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Développement des microcapteurs chimiques CHEMFETs pour l'analyse de l'eau

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Academic year: 2021

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Figure

Figure 1.2: Redistribution du potentiel et de la charge à l’interface  oxyde/électrolyte
Figure 2.2: Tension de seuil d’un MOS en fonction du dopage de substrat, Vds = 0,1 V
Figure 2.4: Tension de seuil du transistor en fonction de la dose d’implantation pour  différentes épaisseurs d’oxyde de pré-implantation
Figure 2.6: Concentration en surface du canal en fonction de la dose d’implantation pour
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