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Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence

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Academic year: 2021

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Figure 2.1 : Représentation de type « Balls and sticks » pour une maille GaN en structure (a) Zinc-blende et (b) Wurtzite
Figure 2.3 : Géométrie de la demi-maille pour les composés binaires étudiés en structure Wurtzite.
Tableau 2.5 : Valeurs des tenseurs des coefficients piézoélectriques et élastiques pour les composés binaires présentés
Figure 2.4 : Représentation des valeurs   pour les composés binaires et tertiaires présentés en fonction de leur paramètre de  maille a
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