Micromachines 2019, 10, 801; doi:10.3390/mi10120801 www.mdpi.com/journal/micromachines
Article
Investigation of the Young’s Modulus and the Residual Stress of 4H-SiC Circular
Membranes on 4H-SiC Substrates
Jaweb Ben Messaoud
1, Jean-François Michaud
1, Dominique Certon
1, Massimo Camarda
2, Nicolò Piluso
3, Laurent Colin
1, Flavien Barcella
1and Daniel Alquier
1,*
1
GREMAN UMR-CNRS 7347, Université de Tours, INSA Centre Val de Loire, 37071 Tours, France;
jaweb.benmessaoud@univ-tours.fr (J.B.M.); jean-francois.michaud@univ-tours.fr (J.-F.M.);
dominique.certon@univ-tours.fr (D.C.); laurent.colin@univ-tours.fr (L.C.); flavien.barcella@univ-tours.fr (F.B.)
2
Paul Scherrer Institute, ODRA/116, 5232 Villigen, Switzerland; massimo.camarda@psi.ch
3