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Etude en température transistor bipolaire à hétérojonction à base SiGe

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Academic year: 2021

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République Algérienne Démocratique et Populaire Ministère de

l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Faculté des Sciences de l

'

Ingénieur

Département d'Electronique

Université de Constantine

N° d’Ordre :…………..

Série :………...

MEMOIRE

Présenté pour Obtenir le Diplôme de Magistère

en Electronique

Option : Semi-conducteurs

THEME

Par :

Mme

KARA MOSTEFA ZOHRA

Soutenance Prévue le :

09/01 /2007.

Devant le Jury :

Président : Mme Benrrabah Meriem

Prof. Univ.

Constantine

Rapporteur : Mme Lessoued Saida

Prof. Univ.

Constantine

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