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Oxidation of Si nanocrystals fabricated by ultralow-energy ion implantation in thin SiO2 layers

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Academic year: 2021

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FIG. 2. Evolution of 共 a 兲 the Si NC mean radius and 共 b 兲 of the NC aerial density vs annealing time under N 2 + O 2 , as measured on the images in Fig.
FIG. 6. Schematics of 共 a 兲 a spherical Si NC surrounded by an oxide shell with normal compressive stress at the interface 共 ␴ 兲 and tensile stress 共  hy-drostatic pressure, P 兲 within the oxide volume, which appear during the viscous flow of the growing o
FIG. 7. Evolution of 共 a 兲 the NC mean radius and 共 b 兲 NC density vs the O 2 content, as measured on plan-view PEELS-STEM images
FIG. 9. Evolution of compressive stress ␴ 共 in absolute value 兲 and tensile stress P vs the annealing time for ⍀ = 25 Å 3 .
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