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Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI)

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Academic year: 2021

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Figure 2.5 : l’évolution de l’énergie de gap en fonction des paramètres de maille en prenant en  considération le bowing effect 20
Figure 2.10 : la rotation (twist) et l’inclinaison (tilt) des grains colonnaires au démarrage de  la croissance de GaN 24
Figure 2.13 : les différents types d’empilements des BSFs. En orange les empilements zinc  blende 36
Figure 2.19 : l’évolution de l’efficacité quantique externe en fonction du courant injecté dans  une led bleue (courbe à gauche) et verte (courbe à droite) 52
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