UDC (V) I0 (nA) ΔI (nA) ΔI / I0 (%)
0,5 160 20 12,5
1 410 41 10
1,5 700 60 8,6
2 1040 82 7,9
Tableau 13. Réponse capteur à 90 ppm d'ammoniac d'un résistor de Pc2Lu avec greffage de benzène, en fonction de UDC. Valeurs moyennes sur 4 cycles exposition - repos 1 min / 4 min sous air à 50 % d’humidité relative
Le tracé des courbes de calibration dans la gamme 10 – 90 ppm permet de mettre en
lumière l’incidence de la modification de surface de l’ITO (Figure 113). Certes, les trois
courbes présentées n’ont pas été réalisées avec la même tension de polarisation, néanmoins
il est indéniable que le greffage démultiplie la réponse relative qui passe de 0,9 % pour le
résistor témoin à 8,5 % et 12,5 % pour les dispositifs comprenant un greffage respectivement
de TFBz et Bz.
Ainsi, la modification de surface apporte un effet de seuil qui rompt le régime ohmique
du résistor et lui confère des propriétés capteur plus intéressantes. Je n’ai pas davantage
poussé l’étude capteur de ces dispositifs, le but étant d’apporter une preuve de concept.
Figure 113. Réponses relatives dans la gamme 10 - 90 ppm d'ammoniac de différents résistors de Pc2Lu comprenant une modification de surface, à l’air à 50 % d’humidité relative. Tension de polarisation de 1 V pour les courbes rouge et noire, 0,5 V pour la courbe bleue.
IV.2. n-MSDI F
16PcCu – Pc
2Lu sur ITO modifiée
IV.2.1. Effet de l’humidité relative
Nous avons tout d’abord étudié l’effet de l’humidité en l’absence d’ammoniac, entre
70 et 10 % puis entre 10 % et 70 % d’humidité relative (Figure 114). La première
observation est l’absence de symétrie entre la phase de diminution et d’augmentation
d’humidité, ce qui indique que la vitesse de désorption de l’eau est plus faible que la vitesse
d’adsorption. J’ai utilisé comme référence le courant à 50 % d’humidité car la plupart des
expériences capteur sont menées à ce taux. L’augmentation d’humidité engendre une
augmentation de courant quel que soit le dispositif. Cette observation est logique car la
circulation du courant au sein d’une n-MSDI est assurée par des porteurs négatifs. L’eau,
avec ses doublets non liants donneurs d’électrons, va ainsi venir exalter le caractère n du
dispositif et augmenter sa conductivité.
La n-MSDI préparée sur ITO nu voit son courant augmenter de 15 % entre 50 et 70 %
d’humidité alors qu’il diminue de 20 % entre 50 et 10 % d’humidité, soit une variation
relative totale sur toute la gamme d’humidité de 35 %. La modification de surface augmente
la sensibilité du dispositif. En effet, avec le greffage de DMBz, la variation relative totale
de courant est de 45 % et augmente à 60 % pour le greffage de TFBz. Il faut noter que la
modification de surface a diminué d’un facteur 10 le courant des dispositifs, ce qui n’est pas
visible si l’on trace le courant normalisé et qui pourrait expliquer leur plus grande sensibilité
à l’humidité.
Figure 114. Évolution du courant normalisé (par rapport à sa valeur à 50 % HR) de différentes n-MSDI avec modification de surface, sous l'effet de l'humidité relative entre 10 et 70 %, par paliers de 1500 s.