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Modélisation et simulation de dispositifs nanoélectroniques

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Academic year: 2021

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(1)MINISTERE D E L’E NSEI GNEMENT SUP ERI EUR ET D E LA RECHERC HE S CIE NTIFI QU E UNIVER SITE D JIL LAL I LIAB ES SID I B EL A BBE S. F ACU LTE DES SCIENCES DE L’INGENIEUR. ▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬. RESUME DE THESE DE DOCTORAT. Nom & Prénom(s) E-mail (obligatoire) Spécialité Titre. SLIMANI SAMIA slimani.samia@gmail.com Electronique. Date de soutenance Nom, prénom(s) et grade de l’encadreur. 31 octobre 2013. Modélisation et simulation de dispositifs nanoélectroniques Pr. DJELLOULI BOUAZA. Résumé: La miniaturisation des transistors MOSFETs ne suffit plus à satisfaire les spécifications de performances de l’ITRS une solution consiste à améliorer le transport électronique dans le canal de conduction des MOSFETs : les architectures SOI multigrilles avec dielectriques high k sont les principaux candidats pour les futures générations des dispositifs CMOS puisque très prometteuses en termes de vitesse et de contrôle électrostatique. Dans ce contexte, le présent travail porte sur l'étude des caractéristiques des architectures MOSFETs SOI double-grille par simulation numérique en utilisant le simulateur Nextnano3. L'évolution des caractéristiques telles que le DIBL, la pente sous seuil, la tension de seuil, le courant de fuite, le courant à l'état passant et la transconductance est analysée en fonction de différent EOT pour les trois oxydes et la réduction de l'épaisseur du film de silicium. Mots clés : SOIDGMOSFET, NEXTNANO3D, high k, le courant de fuite, DIBL. :‫ا‬ ‫ر‬+,   ‫وه&ا‬،‫ *ات‬%&‫" ه‬# $ ! ‫ أد رات ا إ ى ي دي إ‬ 56 -;. ‫; أ=ال ات‬1 ‫ ل‬8; -/<‫;ل ا‬8‫ ا‬0: 0.-9‫ ا‬8 ‫ل‬. 56 -4$‫ ة و‬2‫ات ا‬/2‫ ا‬01 -. /‫ا‬ I/ GH‫ أ‬0 -‫ ا‬-F‫*ة ات ذات ا‬1 ;1 ;1 * ‫زل‬1 ;1 ‫اح @ ;م‬B‫ @ ا‬، ?>‫ ا‬->$ "# $ ‫*م *رس‬2‫ ا‬G‫ن ا‬O6 ‫&ا‬N 9 .5<‫و‬N‫<@ آ‬8 ‫ و‬-1 ‫ @ ذات‬M/ GB L  –*‫*ات *ن – أآ‬ ‫ إن‬.3/S R9‫ ل ا‬-B‫آة ر‬8 ‫اء‬HO 0‫ ذات ا‬- ‫ة ا ا&ا‬/2‫زل ذات ا‬1 ;1 ‫ @  ;م‬ @ -;B/‫ ر اب وا‬، -F 56 ‫ ار‬،-9‫   ا‬،-9‫ ا‬8 G‫ا‬، ‫  ف‬G H8‫ ا‬U$ GT "# $ ‫ >ر‬ .‫ ا;م‬-29= [‫ أآ* و‬-+ZT *‫آ‬Y‫ ا‬-‫  دل آ‬-X* N;;8. -F ‫آ;ت‬ -‫ ا‬-F‫ا‬,‫ ر اب‬,SOIDGMOSFET, NEXTNANO3D.

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