Simulation transistors bipolaires en commutation 1) Transistor bipolaire NPN
Fichier à charger : C:\Program Files\Labcenter\Proteus 5.2\1EL\transistors bipolaires\simul NPN (vérifier la valeur de R2 et Q1 transistor générique de la bibliothèque Device de ISIS) Flécher les courants et les tensions du transistor Q1
Compléter le tableau de mesures ci-dessous (préciser les unités)
UAM en V IB VBE IC VCE P =
VCE*IC Etat du transistor 0
1.49 2.97 4.42 5.88 7.34 8.81 10.3 11.8 13.3 15
Tracer la courbe IC = f ( IB ) ( échelles : IB 10cm représente 1mA
IC 1 cm représente 10 mA )
Surligner en différentes couleurs les zones de fonctionnement du transistor ( bloqué ; passant ; saturé )
En déduire la valeur de
β (coefficient d’amplification ) sachant que β
= C
B
I I
)
( C
B
I I
= ( Ic2 – Ic1 ) / ( Ib2 - Ib1 ) valeurs à prendre lorsque le transistor est passant) Tracer les courbes P = f ( IC ) et P = f ( VCE ) (échelles IC 1cm représente 10mA
VCE 1cm représente 1V P 2cm représente 100mW ) Surligner en différentes couleurs les zones de fonctionnement du transistor ( bloqué ; passant ; saturé )
A quelles valeurs de VCE et IC ,le transistor a une puissance dissipée maximale ? (à comparer avec VCC et IC SAT )
REMARQUE :Vous pourrez utiliser le tableur d’Open Office pour tracer ces courbes ( sur une feuille avec votre NOM + votre tableau + courbe IC = f ( IB ) ; sur une autre feuille , votre NOM + courbe P = f ( IC ) + courbe P = f ( VCE ) )
B) Transistor bipolaire PNP
Fichier à charger : C:\Program Files\Labcenter\Proteus 5.2\1EL\transistors bipolaires\simul PNP
Compléter le tableau de mesures ci-dessous (préciser les unités)
UAM IB VEB IC VEC Etat du
transistor 0V
2.5V
5V
7.5V
10V
Compléter le tableau récapitulatif suivant :
NPN Commande
(état logique) IB VBE IC VCE Puissance
dissipée
P= VCE* IC
Bloqué
Saturé
≥ Ic satβmini
Ic sat
PNP Commande
(état logique) IB VEB IC VEC Puissance
dissipée
P= VCE* IC
Bloqué
Saturé
≥ Ic satβmini
