platine
électrolyte conduits
remplissage/vidange
cellule d'électrolyse laser Ar+
TEM00
télescope + filtre spatial
séparatrice 50/50
Λ θ
0,0 0,1 0,2 0,3
1,5 2,0 2,5
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0,01 0,1
1,5 1 0,5
a) mesure
calcul
réflectivité absolue
b)
Re(n)
énergie (eV) c)
Im(n)
longueur d'onde (µm)
diaphragme de champ θ
diaphragme d'ouverture
échantillon analyseur optique
multicanal
monochromateur faisceau
de pompe
filtre passe-haut
polariseur
objectif de microscope
échantillon hacheur
fente 50 µm lampe
tungstène
×25
faisceau incident
a) b)
image du filament
plan du guide faisceau incident
zone de couplage efficace ouverture
du guide
illumination en sortie
φ γ
α
objectif de microscope
échantillon
hacheur fente
0,5 mm ×4
laser Ar+ λ= 457,9 nm
Ø 1,5 mm
L
objectif de microscope échantillon ×15
monochromateur
photomultiplicateur
caméra polariseur
fente du spectromètre
substrat sous-couche
guide
zones éclairées
air
a) b)
1,5 1,4 1,3 1,2 TM
TE
L = 1,64 mm
L = 2,36 mm
transmission (u. arb.) amplitude de la transformée de Fourier (u. arb.)
0,7 0,8 0,9
L = 2,80 mm
1/λ (µm-1)
0,0 0,1 0,2
∆neff
λ (µm)
z
Eext
0
0 Esub
>
↓
↑
E
< E
↓
↑
E E
extérieur substrat
plan de dipôles
(a) (b)
1,2 1,6 2,0 2,4
1 0,8 0,6 1 0,8 0,6
1,2 1,6 2,0 2,4
0°
5°
10°
15°
20°
25°
30°
35°
40°
45°
50°
55°
60°
65°
70°
75°
TE 80°
photoluminescence (u. a.)
énergie (eV)
TM
énergie (eV) longueur d'onde (µm) longueur d'onde (µm)
0 10 20 30 40 50 60 70 0,0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
± 20 % de dipôles verticaux
λ = 0,7 µm
TE mesuré TE calculé TM mesuré TM calculé
photoluminescence (u. a.)
angle d'émission (deg)
1,6 1,8 2,0
0,8 0,7 0,8 0,7
1,6 1,8 2,0
0°
5°
10°
15°
20°
25°
30°
35°
40°
TE
photoluminescence (u. a.)
énergie (eV)
TM
énergie (eV) longueur d'onde (µm) longueur d'onde (µm)
18 16 14 12 10 8 6 4 2 0
0 10 20 30 40
couche simple
a) TE mesuré
TM mesuré TE calculé TM calculé
λ = 0,7 µm
photoluminescence (u. a.)
(cavité) b) TE
TM
numéro de couche
photoluminescence (u. a.)
calcul sans absorption c)
photoluminescence (u. a.)
angle d'émission (deg) TE
TM
a) absorption b) diffusion c) fuites
β
βm βm β
a) mode idéal b) mode avec pertes
Px
∆β≈ αm
Px
n1
z
x n2
n3
nsub e2
e3 Φ||g Φ||d
Φ⊥sub Φ⊥ext (x0, 0, zext)
(x0 + ∆x, 0, zsub)
0,0 0,1 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 10-6
10-4 10-2 100 102
0,0 0,5 5 6 7 8
coefficient d'atténuation α (µm-1 )
indice effectif neff
II III I
Φ⊥ext = −Φ⊥sub Φ||
flux d'énergie Φ (u. arb.)
constante de propagation β (µm-1)
0,0 0,1 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 10-2
10-1 100 101
0,0 0,5 5 6 7 8
coefficient d'atténuation α (µm-1 )
indice effectif neff Φ⊥sub = 0
Φ⊥ext Φ||
flux d'énergie Φ (u. arb.)
I II III
constante de propagation β (µm-1)
1,0 1,5 2,0 2,5
1,66 1,68 1,70 1,72 1,74 1,76 1,78
2,42,2 2 1,8 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 TE
TM
n eff = n 3 n eff = n 2
indice effectif neff
rapport e2/λ longueur d'onde λ (µm) pour e2 = 1,5 µm
-1 0 1 2 3 4 5 6 -1,0
-0,5 0,0 0,5 1,0 1,0 1,5
TE1 TE0
champ E (normalisé)
profondeur z (µm)
indice n
0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 T M
T E
L2 = 3,0 mm L1 = 1,4 mm
L2 = 3,0 mm
L2 = 1,4 mm
longueur d'onde λ (µm) intensité transmise I (u. arb.)intensité transmise I (u. arb.)
1,5 1,4 1,3 1,2 1,1 1 0,9 0,8
énergie (eV)
0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 10-2
10-1 100 101 102
pertes globales du guide d'onde en silicium poreux
absorption
du silicium poreux
absorption
du silicium massif
longueur d'onde λ (µm)
coefficient d'atténuation α (cm-1 )
1,5 1,4 1,3 1,2 1,1 1 0,9 0,8
énergie (eV)
0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 10-1
100 101
longueur d'onde λ (µm) coefficient d'atténuation α (cm-1 )
1,5 1,4 1,3 1,2 1,1 1 0,9 0,8
mesure
diffusion de surface diffusion d
e volume
TE0 TM0 énergie (eV)
0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 0
5 10 15
longueur d'onde λ (µm)
intensité diffusée (u. arb.)
1,5 1,4 1,3 1,2 1,1 1 0,9 0,8
TM TE énergie (eV)
-1 0 1 2 3 4 5 6 1,0
1,2 1,4 1,6 3,5 4,0
Λ
nsub
n1
nc nL
nH
indice
profondeur z (µm)
0
1 0,5 1,0 1,5 2,0
ω = cβ/
n c
ω = cβ
T E
constante de propagation réduite βΛ/2π 0,5
1,0 1,5
2,0 0,5 1,0 1,5 2,0
ω = cβ
/n
c
fréquence réduite ωΛ/2πc
constante de propagation réduite βΛ/2π ω =
cβ
T M
réflectivité
3,53 2,5 2 1,5 1 0,5
longueur d'onde λ (µm)
0 1 2 0
1 2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8
1,5 1,0
0,5
T E
constante de propagation réduite β/K 0,0
0,5 1,0
1,5
constante de propagation réduite β/K
T M 1,75
1,5 1,25 1 0,75 0,5
longueur d'onde λ (µm)
transmission (u. arb.)
fréquence réduite ω/cK
transmission (u. arb.)
0,0 0,5 1,0
-1 0 1 2 3 4 5 6
1,0 1,2 1,4 1,6 3,5 λ = 1,1 µm , TE, neff = 1,12520 4,0
indice
profondeur z (µm )
puissance guidée P || (u. arb.)
0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 0
5 10 15 20 25 30 35 40 0 1 2 3 4
1 0,9 0,8 0,7
b )
T M
T E
coefficient d'atténuation α (cm-1 )
fréquence réduite ω/cK
a)
L = 1,2 mm
L = 0 T E
photoluminescence (u. arb.)
longueur d'onde λ (µm)
PL(L)
0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 0,01
0,1 1 10 100 1000
mesure TE mesure TM
fuites TM
fuites TE atténuation α (cm-1 )
longueur d'onde λ (µm)
k||
kx ω
x y
z
n1
n3 n2
n1
n3
n2+ ∆n(x,z) Λ a)
b)
ω
K/2 0
Re(β) ω
β+l
qK –β
-m
( )
β~+lRe
( )
β~+lIm
β0
bande interdite
L
échantillon injection
collection
1,5 1,4 1,3 1,2 1,1
0,01 0,1 1
T M
transmission (u. arb.)
longueur d'onde λ (µm)
0,4 0,5
β/K 1,5
1,4 1,3 1,2 1,1
0,01 0,1 1
longueur d'onde λ (µm)
transmission (u. arb.)
T E
0,4 0,5
β/K
0,30 0,32 0,34 0,36 0,38 0,40 0,42
fréquence réduite ω/cK
0,30 0,32 0,34 0,36 0,38 0,40 0,42
fréquence réduite ω/cK
1,5 1,4 1,3 1,2
0,01 0,1 1
T M
transmission (u. arb.)
longueur d'onde λ (µm)
0,4 0,5
β/K 1,5
1,4 1,3 1,2
0,01 0,1 1
longueur d'onde λ (µm)
transmission (u. arb.)
T E
0,4 0,5
β/K
0,30 0,32 0,34 0,36 0,38
fréquence réduite ω/cK
0,30 0,32 0,34 0,36 0,38
fréquence réduite ω/cK
2,0 1,5 1,0 0,5 0,0
0,0 0,5 1,0
couche guidante
gaine
no (TE) profondeur z (µm)
position dans le plan x (µm)
1,250 1,350 1,450 1,550 1,650 1,700
0,0 0,5 1,0
ne (TM )
0,30 0,32 0,34 0,36 0,38 0,40 φ = 0°
φ = 10°
φ = 20°
φ = 30°
TM
fréquence réduite ω/cK
transmission (u. arb.)
φ
φ = 30°
φ = 20°
φ = 10°
φ = 0°
TE
transmission (u. arb.)
1,5 1,4 1,3 1,2 1,1
longueur d'onde λ (µm)
0,32 0,33 0,34 0,35 0,36 0,37 10-4
10-3 10-2 10-1 100
TE
transmission (u. arb.)
fréquence réduite ω/cK
kx ky K
modes guidés cône de lumière
1 0,9 0,8 0,7 0,6 1 0,9 0,8 0,7 0,6
0,5 0,6 0,7 0,8
0°
5°
10°
15°
20°
25°
30°
35°
40°
45°
50°
55°
60°
65°
70°
75°
θx 80°
θy TE
photoluminescence (u. arb.)
fréquence réduite ω/cK
0,5 0,6 0,7 0,8
θx θy TM
fréquence réduite ω/cK longueur d'onde λ (µm) longueur d'onde λ (µm)
L plan du guide
émetteur
θobj
λ: longueur de tranche analysée y
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,0
0,5 1,0
I/I 0
L/L0