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Développement d’un procédé de gravure et de métallisation de vias face arrière d’un substrat de silicium destinés à la fabrication de transistors de puissance GaN

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Academic year: 2021

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Figure 2. 1 :Structure d’un transistor HEMT AlGaN GaN AlN sur Si, SiC ou Saphire[1]
Figure 2. 2 : Structure en 3D d’un HEMT AlGaN/GaN        Figure 2. 3 : Caractéristique de sortie             Tirée de [2]                                                                                    IDS(Vds,Vgs)  d’un HEMT AlGaN/GaN.[2]
Figure 3. 1 Caractéristiques de transfert d’un transistor AlGaN/GaN. Sous une température de 380K à  540K [3]
Figure 3. 7: Représentation des trois différentes approches TSV et leurs différentes étapes de procédé
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