Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III nitrurés : GaN/GaAs » Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III-V

M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T U N I V E R S I T E D J I L L A L I

F A C U L T E D E S S C I E N C E S

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RESUME D

E-mail (obligatoire) Spécialité

Titre Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III

Date de soutenance Nom, prénom(s) et grade de l’encadreur

Résumé :

Les composés III-V nitrurés, tel que le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages, par exemple, sont beaucoup étudiés en raison de leur important potentiel dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques comme les diodes, les capteurs et les cellules solaires.S’intéressent au nitrure de gallium déposé sur un substrat d’arséniure de gallium, l’optimisation et l’analyse d’une te

travail consiste à étudier le comportement électrique de ces dispositifs (GaN/GaAs) moyennant une modélisation adaptée. La comparaison des résultats simulés avec les résultats expérimentaux no

technologie en vue d’un meilleur fonctionnement du dispositif. Mots clés : GaN,GaAs, composé nitruré, effet tunnel et fuite.

G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E U N I V E R S I T E D J I L L A L I L I A B E S S I D I B E L A B B E S

F A C U L T E D E S S C I E N C E S D E L ’ I N G E N I E U R

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RESUME DE MEMOIRE DE MAGISTER

Electronique

Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III nitrurés : GaN/GaAs »

30/11/2010 Mme _{Hlima.MANSOUR}

V nitrurés, tel que le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages, par exemple, sont beaucoup leur important potentiel dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques comme les diodes, les capteurs et les cellules solaires.S’intéressent au nitrure de gallium déposé sur un substrat d’arséniure de gallium, l’optimisation et l’analyse d’une telle structure passe impérativement par une modélisation.Notre travail consiste à étudier le comportement électrique de ces dispositifs (GaN/GaAs) moyennant une modélisation adaptée. La comparaison des résultats simulés avec les résultats expérimentaux nous permettre d’améliorer la technologie en vue d’un meilleur fonctionnement du dispositif.

GaN,GaAs, composé nitruré, effet tunnel et fuite.

D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E

Etude du comportement électrique des héterostructures à base de composés III-V

V nitrurés, tel que le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages, par exemple, sont beaucoup leur important potentiel dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques comme les diodes, les capteurs et les cellules solaires.S’intéressent au nitrure de gallium déposé sur un substrat d’arséniure lle structure passe impérativement par une modélisation.Notre travail consiste à étudier le comportement électrique de ces dispositifs (GaN/GaAs) moyennant une modélisation us permettre d’améliorer la