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Thermal stability of structures such as TiN/ZrO2/InGaAs

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Academic year: 2021

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Figura 1.2  Ancho de banda prohibida en función de la constante dieléctrica  (
Figura 1.3  Representación  esquemática  de  un  dispositivo  metal-óxido- metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tabla 2.1  Características generales de algunas espectroscopías electrónicas.
Figura 2.1 Esquema de los niveles de energía para medir la energía de enlace  en XPS.  Fuente: Ref 3
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